公开(公告)号：CN106460153B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201580022929.7

申请日：2015-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚 ,  加藤大贵 ,  待永广宣 ,  佐佐和明 ,  上田惠梨 ,  松田知也 ,  川上梨惠

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。

公开(公告)号：CN110771273B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201880039281.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山形一斗 ,  待永广宣 ,  武田雄希 ,  上田惠梨 ,  请井博一 ,  宇井丈裕

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  B32B9/04

Abstract: 电磁波吸收体(1)具备电介质层(10)、电阻层(20)、和导电层(30)。电阻层(20)配置于电介质层(10)的一个主面。导电层(30)配置于电介质层(10)的另一主面、具有比电阻层(20)的薄层电阻低的薄层电阻。电阻层(20)包含铟氧化物作为主成分并且具有多晶结构、具有260～500Ω/□的薄层电阻及5×10‑4Ω·cm以上的电阻率。

公开(公告)号：CN105492653B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201580001716.6

申请日：2015-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚 ,  加藤大贵 ,  待永广宣 ,  佐佐和明 ,  上田惠梨 ,  松田知也

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且2.8×10‑4Ω·cm以下。

公开(公告)号：CN110494778A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880020827.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中西阳介 ,  上田惠梨 ,  待永广宣 ,  大森裕

IPC: G02B5/22 ,  G02B1/14 ,  G02B5/26 ,  E06B3/70

Abstract: 提供一种热射线反射透光性基材，具有：透光性基材；表面硬化层，配置在所述透光性基材的一个表面上；及透明导电性氧化物层，配置在所述表面硬化层上，并含有透明导电性氧化物。

公开(公告)号：CN105492653A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201580001716.6

申请日：2015-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚 ,  加藤大贵 ,  待永广宣 ,  佐佐和明 ,  上田惠梨 ,  松田知也

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。

公开(公告)号：CN118805082A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202380024879.0

申请日：2023-03-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 上田惠梨 ,  渡部结奈 ,  拜师基希

IPC: G01N27/30 ,  C23C14/06

Abstract: 电极(1)朝向厚度方向的一侧依次具备基材膜(2)、金属基底层(3)和导电性碳层(4)。金属基底层(3)中，由下式[1]求出的氧的比例R以原子换算计为32％以下。R＝100×[X1/(X0+X1)][1]X1：金属基底层3中的氧的原子比例(原子％)X0：金属基底层3中的金属材料的原子比例(原子％)。

公开(公告)号：CN110462463A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020695.6

申请日：2018-03-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中西阳介 ,  上田惠梨 ,  待永广宣 ,  大森裕

IPC: G02B5/22 ,  B32B7/023 ,  B32B9/00 ,  G02B1/14

Abstract: 提供一种热射线透射抑制透光性基材，具有：透光性日射消减单元，对可视光和近红外光的波长范围内的至少一部分的波长范围的光的透射进行抑制；及透明导电性氧化物层，配置在所述透光性日射消减单元上，并含有透明导电性氧化物。

公开(公告)号：CN106460153A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580022929.7

申请日：2015-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  梨木智刚 ,  加藤大贵 ,  待永广宣 ,  佐佐和明 ,  上田惠梨 ,  松田知也 ,  川上梨惠

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。

公开(公告)号：CN117157560A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280026381.3

申请日：2022-03-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高见佳史 ,  上田惠梨 ,  远藤宽也 ,  横井辽太郎

IPC: G02B1/14

Abstract: 光学层叠体(100)包含在薄膜基材(10)上具备硬涂层(11)的硬涂薄膜(1)、和与硬涂层(11)接触的无机薄膜(5)。硬涂层(11)包含无机微粒，在与无机薄膜(5)的界面附近，无机微粒的粒径与硬涂层整体相比相对较大、或无机微粒的含量与硬涂层整体相比相对较大。光学层叠体的硬度高，无机薄膜的密合性优异，且具有良好的操作性。

公开(公告)号：CN116547869A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180080981.3

申请日：2021-11-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中西阳介 ,  上田惠梨 ,  待永广宣

IPC: H01Q17/00

Abstract: 电波吸收体(1a)具备电阻层(10)、反射体30以及电介质层(20)。电阻层(10)包含多层碳纳米管(11)。此外，电阻层(10)具有1.5Ω·cm以下的电阻率。反射体(30)反射电波。电介质层(20)在电阻层(10)的厚度方向上配置于电阻层和反射体之间。