公开(公告)号：CN114430852A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202080066587.X

申请日：2020-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山田恭太郎 ,  鹤泽俊浩 ,  待永广宣 ,  拜师基希 ,  上田惠梨

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C23C14/34

Abstract: 透明导电膜3具有多晶31。多晶31具有晶粒32。晶粒32的最大费雷特直径的平均值Df为160nm～400nm。

公开(公告)号：CN110741744B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201880039425.X

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/082 ,  B32B15/20 ,  B32B9/04 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/30 ,  B32B27/36 ,  B32B7/025 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B33/00

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)具有200～600Ω/□的薄层电阻。在对电阻层(20)进行将电阻层(20)在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，浸渍处理前的电阻层(20)的薄层电阻与浸渍处理后的电阻层(20)的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□。

公开(公告)号：CN110771273A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880039281.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  B32B9/04

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)、和导电层(30)。电阻层(20)配置于电介质层(10)的一个主面。导电层(30)配置于电介质层(10)的另一主面、具有比电阻层(20)的薄层电阻低的薄层电阻。电阻层(20)包含铟氧化物作为主成分并且具有多晶结构、具有260～500Ω/□的薄层电阻及5×10-4Ω·cm以上的电阻率。

公开(公告)号：CN110741744A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201880039425.X

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/082 ,  B32B15/20 ,  B32B9/04 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/30 ,  B32B27/36 ,  B32B7/025 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B33/00

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)和导电层(30)。电阻层(20)设置在电介质层(10)的一个主表面上。导电层(30)设置在电介质层(10)的另一个主表面上，具有比电阻层(20)的薄层电阻更低的薄层电阻。电阻层(20)具有200～600Ω/□的薄层电阻。在对电阻层(20)进行将电阻层(20)在5重量％的NaOH水溶液中浸渍5分钟的浸渍处理的情况下，浸渍处理前的电阻层(20)的薄层电阻与浸渍处理后的电阻层(20)的薄层电阻之差的绝对值小于100Ω/□。