公开(公告)号：CN105229750A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201380076538.4

申请日：2013-05-13

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  栗原祥晃 ,  加藤隆彦

IPC: H01B1/22 ,  C03C3/074 ,  C03C3/21 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  C03C3/0745 ,  C03C3/21 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的电极形成用组合物含有：含磷铜合金粒子、含锡粒子、含有特定金属元素M[M表示选自Li、Be、Na、Mg、K、Ca、Rb、Sr、Cs、Ba、Fr、Ra、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、Ge、In、Sb、Tl、Pb、Bi和Po中的至少1种]的粒子、玻璃粒子、溶剂和树脂。

公开(公告)号：CN105047545A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510323373.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN104471717A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038010.8

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02013 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种钝化层形成用组合物，其含有通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物和树脂。式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。

公开(公告)号：CN104081517A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280067367.4

申请日：2012-12-11

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/1452 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3444 ,  C08G2261/91 ,  C08L65/00 ,  C08L65/02 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有酸性基的化合物。根据本发明，可以以简便的方法形成具有优异钝化效果的半导体基板用钝化膜。

公开(公告)号：CN104081504A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280066134.2

申请日：2012-12-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  织田明博 ,  野尻刚 ,  吉田诚人

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和树脂的钝化膜形成用组合物。式中，R1分别独立地表示碳原子数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳原子数1～8的烷基。

公开(公告)号：CN104081499A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380005051.7

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也 ,  芦泽寅之助

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其含有：含施主元素化合物；金属化合物，其是与上述含施主元素化合物不同的化合物，且含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素；和分散介质。此外，本发明还提供一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其在半导体基板上赋予上述n型扩散层形成用组合物而形成组合物层，并且对形成有上述组合物层的半导体基板实施热处理，从而制造带n型扩散层的半导体基板。

公开(公告)号：CN104040701A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066119.8

申请日：2012-12-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  织田明博 ,  野尻刚 ,  吉田诚人

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C08K5/56 ,  C09D101/28 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。

公开(公告)号：CN104025306A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201380004639.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  岩室光则

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池用基板的制造方法，其包括：在半导体基板的表面上形成含有金属化合物的掩模层的工序，其中，所述金属化合物含有碱土金属或碱金属；和在上述半导体基板的未形成掩模层的区域形成扩散层的工序。

公开(公告)号：CN104040701B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201280066119.8

申请日：2012-12-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  织田明博 ,  野尻刚 ,  吉田诚人

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C08K5/56 ,  C09D101/28 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。

公开(公告)号：CN103702794B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201280036782.3

申请日：2012-07-25

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 栗原祥晃 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  足立修一郎 ,  加藤隆彦

IPC: B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B23K35/14 ,  C22C9/00 ,  C22C11/06 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L31/05

CPC classification number: C22C9/00 ,  B23K1/0008 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K35/268 ,  B23K2101/38 ,  B23K2101/40 ,  C22C11/06 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L31/0512 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种布线构件，其包含：导电件；和配置于所述导电件的表面的至少一部分区域上，且包含非共晶焊料材料的焊料被覆层。