公开(公告)号：CN103035522B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210270691.8

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/126

Abstract: 在化合物半导体层叠结构上形成钝化膜，通过干蚀刻来使钝化膜的电极形成预定位置变薄，通过湿蚀刻来穿透钝化膜的变薄部分以形成开口，并且在钝化膜上形成栅电极，使得电极材料嵌入该开口。

公开(公告)号：CN102651385B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201110451784.6

申请日：2011-12-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  吉川俊英 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

Abstract: 将选自例如Fe、C、B、Ti、Cr中的至少一种杂质从化合物半导体叠层结构的背面引入化合物半导体叠层结构的至少一个缓冲层中，以使缓冲层的电阻值变高。

公开(公告)号：CN103715252A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310445627.3

申请日：2013-09-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 美浓浦优一 ,  渡边芳孝

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/314 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/28 ,  H02M3/33576 ,  H02M7/04 ,  H02M2001/007 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体分层结构；形成在化合物半导体分层结构之上的栅电极；覆盖化合物半导体分层结构的表面并且由氮化硅作为材料制成的第一保护绝缘膜；在第一保护绝缘膜上覆盖栅电极并且由氧化硅作为材料制成的第二保护绝缘膜；以及包含氮氧化硅并且形成在第一保护绝缘膜和第二保护绝缘膜之间的第三保护绝缘膜。

公开(公告)号：CN103035702A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN103022119A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210331577.1

申请日：2012-09-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335 ,  H03F3/193 ,  H02M7/217 ,  H02M3/335

CPC classification number: H03F1/3247 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

Abstract: 本发明涉及半导体器件，所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、形成在第二半导体层上的第三半导体层、形成在第三半导体层上的栅电极以及形成在第二半导体层上的源电极和漏电极。第三半导体层由掺杂有p型杂质元素的半导体材料形成。在第三半导体层中，在栅电极的正下方形成有p型区域，并且在除p型区域之外的区域中形成有具有比p型区域高的电阻的高电阻区域。

公开(公告)号：CN103168362B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201080069639.5

申请日：2010-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  美浓浦优一

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置设有：GaN层（2）、与GaN层（2）的Ga面形成肖特基接合的阳极电极（4）以及位于阳极电极（4）的至少一部分与GaN层（2）之间的InGaN层（3）。

公开(公告)号：CN103035702B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN104183636A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410171412.1

申请日：2014-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体形成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体形成的第二半导体层；在第二半导体层中或者在第二半导体层和第一半导体层中形成的栅极沟槽；在栅极沟槽处形成的栅电极；以及在第二半导体层上形成的源电极和漏电极。栅极沟槽具有形成为比栅极沟槽的底部的中部更浅的底部的端部。栅极沟槽的侧壁的一部分由包括a面的表面形成。底部的中部为c面。底部的端部形成从c面到a面的斜面。

公开(公告)号：CN103035703A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN102047411A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200880129496.5

申请日：2008-06-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  小林靖志 ,  美浓浦优一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明半导体装置的制造方法，包括：在基板(10)上形成由硅化合物类绝缘材料构成的绝缘膜(38、40、42)上的工序；在绝缘膜(38、40、42)上形成开口部(48)的工序；通过在含有烃类气体的环境中照射活性能量线，在开口部(48)的内面形成由结晶性SiC构成的阻挡层(50)的工序；以及在形成有阻挡层(50)的开口部(48)内，形成由铜构成的布线结构体(52)的工序。