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公开(公告)号：CN110198995A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007439.3
申请日：2018-01-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D125/08 , B05D7/24 , C08F287/00 , C08L53/00 , H01L21/027
Abstract: 提供一种自组装化膜形成用组合物，其用于使得即使在会发生嵌段共聚物的微相分离的排列不良那样的高的加热温度下，也在涂布膜整面使包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导。一种自组装化膜形成用组合物，是包含嵌段共聚物、和作为溶剂的沸点不同的至少2种溶剂的自组装化膜形成用组合物，上述嵌段共聚物为使以来源于苯乙烯或其衍生物或丙交酯的结构作为结构单元的不含硅聚合物、与以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元的含硅聚合物结合了的嵌段共聚物，上述溶剂包含沸点为160℃以下的低沸点溶剂(A)、和沸点为170℃以上的高沸点溶剂(B)。
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公开(公告)号：CN114746468B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
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公开(公告)号：CN113795532A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033637.4
申请日：2020-05-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/40 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有脂肪族环的聚合物，且进一步包含有机溶剂，所述脂肪族环的碳‑碳键可以被杂原子中断并且所述脂肪族环可以经取代基取代。上述脂肪族环为碳原子数3～10的单环式或多环式脂肪族环。上述多环式脂肪族环为二环或三环。
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公开(公告)号：CN110198995B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201880007439.3
申请日：2018-01-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D125/08 , B05D7/24 , C08F287/00 , C08L53/00 , H01L21/027
Abstract: 提供一种自组装化膜形成用组合物，其用于使得即使在会发生嵌段共聚物的微相分离的排列不良那样的高的加热温度下，也在涂布膜整面使包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导。一种自组装化膜形成用组合物，是包含嵌段共聚物、和作为溶剂的沸点不同的至少2种溶剂的自组装化膜形成用组合物，上述嵌段共聚物为使以来源于苯乙烯或其衍生物或丙交酯的结构作为结构单元的不含硅聚合物、与以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元的含硅聚合物结合了的嵌段共聚物，上述溶剂包含沸点为160℃以下的低沸点溶剂(A)、和沸点为170℃以上的高沸点溶剂(B)。
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公开(公告)号：CN112789556A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064842.4
申请日：2019-10-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/22 , C08G59/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和有机溶剂，上述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构。(在上述式(1)和式(2)中，X为2价有机基，A为碳原子数6～40的芳基，R1为卤原子、碳原子数1～40的烷基或碳原子数1～40的烷氧基，R2和R3各自独立地为氢原子、可以被取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或卤原子，n1和n3各自独立地为整数1～12，n2为整数0～11。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111492312A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880082023.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物、以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异、并可以通过干蚀刻迅速除去的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN111492311B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201880081945.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F8/14 , C08F24/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：分子内包含至少1个缩醛结构的化合物、或其聚合物；以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN112771091B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201980047679.0
申请日：2019-07-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08F297/02 , C08F212/14 , C08F220/18 , C08F222/40 , C08F230/08 , H01L21/3065
Abstract: 提供用于使包含嵌段共聚物的层的、更微细的微相分离结构相对于基板垂直诱导的自组装化膜形成用组合物。此外，提供利用了那样的组合物的嵌段共聚物的相分离图案制造方法以及半导体装置的制造方法。一种自组装化膜形成用组合物，其包含嵌段共聚物和溶剂，其用于在基板上形成嵌段共聚物层的相分离结构，上述嵌段共聚物为使不含硅聚合物与下述含硅聚合物结合而成的嵌段共聚物，所述含硅聚合物以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元，上述不含硅聚合物包含来源于下述式(1‑1)或式(1‑2)的结构，上述含硅基团包含1个硅原子。(在式(1‑1)或式(1‑2)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1～10烷基，R3～R5各自独立地表示氢原子、羟基、卤原子、碳原子数1～10烷基、碳原子数1～10烷氧基、氰基、氨基、酰胺基或羰基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114761876A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080083998.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 作为能够减少来源于低聚物等低分子量成分的升华物的生成量的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，例如，提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有由下述式(1‑1)所表示的重复单元的聚合物和有机溶剂，且上述聚合物中的重均分子量为1000以下的低分子量成分的含量为10质量％以下。
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公开(公告)号：CN112771091A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980047679.0
申请日：2019-07-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08F297/02 , C08F212/14 , C08F220/18 , C08F222/40 , C08F230/08 , H01L21/3065
Abstract: 提供用于使包含嵌段共聚物的层的、更微细的微相分离结构相对于基板垂直诱导的自组装化膜形成用组合物。此外，提供利用了那样的组合物的嵌段共聚物的相分离图案制造方法以及半导体装置的制造方法。一种自组装化膜形成用组合物，其包含嵌段共聚物和溶剂，其用于在基板上形成嵌段共聚物层的相分离结构，上述嵌段共聚物为使不含硅聚合物与下述含硅聚合物结合而成的嵌段共聚物，所述含硅聚合物以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元，上述不含硅聚合物包含来源于下述式(1‑1)或式(1‑2)的结构，上述含硅基团包含1个硅原子。(在式(1‑1)或式(1‑2)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1～10烷基，R3～R5各自独立地表示氢原子、羟基、卤原子、碳原子数1～10烷基、碳原子数1～10烷氧基、氰基、氨基、酰胺基或羰基。)
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