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公开(公告)号：CN1537979A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410032250.X
申请日：2004-03-26
CPC classification number: H01L21/7624 , C23C16/0218 , C23C16/0236 , C23C16/325 , C23C16/482 , C30B1/10 , C30B29/36 , H01L21/02381 , H01L21/02491 , H01L21/02529 , H01L21/02614 , H01L21/0445 , H01L21/2007 , H01L21/7602 , Y10T29/41
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体用的方法和一种用于实现该方法的制造设备，用于制造在绝缘层接触的界面内具有一较高平面度的一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体。一制造设备A是在一薄膜形成室200内放置一具有一位于一硅基体110上的埋入的绝缘层120和一在这埋入的绝缘层120上形成的一表面硅层130的SOI基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体的一设备，它包括：其中放置SOI基体100的薄膜形成室200；用于供应制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体所要求的多种气体进入薄膜形成室200的一气体供应装置300；用红外线I辐射SOI基体100的表面硅层130的一红外线辐射装置400；以及，用于控制气体供应装置300和红外线辐射装置400的一控制部分500。
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公开(公告)号：CN1288269A
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN00127099.0
申请日：2000-09-13
Applicant: 星电器制造株式会社
CPC classification number: H01M2/345 , H01M2/1235 , H01M2/34 , H01M10/4257 , H01M2200/20
Abstract: 提出一种很少发生故障、结构简单和制造成本低的破碎型压力检测装置。在破碎板上形成直线或U形的导体路径,在两端设置电极。将破碎板两端插入支承体中从而在两侧产生支承。在支承体中提供一开口,露出电极,获得破碎型压力检测装置。将端子板与这一检测装置的电极相连接,用端子板作为安装构件,并设置成与待检测物体外壳的外壁相接触。一个端子板与外壳内电流集电器连接,另一个端子板留在外壳外侧,作为输出电极,获得可充电电池。
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公开(公告)号：CN100401460C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200310119925.X
申请日：2003-11-25
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0254 , H01L21/02639
Abstract: 本发明提供适用于制造电子-光学联合器件的单晶氮化镓局域化基底，所述联合器件中电子器件和光学器件混合装在同一硅基底上。在硅基底100上局部存在有单晶氮化镓410生长的区域，其形成是在硅基底100上形成碳化硅200，再在此碳化硅200上局部生成单晶氮化镓410。在生成所述单晶氮化镓410过程中氮化硅220用作掩模。
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公开(公告)号：CN1330064C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN00108226.4
申请日：2000-04-27
Applicant: 星电器制造株式会社
CPC classification number: H01M2/345 , H01M2/1241 , H01M2/34 , H01M2200/20
Abstract: 使用压力破碎型保护器的可再充电电池包括：外壳，由外套和用于封闭外套开口的密封体构成；内电极板，容纳在外套中，通过分隔件围绕正电极和负电极螺旋地缠绕而成；正电极(或负电极)输出电极，电气连接到内电极板；衬垫，设置在密封体下面，用于隔离密封体与内电极板；压力破碎型保护器，设置在衬垫中，用于检测外壳内的内部压力；以及输出端子，用于将检出的内部压力以电学方式传到外部。
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公开(公告)号：CN1324169C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410032250.X
申请日：2004-03-26
CPC classification number: H01L21/7624 , C23C16/0218 , C23C16/0236 , C23C16/325 , C23C16/482 , C30B1/10 , C30B29/36 , H01L21/02381 , H01L21/02491 , H01L21/02529 , H01L21/02614 , H01L21/0445 , H01L21/2007 , H01L21/7602 , Y10T29/41
