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公开(公告)号：CN1516251A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03137862.5
申请日：1995-03-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/4803 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/16237 , H01L2224/2919 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/83102 , H01L2224/8319 , H01L2224/83385 , H01L2224/8381 , H01L2224/8385 , H01L2224/85001 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15183 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/203 , H01L2924/351 , H05K3/20 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明涉及半导体组件的制造方法及半导体组件，该半导体元件装载用基板具有绝缘性支撑体和在该支撑体的单面上形成的多条配线，其特征在于，具有：在上述绝缘性支撑体的表面上形成多组半导体元件装载区域和该半导体装载区域的外侧的树脂密封用半导体封装区域的工序；在上述半导体封装区域中形成金属线焊接端子、且在上述半导体元件装载区域中形成外部连接端子、且形成将该金属线焊接端子和该外部连接端子串接在一起的上述配线的配线形成工序，以及在形成上述外部连接端端子的地方的上述绝缘性支撑体上形成到达上述外部连接端子的开口部的开口部形成工序。
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公开(公告)号：CN102124145A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132110.0
申请日：2009-06-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H05K3/384 , H05K3/385 , H05K2203/0315 , H05K2203/1157 , Y10T29/49982 , Y10T428/12438 , Y10T428/12771 , Y10T428/24917 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的课题在于提供通过铜的表面处理不会形成超过1μm的凹凸、确保铜表面与绝缘层的粘接强度、可提高配线间的绝缘可靠性的铜的表面处理方法及铜。为了解决该课题通过具有以下工序的方法实施铜的表面处理：在铜表面上离散地形成与铜相比的贵金属的工序；之后使用含氧化剂的碱性溶液对上述铜表面进行氧化处理的工序；将上述氧化铜溶解后去的工序。
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公开(公告)号：CN101137768A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007928.6
申请日：2006-03-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种通过铜的表面处理，不会形成超过1μm的凹凸并可确保铜表面与绝缘层的粘接强度，可提高配线间的绝缘可靠性的铜的表面处理方法及铜；为了解决此课题，提供包括将比铜更惰性的金属离散形成于铜表面的工序，以及其后将所述铜表面用含有氧化剂的碱性溶液进行氧化处理的工序的铜的表面处理方法，以及通过该方法被实施了表面处理的铜。
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公开(公告)号：CN104988503A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510493175.5
申请日：2009-06-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H05K3/384 , H05K3/385 , H05K2203/0315 , H05K2203/1157 , Y10T29/49982 , Y10T428/12438 , Y10T428/12771 , Y10T428/24917 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的课题在于提供通过铜的表面处理不会形成超过1μm的凹凸、确保铜表面与绝缘层的粘接强度、可提高配线间的绝缘可靠性的铜的表面处理方法及铜。为了解决该课题通过具有以下工序的方法实施铜的表面处理：在铜表面上离散地形成与铜相比的贵金属的工序；之后使用含氧化剂的碱性溶液对上述铜表面进行氧化处理的工序；将上述氧化铜溶解后去的工序。
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公开(公告)号：CN101137768B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200680007928.6
申请日：2006-03-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种通过铜的表面处理，不会形成超过1μm的凹凸并可确保铜表面与绝缘层的粘接强度，可提高配线间的绝缘可靠性的铜的表面处理方法及铜；为了解决此课题，提供包括将比铜更惰性的金属离散形成于铜表面的工序，以及其后将所述铜表面用含有氧化剂的碱性溶液进行氧化处理的工序的铜的表面处理方法，以及通过该方法被实施了表面处理的铜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1235700A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN97199380.7
申请日：1997-10-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在本发明的芯片支持基片中,把绝缘性膜状粘接构件帐篷状地贴到布线上边,设有与通气孔相连的空隙。若用该芯片支持基片,则由于不损害通气孔的功能,而且,在软化时从绝缘性膜状粘接构件中发生的气体和水蒸气,还可以确实地放出到封装外边,故可以防止封装产生裂缝,可以制造可靠性高的小型半导体封装。
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公开(公告)号：CN100499968C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN02826115.1
申请日：2002-12-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H05K3/4617 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K3/0097 , H05K3/06 , H05K3/244 , H05K3/4038 , H05K3/4623 , H05K3/4632 , H05K3/4647 , H05K2201/0141 , H05K2201/0195 , H05K2201/0355 , H05K2201/0361 , H05K2201/096 , H05K2201/10378 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/0384 , H05K2203/0733 , H05K2203/1536 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49147 , Y10T29/49165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的特征在于，由形成1或2以上的层的绝缘树脂组合物层(121)和至少在连接导体电路(103)的地方按照沿厚度方向贯穿那样形成的连接用导体(13)构成，并提供具有上述特征的连接基片及使用该连接基片的多层布线板和半导体插件用基片和半导体插件、以及制造它们的方法。
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公开(公告)号：CN1608399A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02826115.1
申请日：2002-12-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H05K3/4617 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K3/0097 , H05K3/06 , H05K3/244 , H05K3/4038 , H05K3/4623 , H05K3/4632 , H05K3/4647 , H05K2201/0141 , H05K2201/0195 , H05K2201/0355 , H05K2201/0361 , H05K2201/096 , H05K2201/10378 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/0384 , H05K2203/0733 , H05K2203/1536 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49147 , Y10T29/49165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的特征在于，由形成1或2以上的层的绝缘树脂组合物层(121)和至少在连接导体电路(103)的地方按照沿厚度方向贯穿那样形成的连接用导体(13)构成，并提供具有上述特征的连接基片及使用该连接基片的多层布线板和半导体插件用基片和半导体插件、以及制造它们的方法。
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公开(公告)号：CN1146984C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN97199380.7
申请日：1997-10-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在本发明的芯片支持基片中，把绝缘性膜状粘接构件帐篷状地贴到布线上边，设有与通气孔相连的空隙。若用该芯片支持基片，则由于不损害通气孔的功能，而且，在软化时从绝缘性膜状粘接构件中发生的气体和水蒸气，还可以确实地放出到封装外边，故可以防止封装产生裂缝，可以制造可靠性高的小型半导体封装。
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公开(公告)号：CN1117395C
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN95192144.4
申请日：1995-03-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/4803 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/16237 , H01L2224/2919 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/83102 , H01L2224/8319 , H01L2224/83385 , H01L2224/8381 , H01L2224/8385 , H01L2224/85001 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15183 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/203 , H01L2924/351 , H05K3/20 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种能适应半导体高度集成化的半导体组件基片。在电解铜箔上镀镍层，形成配线，在铜箔上装配LSI芯片，由引线连接LSI端子与配线，并采用环氧树脂密封半导体。用碱腐蚀方法溶解只除去铜箔，露出镍层，在对铜溶解性小的镍剥离液中除去镍层，使配线露出。涂敷焊料保护层，设置图形并使连接端子露出，在该配线露出处溶融配置焊料球，通过焊料球与外部配线板连接。
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