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公开(公告)号：CN1295234A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN00133947.8
申请日：2000-11-09
Applicant: 星电器制造株式会社
CPC classification number: H01M2/345 , G01P15/06 , H01H35/146 , H01M2/1235 , H01M2/34 , H01M2200/20
Abstract: 一种碰撞传感器,包括传感器主要部分100,包括腔体110,其中底面起破碎部分120的作用;设置在所述破碎部分120上的碰撞力传递构件130;被限定在所述腔体110内的撞珠200;以及封闭腔体110让撞珠200留在其中的密封件300,由此当碰到了超过预定值的碰撞时,破碎部分120易于被撞珠200弄破裂。
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公开(公告)号：CN100380586C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN02122817.5
申请日：2002-06-06
IPC: H01L21/08 , H01L21/283 , H01L21/441 , C30B29/36
Abstract: 一种制造单晶碳化硅薄膜的设备，包括适于接受成膜用的SOI基材(100)的成膜室(200)、向成膜室(200)提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体G1-G4的供气装置(300)、用于处理供给成膜(200)的作为惰性气体G1的氩气、作为烃基气体G2的丙烷气体、作为载气G3的氢气和氧气G4的气体处理装置(500)和控制成膜室(200)温度的温控装置(400)。
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公开(公告)号：CN1484055A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03154044.9
申请日：2003-08-12
Applicant: 星电器制造株式会社
IPC: G02B6/38
CPC classification number: G02B6/4292 , G02B6/3893 , G02B6/4296 , G02B2006/4297
Abstract: 为防止光的泄漏和灰尘的侵入，不使用罩盖就能安装到设备或墙壁上，以使其开口部分面向设备或墙壁，并且即使在检查安装在电气设备内的插座的过程中，也无需拔出和插入罩盖的操作。光学连接器插座包括：一具有安装在其内的插座侧的光学器件600，一连接的光学连接器插头B可插入的一插入部分110，一覆盖在该主体100上并具有与插入部分110连通的开口部分210的一罩盖200，一可打开和关闭地连接到罩盖200上、用来关闭开口部分210的光阑300，以及一始终弹性地推压该光阑300朝向其关闭方向的用作弹性件的螺旋弹簧500，其中，上述开口部分210设定成：其外尺寸大于插入到罩盖200的光学连接器插头B的外尺寸，而小于光阑300的外尺寸。
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公开(公告)号：CN1375861A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02106937.9
申请日：2002-03-08
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/033 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , Y10S156/914
Abstract: 本发明的目的在于,在用于去除形成在试样表面上的碳素薄膜时防止损伤试样、且免去提供为等离子蚀刻所需的特殊装置(诸如真空泵)的必要性。本发明的蚀刻设备包括:密封反应室(100A),其表面上形成有碳素薄膜(510)的试样(500)设置在该反应室中;用于从反应室(100A)的一端向其内部供给已混入预定比例的氧气O2的惰性气体Ar氩气的气体供给装置(200A);用于将二氧化碳气体CO2从自气体供给装置(200A)供给的惰性气体Ar的下游侧排出的排气装置(300A);以及用于将试样500加热至550℃或更高的加热装置(400A)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100378482C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN03154044.9
申请日：2003-08-12
Applicant: 星电器制造株式会社
IPC: G02B6/38
CPC classification number: G02B6/4292 , G02B6/3893 , G02B6/4296 , G02B2006/4297
Abstract: 为防止光的泄漏和灰尘的侵入，不使用罩盖就能安装到设备或墙壁上，以使其开口部分面向设备或墙壁，并且即使在检查安装在电气设备内的插座的过程中，也无需拔出和插入罩盖的操作。光学连接器插座包括：一具有安装在其内的插座侧的光学器件(600)，一连接的光学连接器插头B可插入的一插入部分(110)，一覆盖在该主体(100)上并具有与插入部分(110)连通的开口部分(210)的一罩盖(200)，一可打开和关闭地连接到罩盖(200)上、用来关闭开口部分(210)的光阑(300)，以及一始终弹性地推压该光阑(300)朝向其关闭方向的用作弹性件的螺旋弹簧(500)，其中，上述开口部分(210)设定成：其外尺寸大于插入到罩盖(200)的光学连接器插头B的外尺寸，而小于光阑(300)的外尺寸。
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公开(公告)号：CN1641361A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510007046.7
申请日：2000-11-09
Applicant: 星电器制造株式会社
CPC classification number: H01M2/345 , G01P15/06 , H01H35/146 , H01M2/1235 , H01M2/34 , H01M2200/20
Abstract: 一种碰撞传感器，包括传感器的主要部分(100)，其中包括腔体(110)，腔体中至少一个表面在其壁厚度上更薄，以起破碎部分(120)的作用；设置在所述传感器的主要部分相对两端处的一对端子(400)；设置在所述破碎部分上的导电构件(130)，用于在所述两个端子之间形成短路；限定在所述腔体中的球形撞珠(200)；以及封闭腔体让撞珠留在其中的密封件(300)，其特征在于，当碰到超出预定水平的碰撞时，所述破碎部分会破裂。
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公开(公告)号：CN1508843A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310119925.X
申请日：2003-11-25
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0254 , H01L21/02639
Abstract: 本发明提供适用于制造电子－光学联合器件的单晶氮化镓局域化基底，所述联合器件中电子器件和光学器件混合装在同一硅基底上。在硅基底100上局部存在有单晶氮化镓410生长的区域，其形成是在硅基底100上形成碳化硅200，再在此碳化硅200上局部生成单晶氮化镓410。在生成所述单晶氮化镓410过程中氮化硅220用作掩模。
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公开(公告)号：CN1393907A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN02122817.5
申请日：2002-06-06
IPC: H01L21/08 , H01L21/283 , H01L21/441 , C30B29/36
Abstract: 一种制造单晶碳化硅薄膜的设备，包括适于接受成膜用的SOI基材100的成膜室200、向成膜室200提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体G1－G4的供气装置300、用于处理供给成膜室200的作为惰性气体G1的氩气、作为烃基气体G2的丙烷气体、作为载气G3的氢气和氧气G4的气体处理装置500和控制成膜室200温度的温控装置400。
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公开(公告)号：CN1290998A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00104109.6
申请日：2000-03-09
CPC classification number: H04R19/01
Abstract: 本发明提供了一种可以抵抗猝发噪声影响的半导体放大电路和半导体驻极体电容扩音器。包括:电压转换电路,用于接收弱信号并将该信号作为电压信号输出;和放大电路20,用于接收电压信号,放大和发送该信号。电压转换电路和放大电路形成于同一个半导体芯片中。由于放大电路的输入端隐藏在半导体芯片中,所以猝发噪声几乎不能进入放大电路中。
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