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公开(公告)号：CN105283579A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480033195.8
申请日：2014-06-02
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3244 , C04B2235/3272 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3423
Abstract: 一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm-3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。
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公开(公告)号：CN104684868A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050813.5
申请日：2013-09-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/445 , C04B2235/46 , C04B2235/652 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , H01B1/08
Abstract: 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。
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公开(公告)号：CN104684867A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050772.X
申请日：2013-09-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B2235/3208 , C04B2235/445 , C04B2235/6587 , C04B2235/664
Abstract: 本发明提供一种导电性钙铝石化合物的制造方法，包括(a)准备被处理体的工序，上述被处理体含有钙铝石化合物或钙铝石化合物前体，和(b)在含有铝化合物以及一氧化碳(CO)气体的还原性气氛中、在1080℃～1450℃的范围内对上述被处理体进行热处理的工序，上述铝化合物为在上述被处理体的热处理中放出氧化铝气体的化合物。
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公开(公告)号：CN104395239A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032752.X
申请日：2013-06-19
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B37/021 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/442 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/50 , C23C14/3414 , H01B1/08
Abstract: 一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，其为电子密度为5×1020cm-3以上的导电性钙铝石化合物的制造方法，该方法包括以下工序：工序(1)，制备包含钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体的被处理体；和工序(2)，在前述被处理体的表面的至少一部分配置铝箔，在低氧分压的气氛下、1080℃～1450℃的范围的温度下保持前述被处理体。
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公开(公告)号：CN102171150B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980139678.5
申请日：2009-09-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C01F7/164 , C01P2004/61 , C01P2006/40
Abstract: 本发明提供一种氧化物的制造方法，在按氧化物换算的氧化钙与氧化铝的摩尔比为9∶10～14∶5的范围内将钙化合物与铝化合物的组合、或者包含钙和铝的化合物作为原料，制造包含导电性钙铝石型化合物、电子密度为1×1018/cm3以上的氧化物，其中，所述方法包括以下步骤：将所述原料在900～1300℃下加热保持，制造包含选自由铝酸钙、氧化钙和氧化铝的组中的至少一种氧化物的煅烧粉的步骤；和将所述煅烧粉在氧气分压为1000Pa以下的惰性气体气氛中或真空气氛中的还原气氛下、在1200℃以上且低于1415℃的温度下加热保持的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102171150A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980139678.5
申请日：2009-09-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C01F7/164 , C01P2004/61 , C01P2006/40
Abstract: 本发明提供一种氧化物的制造方法，在按氧化物换算的氧化钙与氧化铝的摩尔比为9∶10～14∶5的范围内将钙化合物与铝化合物的组合、或者包含钙和铝的化合物作为原料，制造包含导电性钙铝石型化合物、电子密度为1×1018/cm3以上的氧化物，其中，所述方法包括以下步骤：将所述原料在900～1300℃下加热保持，制造包含选自由铝酸钙、氧化钙和氧化铝的组中的至少一种氧化物的煅烧粉的步骤；和将所述煅烧粉在氧气分压为1000Pa以下的惰性气体气氛中或真空气氛中的还原气氛下、在1200℃以上且低于1415℃的温度下加热保持的步骤。
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公开(公告)号：CN107954709A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710963707.6
申请日：2017-10-17
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/645
CPC classification number: C04B35/44 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/95
Abstract: 本发明涉及导电性钙铝石化合物的制造方法和导电性钙铝石化合物的烧结体。本发明涉及一种能够得到具有较平坦的表面的烧结体的导电性钙铝石化合物的制造方法。一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，所述方法具有：(1)准备煅烧粉的工序，所述煅烧粉以换算成CaO：Al2O3的摩尔比为13:6～11:8的比例含有氧化钙和氧化铝；和(2)将包含所述煅烧粉的被处理体在以1kg/cm2～200kg/cm2的范围的压力加压的状态下、并且在包含Ti构件和Ca源中的至少一者的还原性气氛下、在1220℃～1380℃的范围内进行保持的工序。
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公开(公告)号：CN107078222A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050438.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L27/3281 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5392 , H01L2251/558 , H05B33/06 , H05B33/26
Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
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公开(公告)号：CN105793969A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065559.0
申请日：2014-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L29/45 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 一种半导体装置，其为具有源极、漏极、栅极和非晶硅层的半导体装置，其特征在于，在上述源极和上述漏极的一者或两者与上述非晶硅层之间，具有含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN102549707A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080037548.3
申请日：2010-08-24
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01J61/06 , H01J9/02 , H01J61/067
CPC classification number: H01J61/0677 , H01J9/022 , H01J61/78
Abstract: 本发明涉及一种放电灯用电极，在发射二次电子的电极的至少一部分中具有钙铝石化合物，其中，所述钙铝石化合物的表面进行了等离子体处理。
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