公开(公告)号：CN104040701B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201280066119.8

申请日：2012-12-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  织田明博 ,  野尻刚 ,  吉田诚人

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C08K5/56 ,  C09D101/28 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。

公开(公告)号：CN104488069B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201380036945.2

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  吉田诚人 ,  仓田靖 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  早坂刚

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C18/1216 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

公开(公告)号：CN106537559A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038703.6

申请日：2015-07-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩室光则 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，其包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。

公开(公告)号：CN105814665A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480067286.3

申请日：2014-12-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤英一 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/228 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过第一扩散工序和第二扩散工序而在一个半导体基板的不同部位形成n型扩散层和p型扩散层。在第一扩散工序具有将含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质的p型扩散层形成组合物赋予到半导体基板的工序、和通过热处理使受主元素扩散到半导体基板中而形成p型扩散层的工序的情况下，第二扩散工序具有以p型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使磷扩散的工序。可以将第一扩散工序的p型扩散层形成组合物用含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质的n型扩散层形成组合物来代替，此时，在第二扩散工序中，以n型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使硼扩散。

公开(公告)号：CN104969364A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480006954.1

申请日：2014-02-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C09D183/04 ,  C09D183/16 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种阻挡层形成用组合物，其含有：选自通式1：(R1)4-nSi(OR2)n所示的至少一种烷氧基硅烷、聚硅氮烷、以及使所述烷氧基硅烷水解并缩聚而成的硅氧烷树脂中的至少一种含硅化合物；有机粘合剂；和分散介质，所述组合物在25℃下的粘度为1Pa·s～100Pa·s。式中，R1及R2各自独立地表示碳数1～6的脂肪族烃基或芳香族烃基，n表示1～4中任一个整数。在包含2个以上R1或R2的情况下，各R1或各R2可以相同也可以不同。

公开(公告)号：CN103688367A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035335.6

申请日：2012-07-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于，在具有选择性发射极结构的太阳能电池中，抑制电极正下方的n型杂质浓度较高的n+型扩散层与电极间的位置偏差。本发明提供一种太阳能电池基板、一种太阳能电池基板的制造方法、一种太阳能电池元件及一种太阳能电池。所述太阳能电池基板为包括n型扩散层、及比上述n型扩散层的n型杂质浓度高的n+型扩散层，且在上述n+型扩散层的表面具有凹部的半导体基板。

公开(公告)号：CN103688341A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035500.8

申请日：2012-07-17

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN103503121A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021239.6

申请日：2012-05-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也 ,  田中彻

IPC: H01L21/312 ,  C08K3/00 ,  C08L25/18 ,  C08L27/12 ,  C08L71/10 ,  C08L101/02 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L23/293 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28 ,  C08K3/34 ,  C08K5/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。

公开(公告)号：CN105047545B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510323373.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN104488087B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380037776.4

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 服部孝司 ,  松村三江子 ,  滨村浩孝 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  足立修一郎

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种钝化膜，其包含氧化铝、和选自由氧化钒及氧化钽组成的组中的至少1种钒族元素的氧化物，该钝化膜用于具有硅基板的太阳能电池元件。