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公开(公告)号：CN105551947A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510917152.2
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00
CPC classification number: H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法。本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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公开(公告)号：CN104508830A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038106.4
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种钝化层形成用组合物，其包含通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物、和选自由脂肪酸酰胺、聚亚烷基二醇化合物及有机填料组成的组中的至少1种。M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN104488070A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380037755.2
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , C09K3/00 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其具有：在半导体基板上赋予包含下述通式(I)所表示的化合物的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序、和将上述组合物层在300℃～1000℃下进行热处理而形成钝化层的工序。M(OR1)m(I)[式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基，m表示1～5的整数]。
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公开(公告)号：CN104471715A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380036883.5
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , H01L31/1804
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基；R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
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公开(公告)号：CN104428901A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036463.7
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极，在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层，在p型扩散区域上具有第一金属电极，在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极，在背面具有背面电极，在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一～第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。
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公开(公告)号：CN104319296A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410419013.2
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L21/2255 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种掩模形成用组合物，其含有硅化合物、含碱土金属或碱金属的金属化合物、和分散介质。
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公开(公告)号：CN103650111A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280031501.5
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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公开(公告)号：CN103299400A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280005186.9
申请日：2012-01-11
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/228 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供含有氮化硼、分散介质和无机粘结剂的p型扩散层形成用组合物、具有p型扩散层的硅基板的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103155166A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048985.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN107093550A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610917021.9
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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