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公开(公告)号：CN109478459B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201780045978.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明包括：在R－T－B系烧结磁体的表面的涂布区域涂布粘接剂的涂布工序；使由作为重稀土元素RH的Dy和Tb中至少一种的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R－T－B系烧结磁体的表面的涂布区域的附着工序；和在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下的温度进行热处理，使粒度调整粉末所含的重稀土元素RH从R－T－B系烧结磁体的表面扩散到内部的扩散工序。粒度调整粉末的粒度设定为：当将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R－T－B系烧结磁体的整个表面且形成1层颗粒层时，粒度调整粉末所含的重稀土元素RH的量相对于上述R－T－B系烧结磁体以质量比计在0.6～1.5％的范围内。
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公开(公告)号：CN108140481B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201680061177.X
申请日：2016-10-03
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
Abstract: 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括：准备R－T－B系烧结磁体(100)的工序；在使RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni中的1种以上)的粉末和RH氟化物(RH为Dy和/或Tb)的粉末存在于R－T－B系烧结磁体(100)的表面(120)的状态下，在R－T－B系烧结磁体(100)的烧结温度以下进行热处理的工序；将热处理后的R－T－B系烧结磁体的表面(120)在深度方向磨削400μm以下的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，并且RLM合金的熔点为上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH氟化物的粉末以RLM合金﹕RH氟化物＝96﹕4～50﹕50的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。
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公开(公告)号：CN106688065B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201580048790.3
申请日：2015-09-08
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
CPC classification number: H01F41/0293 , B22F1/0003 , B22F3/1017 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F5/00 , B22F7/02 , B22F2003/248 , B22F2301/355 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D9/0068 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , C23C10/30 , H01F1/057 , H01F1/0577 , H01F1/08 , H01F41/02 , B22F1/0011 , B22F1/0059 , B22F2201/10 , C22C1/0416 , C22C1/0425
Abstract: 包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在RLM合金(RL是Nd和/或Pr，M是选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)的粉末和RH化合物(RH是Dy和/或Tb，RH化合物是选自RH氟化物、RH氧化物、RH氧氟化物中的1种或2种以上)的粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金包含65原子％以上的RL，且上述RLM合金的熔点在上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH化合物的粉末以RLM合金：RH化合物＝9.6：0.4～5：5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。
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公开(公告)号：CN108140481A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061177.X
申请日：2016-10-03
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
Abstract: 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括：准备R－T－B系烧结磁体(100)的工序；在使RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni中的1种以上)的粉末和RH氟化物(RH为Dy和/或Tb)的粉末存在于R－T－B系烧结磁体(100)的表面(120)的状态下，在R－T－B系烧结磁体(100)的烧结温度以下进行热处理的工序；将热处理后的R－T－B系烧结磁体的表面(120)在深度方向磨削400μm以下的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，并且RLM合金的熔点为上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH氟化物的粉末以RLM合金﹕RH氟化物＝96﹕4～50﹕50的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。
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公开(公告)号：CN107710360A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680037646.4
申请日：2016-07-15
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
Abstract: 在R-T-B系烧结磁体100的表面形成包含将金属粉末22和金属化合物粉末24进行混合而得的混合粉末和树脂粘合剂20的膏体的涂布膜200。之后，通过热处理，使涂布膜200中的金属成分扩散到烧结磁体100内部。涂布膜200含有在热处理工序后还残存的碳，并且，调整热处理前的涂布膜200的碳含量，使得从残存的碳的含量中减去膏体中所含的混合粉末在所述热处理前的碳含量所得到的值为热处理后的涂布膜200总量的0.07质量％以上0.50质量％以下的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109564819B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201780045654.8
申请日：2017-09-26
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/24 , C21D6/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C38/00 , H01F1/057 , B22F1/00 , B22F3/00 , B22F7/02
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：在R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域涂布粘合剂的涂布工序；使由作为Dy和Tb中的至少一种的Pr－Ga合金的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域的附着工序；和以R－T－B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度进行热处理而使粒度调整粉末所含的Pr－Ga合金从R－T－B系烧结磁体原材料的表面向内部扩散的扩散工序。设定粒度调整粉末的粒度，使得将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R－T－B系烧结磁体原材料的全部表面而形成1层以上3层以下的颗粒层时，粒度调整粉末所含的Ga量相对于上述R－T－B系烧结磁体原材料以质量比计为0.10～1.0％的范围内。
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公开(公告)号：CN107408454B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201680015230.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括在R－T－B系烧结磁体的各自的上表面、下表面和侧面涂布包含重稀土元素RH的金属、合金和/或化合物(RH为Dy和/或Tb)的粉末颗粒的糊剂的工序；和对涂布糊剂后的R－T－B系烧结磁体在烧结温度以下的温度进行热处理的工序。涂布糊剂的工序包括：对于包括具有入口开口部和出口开口部的内部空间且以R－T－B系烧结磁体依次横向通过内部空间的方式结构的涂布器件，依次供给R－T－B系烧结磁体的工序；和在涂布装置的内部空间中填充糊剂，使糊剂与正在内部空间内移动的R－T－B系烧结磁体的上表面、下表面和侧面接触的工序。
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公开(公告)号：CN110299236A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910212614.9
申请日：2019-03-20
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供使R－M合金粉末存在于R－T－B系烧结磁体表面并扩散的方法中能够不降低磁特性地抑制金属聚集发生、还能使粉末不易燃烧而容易处理的制造方法。本发明R－T－B系烧结磁体制造方法包括：准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序；准备R－M(R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者，M为选自Al、Cu、Zn、Ga、Fe、Co、Ni的1种以上)合金粉末的工序；在R－M合金粉末颗粒表面形成平均厚度0.5μm以上3μm以下的R－OH层的工序；将形成R－OH层的R－M合金粉末涂布于R－T－B系烧结磁体原材料的工序；对涂布形成有R－OH层的R－M合金粉末后的R－T－B系烧结磁体原材料进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN109564819A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780045654.8
申请日：2017-09-26
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/24 , C21D6/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C38/00 , H01F1/057 , B22F1/00 , B22F3/00
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：在R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域涂布粘合剂的涂布工序；使由作为Dy和Tb中的至少一种的Pr－Ga合金的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R－T－B系烧结磁体原材料表面的涂布区域的附着工序；和以R－T－B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度进行热处理而使粒度调整粉末所含的Pr－Ga合金从R－T－B系烧结磁体原材料的表面向内部扩散的扩散工序。设定粒度调整粉末的粒度，使得将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R－T－B系烧结磁体原材料的全部表面而形成1层以上3层以下的颗粒层时，粒度调整粉末所含的Ga量相对于上述R－T－B系烧结磁体原材料以质量比计为0.10～1.0％的范围内。
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公开(公告)号：CN109478459A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780045978.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明包括：在R－T－B系烧结磁体的表面的涂布区域涂布粘接剂的涂布工序；使由作为重稀土元素RH的Dy和Tb中至少一种的合金或化合物的粉末形成的粒度调整粉末附着于R－T－B系烧结磁体的表面的涂布区域的附着工序；和在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下的温度进行热处理，使粒度调整粉末所含的重稀土元素RH从R－T－B系烧结磁体的表面扩散到内部的扩散工序。粒度调整粉末的粒度设定为：当将构成粒度调整粉末的粉末颗粒配置于R－T－B系烧结磁体的整个表面且形成1层颗粒层时，粒度调整粉末所含的重稀土元素RH的量相对于上述R－T－B系烧结磁体以质量比计在0.6～1.5％的范围内。
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