用于形成微细相分离图案的自组装化膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN110198995A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201880007439.3

    申请日:2018-01-16

    Abstract: 提供一种自组装化膜形成用组合物,其用于使得即使在会发生嵌段共聚物的微相分离的排列不良那样的高的加热温度下,也在涂布膜整面使包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导。一种自组装化膜形成用组合物,是包含嵌段共聚物、和作为溶剂的沸点不同的至少2种溶剂的自组装化膜形成用组合物,上述嵌段共聚物为使以来源于苯乙烯或其衍生物或丙交酯的结构作为结构单元的不含硅聚合物、与以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元的含硅聚合物结合了的嵌段共聚物,上述溶剂包含沸点为160℃以下的低沸点溶剂(A)、和沸点为170℃以上的高沸点溶剂(B)。

    用于形成微细相分离图案的自组装化膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN110198995B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN201880007439.3

    申请日:2018-01-16

    Abstract: 提供一种自组装化膜形成用组合物,其用于使得即使在会发生嵌段共聚物的微相分离的排列不良那样的高的加热温度下,也在涂布膜整面使包含嵌段共聚物的层的微相分离结构相对于基板垂直诱导。一种自组装化膜形成用组合物,是包含嵌段共聚物、和作为溶剂的沸点不同的至少2种溶剂的自组装化膜形成用组合物,上述嵌段共聚物为使以来源于苯乙烯或其衍生物或丙交酯的结构作为结构单元的不含硅聚合物、与以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元的含硅聚合物结合了的嵌段共聚物,上述溶剂包含沸点为160℃以下的低沸点溶剂(A)、和沸点为170℃以上的高沸点溶剂(B)。

    抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法

    公开(公告)号:CN112789556A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201980064842.4

    申请日:2019-10-01

    Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含聚合物和有机溶剂,上述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构。(在上述式(1)和式(2)中,X为2价有机基,A为碳原子数6~40的芳基,R1为卤原子、碳原子数1~40的烷基或碳原子数1~40的烷氧基,R2和R3各自独立地为氢原子、可以被取代的碳原子数1~10的烷基、碳原子数6~40的芳基或卤原子,n1和n3各自独立地为整数1~12,n2为整数0~11。)

    具有二醇结构的保护膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN111492312A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201880082023.8

    申请日:2018-12-20

    Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其包含分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物、以及溶剂,其是在半导体制造中的光刻工艺中,用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异、并可以通过干蚀刻迅速除去的保护膜的组合物,并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。

    用于形成微细相分离图案的嵌段共聚物层形成用组合物

    公开(公告)号:CN112771091B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN201980047679.0

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 提供用于使包含嵌段共聚物的层的、更微细的微相分离结构相对于基板垂直诱导的自组装化膜形成用组合物。此外,提供利用了那样的组合物的嵌段共聚物的相分离图案制造方法以及半导体装置的制造方法。一种自组装化膜形成用组合物,其包含嵌段共聚物和溶剂,其用于在基板上形成嵌段共聚物层的相分离结构,上述嵌段共聚物为使不含硅聚合物与下述含硅聚合物结合而成的嵌段共聚物,所述含硅聚合物以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元,上述不含硅聚合物包含来源于下述式(1‑1)或式(1‑2)的结构,上述含硅基团包含1个硅原子。(在式(1‑1)或式(1‑2)中,R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1~10烷基,R3~R5各自独立地表示氢原子、羟基、卤原子、碳原子数1~10烷基、碳原子数1~10烷氧基、氰基、氨基、酰胺基或羰基。)#imgabs0#

    用于形成微细相分离图案的嵌段共聚物层形成用组合物

    公开(公告)号:CN112771091A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN201980047679.0

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 提供用于使包含嵌段共聚物的层的、更微细的微相分离结构相对于基板垂直诱导的自组装化膜形成用组合物。此外,提供利用了那样的组合物的嵌段共聚物的相分离图案制造方法以及半导体装置的制造方法。一种自组装化膜形成用组合物,其包含嵌段共聚物和溶剂,其用于在基板上形成嵌段共聚物层的相分离结构,上述嵌段共聚物为使不含硅聚合物与下述含硅聚合物结合而成的嵌段共聚物,所述含硅聚合物以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元,上述不含硅聚合物包含来源于下述式(1‑1)或式(1‑2)的结构,上述含硅基团包含1个硅原子。(在式(1‑1)或式(1‑2)中,R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1~10烷基,R3~R5各自独立地表示氢原子、羟基、卤原子、碳原子数1~10烷基、碳原子数1~10烷氧基、氰基、氨基、酰胺基或羰基。)

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