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体用的方法和一种用于实现该方法的制造设备，用于制造在绝缘层接触的界面内具有一较高平面度的一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体。一制造设备A是在一薄膜形成室200内放置一具有一位于一硅基体110上的埋入的绝缘层120和一在这埋入的绝缘层120上形成的一表面硅层130的SOI基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体的一设备，它包括：其中放置SOI基体100的薄膜形成室200；用于供应制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体所要求的多种气体进入薄膜形成室200的一气体供应装置300；用红外线I辐射SOI基体100的表面硅层130的一红外线辐射装置400；以及，用于控制气体供应装置300和红外线辐射装置400的一控制部分500。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1271984A
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：CN00108226.4
申请日：2000-04-27
Applicant: 星电器制造株式会社
CPC classification number: H01M2/345 , H01M2/1241 , H01M2/34 , H01M2200/20
Abstract: 使用压力破碎型保护器的可再充电电池包括:外壳,由外套和用于封闭外套开口的密封体构成;内电极板,容纳在外套中,通过分隔件围绕正电极和负电极螺旋地缠绕而成;正电极(或负电极)输出电极,电气连接到内电极板;衬垫,设置在密封体下面,用于隔离密封体与内电极板;压力破碎型保护器,设置在衬垫中,用于检测外壳内的内部压力;以及输出端子,用于将检出的内部压力以电学方式传到外部。
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公开(公告)号：CN1235076C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN02127768.0
申请日：2002-08-08
Applicant: 星电器制造株式会社
IPC: G02B6/36
CPC classification number: G02B6/4292 , G02B6/3897 , H05K3/3442 , H05K3/366 , H05K2201/09181 , H05K2201/09781
Abstract: 本发明的目的是为了能够使用高效、高温及耗时短的焊接方法或者回流钎焊方法且无需进行烘干或者防潮包装。本发明的结构为：将一个放置在插入主体10中插塞的末端处一侧的光学装置30安装到印刷接线板的表面上，并且经过印刷接线板40连接到一块一光学接插件所安装的主基板上。印刷接线板40是用与光学装置30的透明树脂盒相同的材料制成的。印刷接线板40从与安装光学接插件的表面相对的上表面插入到主体10中，并固定于其上。印刷接线板也可以从与插塞插入侧相对的后表面侧插入主体10，并固定于其上。
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公开(公告)号：CN1221014C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN02106937.9
申请日：2002-03-08
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/033 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , Y10S156/914
Abstract: 本发明的目的在于，在用于去除形成在试样表面上的碳素薄膜时防止损伤试样、且免去提供为等离子蚀刻所需的特殊装置(诸如真空泵)的必要性。本发明的蚀刻设备包括：密封反应室(100A)，其表面上形成有碳素薄膜(510)的试样(500)设置在该反应室中；用于从反应室(100A)的一端向其内部供给已混入预定比例的氧气O2的惰性气体Ar氩气的气体供给装置(200A)；用于将二氧化碳气体CO2从自气体供给装置(200A)供给的惰性气体Ar的下游侧排出的排气装置(300A)；以及用于将试样500加热至550℃或更高的加热装置(400A)。
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公开(公告)号：CN1220861C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN00133947.8
申请日：2000-11-09
Applicant: 星电器制造株式会社
CPC classification number: H01M2/345 , G01P15/06 , H01H35/146 , H01M2/1235 , H01M2/34 , H01M2200/20
Abstract: 一种碰撞传感器，包括传感器主要部分100，包括腔体110，其中底面起破碎部分120的作用；设置在所述破碎部分120上的碰撞力传递构件130；被限定在所述腔体110内的撞珠200；以及封闭腔体110让撞珠200留在其中的密封件300，由此当碰到了超过预定值的碰撞时，破碎部分120易于被撞珠200弄破裂。
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公开(公告)号：CN1407360A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02127768.0
申请日：2002-08-08
Applicant: 星电器制造株式会社
IPC: G02B6/36
CPC classification number: G02B6/4292 , G02B6/3897 , H05K3/3442 , H05K3/366 , H05K2201/09181 , H05K2201/09781
Abstract: 本发明的目的是为了能够使用高效、高温及耗时短的焊接方法或者回流钎焊方法且无需进行烘干或者防潮包装。本发明的结构为：将一个放置在插入主体10中插塞的末端处一侧的光学装置30安装到印刷接线板的表面上，并且经过印刷接线板40连接到一块一光学接插件所安装的主基板上。印刷接线板40是用与光学装置30的透明树脂盒相同的材料制成的。印刷接线板40从与安装光学接插件的表面相对的上表面插入到主体10中，并固定于其上。印刷接线板也可以从与插塞插入侧相对的后表面侧插入主体10，并固定于其上。
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