公开(公告)号：CN100428496C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200410030025.2

申请日：2004-03-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本泰宏 ,  根上卓之 ,  佐藤琢也

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提供一种太阳能电池及其制备方法，所述电池包括含有Zn、Mg和O的层，并且它提高了效率。所述太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的p-型半导体层、和置于第二电极层和p-型半导体层之间的层A，其中层A包括Zn、Mg、O和至少一种选自Ca、Sr、Ba、Al、In和Ga的元素M，并且由于从第二电极层侧入射的光而产生光电动势。

公开(公告)号：CN1197172C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01142763.9

申请日：2001-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本泰宏 ,  根上卓之 ,  林茂生 ,  佐藤琢也

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0264

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541

Abstract: 提供具有可实现高效率的能带构造、对作为光吸收层的半导体层的损伤少的太阳能电池。包含p型的第1半导体层13、以及在第1半导体层13的上方形成的n型的第2半导体层15，在第1半导体层13和第2半导体层15之间包括由与第1和第2半导体层不同的半导体或绝缘体组成的层A，第1半导体层13的禁带宽度Eg1和第2半导体层15的禁带宽度Eg2满足Eg1＜Eg2的关系，第1半导体层13的电子亲合力x1(eV)和第2半导体层15的电子亲合力x2(eV)满足0≤(x1-x2)＜0.5的关系，层A的平均层厚度为1毫微米以上、20毫微米以下。

公开(公告)号：CN1350335A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01142763.9

申请日：2001-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本泰宏 ,  根上卓之 ,  林茂生 ,  佐藤琢也

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0264

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541

Abstract: 提供具有可实现高效率的能带构造、对作为光吸收层的半导体层的损伤少的太阳能电池。包含p型的第1半导体层13、以及在第1半导体层13的上方形成的n型的第2半导体层15,在第1半导体层13和第2半导体层15之间包括由与第1和第2半导体层不同的半导体或绝缘体组成的层A,第1半导体层13的禁带宽度Eg1和第2半导体层15的禁带宽度Eg2满足Eg1