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公开(公告)号：CN105154985B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510520212.7
申请日：2015-08-24
Applicant: 常州大学
IPC: C30B33/10 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及金属氧化物薄膜及其制备方法，尤其是涉及一种双结构绒面Cu2O薄膜及其制备方法。本发明利用射频平衡磁控溅射镀膜系统，通过施加正、负衬底偏压，一方面诱使溅射Cu原子在正在沉积的薄膜表面尖端处进行选择性优先沉积，然后与腔室中残余的氧发生接触氧化成Cu2O分子，另一方面诱使薄膜体系尽可能地降低能量，沿（111）方向生长并在薄膜表面形成（111）面的棱锥结构，从而获得双结构绒面Cu2O薄膜。本发明制备的Cu2O薄膜的可见光平均反射率与所施加的衬底偏压密切相关，通过控制衬底偏压能够可控制备不同反射率的双结构绒面Cu2O薄膜，具有环保、简易、减反射性能良好等优点，在薄膜太阳能电池等领域具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN102251278B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110144380.2
申请日：2011-05-31
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及铜纳米线的制备方法，尤其是一种液相还原可控制备高产率单晶铜纳米线的方法。首先将二价金属铜盐溶液和乙二胺混合后水浴加热形成单一、稳定的铜离子螯合物，将强碱溶液和水合肼混合后在同一温度水浴下配成还原剂；然后将这两种混合溶液转入反应容器中，充分摇匀后盖好，置于同一温度水浴中加热反应，制备铜纳米线；将漂浮在溶液上层的片状铜纳米线打捞出来，依次用去离子水和无水乙醇洗涤三次以上，在室温和Ar气保护条件下干燥即得铜纳米线。本发明工艺简单、成本低、产率高，所制备的铜纳米线为单晶结构，其表面相对光滑，径向粗细均匀，长度和直径可控且比较均匀。
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公开(公告)号：CN102345096B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201110179386.3
申请日：2011-06-29
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法，目的是提供一种铜纳米线/铜膜复合结构及其磁控溅射制备方法。本发明采用小沉积角度的直流磁控溅射掠射沉积技术，通过适当调节薄膜厚度、衬底温度和衬底偏压，在玻璃衬底上制备了一种铜纳米线/铜膜复合结构。本发明所提供的铜纳米线/铜膜复合结构中，铜纳米线表面光滑、径向粗细均匀，长度为0.1～5mm、直径为100～500nm，铜膜的厚度为50～100nm。而且，铜纳米线平行于铜膜表面、镶嵌在厚度比铜纳米线直径还小的铜膜中。本发明在金属铜膜表面镶嵌了亚波长的铜纳米线，这在与表面等离子体相关的领域可能具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN102965728A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210525168.5
申请日：2012-12-10
Applicant: 常州大学
IPC: C30B29/18
Abstract: 本发明公布一种单层二维光子晶体的制备方法，属于晶体生长技术领域。所涉及的单层二维光子晶体的制备方法，其制作技术特征在于：在平行于容器底部的基板上加上一个辅助斜面体使该辅助斜面体与基板之间形成一定的未被占据的空间，存在于悬浊液里的胶体球在重力和毛细现象的双重作用下能够逐个进入该未被占据的空间并自组装成结构致密的单层二维光子晶体。所述制备方法的设备结构特征在于至少由一个辅助斜面体，一个表面平整的基板，一份悬浊液和一个容器组成。本发明的制备工艺简单，经济适用，结果重复性好。
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公开(公告)号：CN110844879A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911111539.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法，将纳米线分散到具有多孔薄膜结构的透射电镜（TEM）样品上，之后放入TEM中，选取自由端突出到多孔薄膜孔洞中的纳米线片段，在TEM的观察下按“纳米线削尖—纳米线弯钩—纳米线键合”工艺进行键合处理。本发明利用透射电镜中高能电子束有针对性辐照，实现了非晶纳米线的削尖、弯钩，并最终与多孔薄膜高质量键合在一起，具有原位、灵活可操控、高精度、低温键合等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110592548A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201911010620.