公开(公告)号：CN1144016A

公开(公告)日：1997-02-26

申请号：CN95192144.4

申请日：1995-03-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 福富直树 ,  坪松良明 ,  井上文男 ,  山崎聪夫 ,  大畑洋人 ,  萩原伸介 ,  田口矩之 ,  野村宏

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/203 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/20 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种能适应半导体高度集成化的半导体组件基片。在电解铜箔上镀镍层，形成配线，在铜箔上装配LSI芯片，由引线连接LSI端子与配线，并采用环氧树脂密封半导体。用碱腐蚀方法溶解只除去铜箔，露出镍层，在对铜溶解性小的镍剥离液中除去镍层，使配线露出。涂敷焊料保护层，设置图形并使连接端子露出，在该配线露出处溶融配置焊料球，通过焊料球与外部配线板连接。