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公开(公告)号：CN106687616A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580050390.6
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种金属氧化物的薄膜，所述薄膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)和氧(O)，以氧化物换算计，相对于所述薄膜的氧化物的合计100摩尔％，SnO2超过15摩尔％且在95摩尔％以下。
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公开(公告)号：CN102047379B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980119999.9
申请日：2009-05-26
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J61/35 , C04B35/44 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , H01J65/046
Abstract: 本发明涉及一种荧光灯，具有包含放电气体且由玻璃包围的放电空间、放电电极和荧光体，并且在与所述放电气体接触的内面的至少一部分中具有钙铝石型化合物。根据本发明的荧光灯，提供来自放电气体的紫外线的发光效率良好，并且放电开始电压或放电维持电压等放电特性良好，化学稳定，耐氧化性优良，耐溅射性也优良，能够省电的荧光灯。
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公开(公告)号：CN102918626A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026306.9
申请日：2011-05-13
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01J61/06 , H01J61/067
CPC classification number: H01J1/13 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3222 , C04B2235/5436 , C04B2235/6022 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/76 , C04B2235/81 , H01J1/142 , H01J1/16 , H01J61/06 , H01J61/0672 , H01J61/0675
Abstract: 本发明涉及一种电极，其为热阴极荧光灯用电极，其中，具有：发射热电子的主体部、支撑该主体部的导电性支撑体和与导电性支撑体电连接的引线，所述主体部不具有灯丝结构，并且由作为柱状或块状的块体材料的导电性钙铝石化合物构成。
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公开(公告)号：CN102047379A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119999.9
申请日：2009-05-26
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J61/35 , C04B35/44 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , H01J65/046
Abstract: 本发明涉及一种荧光灯，具有由包含放电气体的玻璃包围的放电空间、放电电极和荧光体，并且在与所述放电气体接触的内面的至少一部分中具有钙铝石型化合物。根据本发明的荧光灯，提供来自放电气体的紫外线的发光效率良好，并且放电开始电压或放电维持电压等放电特性良好，化学稳定，耐氧化性优良，耐溅射性也优良，能够省电的荧光灯。
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公开(公告)号：CN101517690A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780030843.4
申请日：2007-08-20
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种等离子体显示面板(PDP)。PDP中，要求面板的放电效率或放电延迟等放电特性良好，化学性质也稳定且能省电。该等离子体显示面板具有隔着放电空间相对向的前面基板及背面基板、形成在该前面基板和背面基板中的至少一方的基板上的放电电极、覆盖该放电电极的电介体层、及覆盖该电介体层的保护层，所述保护层包含钙铝石类化合物，在能够充分地俘获二次电子的二次电子俘获收集器电压下，加速电压为600V且使用Ne或Xe作为激励离子时的二次电子发射系数分别为0.05以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104684868B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201380050813.5
申请日：2013-09-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/445 , C04B2235/46 , C04B2235/652 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , H01B1/08
Abstract: 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。
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公开(公告)号：CN104411860A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm-3～2.3×1021cm-3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN103547547A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280023381.4
申请日：2012-05-07
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C01F7/164 , C01B32/914 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/652 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/77 , H01B1/08
Abstract: 一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括：(1)准备以13:6～11:8(换算成CaO:Al2O3的摩尔比)的比例含有氧化钙和氧化铝的煅烧粉末的工序；和(2)在一氧化碳气体及由铝源供给的铝蒸气的存在下以不与所述铝源接触的状态配置含有所述工序(1)中准备的煅烧粉末的被处理体并在还原性气氛下将所述被处理体保持在1220℃～1350℃范围的温度的工序。
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公开(公告)号：CN108293281A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069408.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。
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公开(公告)号：CN105849929A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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