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种绒面化CuO复合结构薄膜及其制备方法，选取表面具有绒面结构的Si片作为衬底放入磁控溅射镀膜设备，并将Si片衬底为绒面结构的一侧对准铜靶放置，同时施加直流衬底偏压，在真空腔室中进行溅射，在Si片表面沉积一层具有复合结构的CuO薄膜。本发明通过利用Si片表面的金字塔状绒面结构，由于受到了尖端集电效应的作用，从而使得材料原子在Si片金字塔状绒面上不同位置具有不同的沉积速率，得到各个位置膜厚、均匀度各不相同的复合结构的CuO薄膜，从而增加CuO薄膜性能的多样性，便于其应用在有多方面要求的环境中。
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公开(公告)号：CN108707944A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810585674.0
申请日：2018-06-06
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及一种多孔阳极氧化铝模板的制备方法。解决了传统多孔阳极氧化铝的孔洞排列方式单一和非传统多孔阳极氧化铝制备成本高昂，制备复杂而不适于大面积生产的技术问题。该制备方法包括：清洗铝箔并进行电化学抛光处理；将传统多孔阳极氧化铝作为压印印章，通过机械压印的方法，在铝箔表面形成六角密堆排列的三维纳米凸起图案；将表面印有六角密堆排列的三维纳米凸起图案的铝箔置于酸性电解液中进行氧化，从而得到表面具有六角密堆排列的三维纳米凸起的多孔阳极氧化铝模板。该制备方法具有成本低，实施简单，适于大面积生产等优点，有望被用于批量生产新型多孔阳极氧化铝模板。
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公开(公告)号：CN104651790A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510076766.2
申请日：2015-02-12
Applicant: 常州大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种金属电阻率Cu/Cu2O半导体弥散复合薄膜及其制备方法，目的是提供一种具有金属级电阻率和太阳窗口半导体带隙的Cu/Cu2O弥散复合薄膜及其制备方法。本发明采用平衡磁控溅射镀膜系统，通过直流物理溅射高纯铜靶，在玻璃衬底上沉积了Cu/Cu2O弥散复合薄膜，并通过控制衬底偏压来调节复合薄膜的电阻率和禁带宽度。本发明工艺简单，操作方便，成本降低。本发明制备的Cu/Cu2O弥散复合薄膜，具有大面积、均匀和表面平整等特点，其电阻率为(5.23～9.98)×10-5Ω·cm，禁带宽度为(2.23～2.47)eV，同时具有金属和半导体双重特性，在太阳能电池、电极材料和光催化等领域具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN103014626B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210544649.0
申请日：2012-12-17
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔铜（NPC）薄膜的制备方法，目的是提供包括一种多孔的三棱柱状结构和一种双连续的“三角韧带–孔道”结构在内的NPC薄膜的磁控溅射制备方法。本发明利用射频平衡磁控溅射镀膜系统，以绝缘载玻片为间接衬底，先在载玻片上沉积一层具有粗糙表面的金属铜薄膜作直接衬底，然后施加衬底负偏压，利用尖端集电原理诱使入射铜原子在直接衬底上进行选择性优先沉积，从而获得各向异性的NPC薄膜。本发明制备的NPC薄膜的形貌取决于直接衬底铜膜的形貌，通过控制衬底的形貌能够可控地制备不同结构的NPC薄膜，具有工艺简单、大面积、均匀性好、各向异性等优点，在太阳能薄膜电池、催化、传感器、生物探测等领域具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN102856141A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210256049.4
申请日：2012-07-24
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及用于场发射材料的一维纳米材料，特指一种原位氧化提高硅纳米线阵列场发射性能的方法。本发明的技术方案是采用无电化学腐蚀法制备Si纳米线阵列，然后采用原位部分氧化法将Si纳米线阵列转化为SiOx包覆的Si纳米线芯壳结构阵列，由于SiOx具有较低的电子亲和势(0.6-0.8eV)，所以可有效增强Si纳米线阵列的场发射性能，而且SiOx还可作为Si纳米线阵列的保护层，提高Si纳米线阵列的场发射稳定性。
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