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公开(公告)号：CN101605732B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200880000318.2
申请日：2008-11-28
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57
Abstract: 一种石英玻璃坩埚的制造方法，是基于旋转模塑法的制造石英玻璃坩埚的方法，其特征在于，将电极设置在相对于模中心线偏离的位置而进行电弧熔融，通过该偏心电弧，将坩埚的直体部、弯曲部以及底部的熔融中的玻璃温度的差控制在300℃以下，将该直体部以及底部的透明层的层厚控制在为弯曲部的透明层的层厚的70％至120％。
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公开(公告)号：CN101296864B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200680040256.9
申请日：2006-10-25
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C01B33/18 , B01J8/1836 , B01J8/42 , B01J2208/00407 , B01J2208/00415 , B03C1/288 , B03C1/30 , B03C1/32 , B03C2201/16 , B03C2201/18 , C03C1/02
Abstract: 本发明提供二氧化硅颗粒的纯化方法，该纯化方法是使二氧化硅颗粒形成流动状态、在高温下使纯化用气体与流动状态的二氧化硅颗粒接触，除去二氧化硅颗粒的杂质成分的纯化方法，其中，使流动状态的二氧化硅颗粒位于磁场区域内，优选使流动状态的二氧化硅颗粒位于10高斯以上的磁场区域内，在1000℃以上的温度下与纯化用气体接触，由此可以在比以往的气体纯化方法的平均处理温度低的1000℃～1300℃的温度下获得高的纯化效果。
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公开(公告)号：CN101857969A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010143526.7
申请日：2010-03-25
Applicant: 日本超精石英株式会社
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002
Abstract: 本发明提供一种石英玻璃坩埚，其可以在短时间内熔融硅原料，且可以借由不透明石英玻璃层随时间经过的状态变化而使硅单晶的制造良率提高。本发明的石英玻璃坩埚包括：设置在外表面侧的含有多个气泡的不透明石英玻璃层11、及设置在内表面侧的实质上不含气泡的透明石英玻璃层12。不透明石英玻璃层11所含的气泡的直径分布为：具有10～30μm的直径的气泡为10％以上且小于30％，具有40～90μm的直径的气泡为40％以上且小于80％，具有90μm以上的直径的气泡为10％以上且小于30％。不透明石英玻璃层11中的相对较小的气泡从提拉步骤的初期阶段起即有助于坩埚的传热性，相对较大的气泡借由经过长时间的提拉步骤而膨胀，在提拉步骤的后半期大大有助于坩埚的保温性。
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公开(公告)号：CN1316074C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200310102907.0
申请日：2003-10-22
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C30B35/002 , G01N33/386 , Y10S117/90 , Y10T117/1004 , Y10T117/1032 , Y10T428/131 , Y10T428/1314
Abstract: 提供了一种用于容纳在石英玻璃坩埚内的熔硅表面处的振动级的评估工艺，所述工艺包括将从石英玻璃坩埚中切下的石英玻璃试样放在真空炉中，熔融所述玻璃试样上的少量硅，并测量熔硅的振动周期。而且，还提供了一种不会在容纳于石英玻璃坩埚内的熔硅表面处引起振动的石英玻璃坩埚，其中坩埚内壁的石英玻璃的振动周期控制在超过1/6秒。
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公开(公告)号：CN102471926B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080037429.8
申请日：2010-08-20
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C04B41/5022 , C03B5/025 , C03B19/02 , C03B19/09 , C03B19/095 , C03C17/004 , C03C17/02 , C03C2217/213 , C03C2218/13 , C03C2218/17 , C04B35/185 , C04B41/009 , C04B41/86 , C04B2235/6027 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032 , C04B41/4527
