公开(公告)号：CN1324169C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410032250.X

申请日：2004-03-26

Applicant: 大阪府 ,  星电器制造株式会社

Inventor： 泉胜俊 ,  中尾基 ,  大林义昭 ,  峰启治 ,  平井诚作 ,  条边文彦 ,  田中智之

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/7624 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/325 ,  C23C16/482 ,  C30B1/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/7602 ,  Y10T29/41

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体用的方法和一种用于实现该方法的制造设备，用于制造在绝缘层接触的界面内具有一较高平面度的一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体。一制造设备A是在一薄膜形成室200内放置一具有一位于一硅基体110上的埋入的绝缘层120和一在这埋入的绝缘层120上形成的一表面硅层130的SOI基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体的一设备，它包括：其中放置SOI基体100的薄膜形成室200；用于供应制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体所要求的多种气体进入薄膜形成室200的一气体供应装置300；用红外线I辐射SOI基体100的表面硅层130的一红外线辐射装置400；以及，用于控制气体供应装置300和红外线辐射装置400的一控制部分500。

公开(公告)号：CN1271984A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00108226.4

申请日：2000-04-27

Applicant: 星电器制造株式会社

Inventor： 大林义昭 ,  竹原直也 ,  峰启治 ,  平井诚作

IPC: H02H11/00 ,  H01M2/34

CPC classification number: H01M2/345 ,  H01M2/1241 ,  H01M2/34 ,  H01M2200/20

Abstract: 使用压力破碎型保护器的可再充电电池包括:外壳,由外套和用于封闭外套开口的密封体构成;内电极板,容纳在外套中,通过分隔件围绕正电极和负电极螺旋地缠绕而成;正电极(或负电极)输出电极,电气连接到内电极板;衬垫,设置在密封体下面,用于隔离密封体与内电极板;压力破碎型保护器,设置在衬垫中,用于检测外壳内的内部压力;以及输出端子,用于将检出的内部压力以电学方式传到外部。

公开(公告)号：CN1484055A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03154044.9

申请日：2003-08-12

Applicant: 星电器制造株式会社

Inventor： 大林义昭 ,  峰启治 ,  中川浩志

IPC: G02B6/38

CPC classification number: G02B6/4292 ,  G02B6/3893 ,  G02B6/4296 ,  G02B2006/4297

Abstract: 为防止光的泄漏和灰尘的侵入，不使用罩盖就能安装到设备或墙壁上，以使其开口部分面向设备或墙壁，并且即使在检查安装在电气设备内的插座的过程中，也无需拔出和插入罩盖的操作。光学连接器插座包括：一具有安装在其内的插座侧的光学器件600，一连接的光学连接器插头B可插入的一插入部分110，一覆盖在该主体100上并具有与插入部分110连通的开口部分210的一罩盖200，一可打开和关闭地连接到罩盖200上、用来关闭开口部分210的光阑300，以及一始终弹性地推压该光阑300朝向其关闭方向的用作弹性件的螺旋弹簧500，其中，上述开口部分210设定成：其外尺寸大于插入到罩盖200的光学连接器插头B的外尺寸，而小于光阑300的外尺寸。

公开(公告)号：CN1375861A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02106937.9

申请日：2002-03-08

Applicant: 大阪府 ,  星电器制造株式会社

Inventor： 泉胜俊 ,  大林义昭 ,  峰启治 ,  条边文彦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/033 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  Y10S156/914

Abstract: 本发明的目的在于,在用于去除形成在试样表面上的碳素薄膜时防止损伤试样、且免去提供为等离子蚀刻所需的特殊装置(诸如真空泵)的必要性。本发明的蚀刻设备包括:密封反应室(100A),其表面上形成有碳素薄膜(510)的试样(500)设置在该反应室中;用于从反应室(100A)的一端向其内部供给已混入预定比例的氧气O2的惰性气体Ar氩气的气体供给装置(200A);用于将二氧化碳气体CO2从自气体供给装置(200A)供给的惰性气体Ar的下游侧排出的排气装置(300A);以及用于将试样500加热至550℃或更高的加热装置(400A)。

公开(公告)号：CN3434124D

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200430053466.5

申请日：2004-04-29

Applicant: 星电器制造株式会社

Designer： 峰启治 ,  中川浩志