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公开(公告)号：CN101517690A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780030843.4
申请日：2007-08-20
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种等离子体显示面板(PDP)。PDP中，要求面板的放电效率或放电延迟等放电特性良好，化学性质也稳定且能省电。该等离子体显示面板具有隔着放电空间相对向的前面基板及背面基板、形成在该前面基板和背面基板中的至少一方的基板上的放电电极、覆盖该放电电极的电介体层、及覆盖该电介体层的保护层，所述保护层包含钙铝石类化合物，在能够充分地俘获二次电子的二次电子俘获收集器电压下，加速电压为600V且使用Ne或Xe作为激励离子时的二次电子发射系数分别为0.05以上。
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公开(公告)号：CN105473518A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045380.9
申请日：2014-08-12
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 提供适合于光通信用纤维的材料的低散射石英玻璃。一种石英玻璃，其假想温度为1000℃以上，且通过正电子湮没寿命法观测到的空隙半径为0.240nm以下。一种石英玻璃的热处理方法，其中，将要进行热处理的石英玻璃保持在1200℃以上且2000℃以下的温度、且30MPa以上的压力的气氛下，接着，进行冷却时，对于1200℃至900℃的温度范围，以40℃/分钟以上的平均降温速度进行冷却。一种石英玻璃的热处理方法，其中，将要进行热处理的石英玻璃保持在1200℃以上且2000℃以下的温度、且140MPa以上的压力的气氛下，接着，进行冷却时，对于1200℃至900℃的温度范围，在140MPa以上的压力的气氛下进行冷却。
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公开(公告)号：CN102549707A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080037548.3
申请日：2010-08-24
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01J61/06 , H01J9/02 , H01J61/067
CPC classification number: H01J61/0677 , H01J9/022 , H01J61/78
Abstract: 本发明涉及一种放电灯用电极，在发射二次电子的电极的至少一部分中具有钙铝石化合物，其中，所述钙铝石化合物的表面进行了等离子体处理。
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公开(公告)号：CN102484031A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037996.3
申请日：2010-08-24
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J61/0675 , H01J9/042 , H01J61/0672
Abstract: 本发明涉及一种电极，其为具有发射热电子的电极主体部的放电灯用电极，其中，所述电极主体部由导电性钙铝石化合物的烧结体构成。
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公开(公告)号：CN101184696B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200680018456.4
申请日：2006-05-30
Applicant: 旭硝子株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: C01F7/164 , C01F7/002 , C01F7/166 , C01P2002/50 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C03C4/14 , C03C10/0036 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/652 , C30B29/22 , C30B33/00 , H01B1/08
Abstract: 提供了不需要高额的设备和复杂的控制的、廉价且大量地制造具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法，以及用该制造方法得到的钙铝石型化合物。它是包括将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca和Al，换算成氧化物的CaO∶Al2O3的摩尔比为12.6∶6.4～11.7∶7.3，且CaO与Al2O3的合计为50摩尔％以上，且上述热处理为将上述前体保持在热处理温度T为600～1415℃、且氧分压P02以Pa为单位在P02≤105×exp[{7.9×104/(T+273)}+14.4]所示范围的惰性气体或真空气氛中的热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101184697A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018457.9
申请日：2006-05-30
Applicant: 旭硝子株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: C01F7/164 , C01F7/166 , C01P2002/50 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , H01B1/08
Abstract: 提供了不需要高额的设备、高温或长时间的反应以及复杂的反应控制，可以容易地稳定且低成本地得到具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法。它是具有将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca及/或Sr以及Al，换算成氧化物(CaO与SrO的合计∶Al2O3)的摩尔比为(12.6∶6.4)～(11.7∶7.3)，CaO、SrO以及Al2O3的合计在上述前体中的含有率为50摩尔％以上，并且该方法包括将上述前体和还原剂混合，再将上述混合物在氧分压为10Pa以下的惰性气体或真空气氛中保持600～1415℃进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN104411860B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN103827051A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280045822.0
申请日：2012-09-20
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C3/089 , C03B27/012
CPC classification number: C03C3/091 , C03B27/04 , C03B27/0413 , C03C3/087 , C03C3/089 , Y10T428/315
Abstract: 本发明提供一种具有即使在厚度薄的情况下，较低温度下的热膨胀系数也小的特征，并且通过现有的热强化的工序可获得足够高的表面压缩应力的强化用玻璃板。强化用玻璃板的特征是，在组成中在12.5～35摩尔％的范围内含有B2O3，且选自MgO、CaO、BaO、Na2O和K2O的化合物在组成中的总含量X与组成中的B2O3的含量Y的差[X-Y]在-5～10摩尔％的范围内，该强化用玻璃板被供于基于加热和急冷的强化加工。
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公开(公告)号：CN101184697B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680018457.9
申请日：2006-05-30
Applicant: 旭硝子株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: C01F7/164 , C01F7/166 , C01P2002/50 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , H01B1/08
Abstract: 提供了不需要高额的设备、高温或长时间的反应以及复杂的反应控制，可以容易地稳定且低成本地得到具有良好特性的导电性钙铝石型化合物的制造方法。它是具有将前体热处理的工序的导电性钙铝石型化合物的制造方法，其特征在于，上述前体为玻璃质或结晶质，含有Ca及/或Sr以及Al，换算成氧化物(CaO与SrO的合计：Al2O3)的摩尔比为(12.6∶6.4)～(11.7∶7.3)，CaO、SrO以及Al2O3的合计在上述前体中的含有率为50摩尔％以上，并且该方法包括将上述前体和还原剂混合，再将上述混合物在氧分压为10Pa以下的惰性气体或真空气氛中保持600～1415℃进行热处理的工序。
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