Abstract: 提供适用于耐热强度高且长时间的提拉，并且能以低成本制造的坩埚及其制造方法。复合坩埚(10)具有以氧化铝和氧化硅作为主成分的莫来石所构成的坩埚本体(11)以及形成于坩埚本体(11)的内表面侧的透明氧化硅玻璃层(12)，作为坩埚的基本材料使用莫来石(3Al2O3·2SiO2)，透明氧化硅玻璃层(12)的厚度比坩埚本体(11)的厚度薄。坩埚本体(11)能根据粉浆滑浇铸法来形成，透明氧化硅玻璃层(12)能根据喷涂法来形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102531342B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201110392625.3
申请日：2011-12-01
Applicant: 日本超精石英株式会社
IPC: C03B19/09
CPC classification number: C03B19/095
Abstract: 本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚制造装置，该氧化硅玻璃坩埚制造装置具有既可移动且能调整电弧放电产生的加热温度的电极，又能缩小间隔壁的通孔与插入该通孔的电极间之间隙的结构。在旋转模具10上方设置板状的间隔壁15，用于加热熔化的电极13插入在贯穿间隔壁15厚方向的通孔16，且向旋转模具10延伸而设置，在间隔壁15上设置使电极13在虚拟摆动轴P周围摆动的摆动单元40，虚拟摆动轴P通过所述通孔16的内部。
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公开(公告)号：CN102575381A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080040012.7
申请日：2010-08-20
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明提供一种在单晶硅提拉中的高温下抑制发生沉入现象的氧化硅玻璃坩埚及其制造方法。氧化硅玻璃坩埚(10)具有：设置在坩埚外表面侧的含有多个气泡的不透明氧化硅玻璃层(11)，以及设置在坩埚内表面侧的透明氧化硅玻璃层(12)，其中，不透明氧化硅玻璃层(11)包括设置在坩埚上部的第一不透明氧化硅玻璃部分(11a)和设置在坩埚下部的第二不透明氧化硅玻璃部分(11b)。第二不透明氧化硅玻璃部分(11b)的比重是1.7～2.1，第一不透明氧化硅玻璃部分的比重是1.4～1.8，第一不透明氧化硅玻璃部分的比重小于第二不透明氧化硅玻璃部分的比重。第一不透明氧化硅玻璃部分(11a)相较于第二不透明氧化硅玻璃部分(11b)，其原料氧化硅粉的粒度分布宽，并且，含有更多微粉。
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公开(公告)号：CN101624721A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810210350.5
申请日：2008-07-10
Applicant: 日本超精石英株式会社 , 胜高股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于硅单晶提拉的石英玻璃坩埚，是将非晶质二氧化硅结晶化而成的结晶二氧化硅的面积抑制在坩埚面积的10％以下，将坩埚内表面的开气泡产生的凹部的密度限制在0.01～0.2count/mm 2 的石英玻璃坩埚，以及提供使用该石英坩埚，将坩埚内表面的熔损速度抑制在20μm/hr以下进行硅单晶的提拉，由此防止气孔的方法。
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公开(公告)号：CN101316953A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044333.8
申请日：2006-11-27
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C30B29/06 , C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明通过在除坩埚底部的坩埚直体部分形成在石英玻璃层内部夹有含铝等结晶促进成分的层的结构，在硅单晶提拉时，可促进该部分的结晶，高温下的坩埚强度提高，因此，不会发生坩埚直体部分的变形或内倒。从而可以提高硅单晶的结晶速率。另外，结晶促进层被夹在石英玻璃层内部，铝或钡等结晶促进成分不与硅熔融液或碳基座接触，不会由于它们的溶出而发生污染。并且，结晶促进层未设在坩埚底部，因此没有提拉结束时热应变导致发生龟裂的危险性，不会发生漏液。
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公开(公告)号：CN101296864A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680040256.9
申请日：2006-10-25
Applicant: 日本超精石英株式会社
IPC: C01B33/18
CPC classification number: C01B33/18 , B01J8/1836 , B01J8/42 , B01J2208/00407 , B01J2208/00415 , B03C1/288 , B03C1/30 , B03C1/32 , B03C2201/16 , B03C2201/18 , C03C1/02
Abstract: 本发明提供二氧化硅颗粒的纯化方法，该纯化方法是使二氧化硅颗粒形成流动状态、在高温下使纯化用气体与流动状态的二氧化硅颗粒接触，除去二氧化硅颗粒的杂质成分的纯化方法，其中，使流动状态的二氧化硅颗粒位于磁场区域内，优选使流动状态的二氧化硅颗粒位于10高斯以上的磁场区域内，在1000℃以上的温度下与纯化用气体接触，由此可以在比以往的气体纯化方法的平均处理温度低的1000℃～1300℃的温度下获得高的纯化效果。
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