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公开(公告)号：CN107710360B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201680037646.4
申请日：2016-07-15
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
Abstract: 在R‑T‑B系烧结磁体100的表面形成包含将金属粉末22和金属化合物粉末24进行混合而得的混合粉末和树脂粘合剂20的膏体的涂布膜200。之后，通过热处理，使涂布膜200中的金属成分扩散到烧结磁体100内部。涂布膜200含有在热处理工序后还残存的碳，并且，调整热处理前的涂布膜200的碳含量，使得从残存的碳的含量中减去膏体中所含的混合粉末在所述热处理前的碳含量所得到的值为热处理后的涂布膜200总量的0.07质量％以上0.50质量％以下的范围。
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公开(公告)号：CN107004499B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201580067653.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在有RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)粉末和RH化合物(RH为Dy和/或Tb，RH化合物为RH氟化物和/或RH氟氧化物)粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，并且上述RLM合金的熔点在上述热处理温度以下。热处理在RLM合金粉末和RH化合物粉末以RLM合金﹕RH化合物＝9.6﹕0.4～5﹕5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体表面的状态下进行。
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公开(公告)号：CN114867572A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080089947.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: B22F9/04 , H01F1/057 , H01F41/02 , C22C38/00 , B22F3/02 , B22F3/10 , C22C33/02 , B22F1/14 , B22F1/05 , B22F3/24
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备平均粒度为10μm以上500μm以下的R－T－B系烧结磁体用合金的粗粉碎粉的工序；向粉碎室被不活泼气体充满的喷射磨装置供给上述粗粉碎粉并对上述粗粉碎粉进行粉碎，得到平均粒度为2.0μm以上4.5μm以下的微粉末的工序；和制作上述微粉末的烧结体的工序，上述不活泼气体被加湿，上述R－T－B系烧结磁体的氧的含量以质量比计为1000ppm以上3500ppm以下。
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公开(公告)号：CN107077964B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201580049212.1
申请日：2015-09-08
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
Abstract: 包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在由雾化法制作的RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)的粉末和RH化合物(RH为Dy和/或Tb)的粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金包含65原子％以上的RL，且上述RLM合金的熔点为上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH化合物的粉末以RLM合金：RH化合物＝9.6：0.4～5：5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。
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公开(公告)号：CN107077964A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049212.1
申请日：2015-09-08
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
Abstract: 包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在由雾化法制作的RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)的粉末和RH化合物(RH为Dy和/或Tb)的粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金包含65原子％以上的RL，且上述RLM合金的熔点为上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH化合物的粉末以RLM合金：RH化合物＝9.6：0.4～5：5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004499A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580067653.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
CPC classification number: H01F41/0253 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F7/008 , B22F7/02 , B22F2998/10 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在有RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)粉末和RH化合物(RH为Dy和/或Tb，RH化合物为RH氟化物和/或RH氟氧化物)粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，并且上述RLM合金的熔点在上述热处理温度以下。热处理在RLM合金粉末和RH化合物粉末以RLM合金﹕RH化合物＝9.6﹕0.4～5﹕5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体表面的状态下进行。
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公开(公告)号：CN107004500B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580067655.3
申请日：2015-12-04
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在有RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)粉末和RH氧化物(RH为Dy和/或Tb)粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，且上述RLM合金的熔点在上述热处理温度以下，热处理在RLM合金粉末和RH氧化物粉末以RLM合金﹕RH氧化物＝9.6﹕0.4～5﹕5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体表面的状态下进行。
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公开(公告)号：CN106415752B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201580022015.0
申请日：2015-04-23
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
IPC: H01F41/02 , B22F1/00 , B22F3/00 , B22F3/24 , C22C33/02 , H01F1/057 , H01F1/08 , C22C28/00 , C22C38/00
CPC classification number: C23C8/72 , B22F1/00 , B22F1/0003 , B22F3/00 , B22F3/12 , B22F3/24 , B22F2003/248 , B22F2301/10 , B22F2301/355 , B22F2301/45 , B22F2998/10 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F41/0266 , H01F41/0293
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁铁的制造方法包括在使RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni中的1种以上)的粉末和RH氟化物(RH为Dy和/或Tb)的粉末存在于R－T－B系烧结磁铁的表面的状态下，在R－T－B系烧结磁铁的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，并且，上述RLM合金的熔点为上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末与RH氟化物的粉末以RLM合金﹕RH氟化物＝96﹕4～5﹕5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁铁的表面的状态下进行。
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公开(公告)号：CN107408454A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015230.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括在R－T－B系烧结磁体的各自的上表面、下表面和侧面涂布包含重稀土元素RH的金属、合金和/或化合物(RH为Dy和/或Tb)的粉末颗粒的糊剂的工序；和对涂布糊剂后的R－T－B系烧结磁体在烧结温度以下的温度进行热处理的工序。涂布糊剂的工序包括：对于包括具有入口开口部和出口开口部的内部空间且以R－T－B系烧结磁体依次横向通过内部空间的方式结构的涂布器件，依次供给R－T－B系烧结磁体的工序；和在涂布装置的内部空间中填充糊剂，使糊剂与正在内部空间内移动的R－T－B系烧结磁体的上表面、下表面和侧面接触的工序。
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公开(公告)号：CN106415752A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580022015.0
申请日：2015-04-23
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 三野修嗣
IPC: H01F41/02 , B22F1/00 , B22F3/00 , B22F3/24 , C22C33/02 , H01F1/057 , H01F1/08 , C22C28/00 , C22C38/00
CPC classification number: C23C8/72 , B22F1/00 , B22F1/0003 , B22F3/00 , B22F3/12 , B22F3/24 , B22F2003/248 , B22F2301/10 , B22F2301/355 , B22F2301/45 , B22F2998/10 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F41/0266 , H01F41/0293
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁铁的制造方法包括在使RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni中的1种以上)的粉末和RH氟化物(RH为Dy和/或Tb)的粉末存在于R－T－B系烧结磁铁的表面的状态下，在R－T－B系烧结磁铁的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，并且，上述RLM合金的熔点为上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末与RH氟化物的粉末以RLM合金﹕RH氟化物＝96﹕4～5﹕5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁铁的表面的状态下进行。
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