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公开(公告)号：CN102292288A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201180000827.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B31/02 , B01J23/745 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01G9/058 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M10/0566 , H01M10/0585 , H01M10/0587
CPC classification number: H01M4/133 , H01G11/36 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115 , Y10T428/23993
Abstract: 本发明能够提供以高合成速度形成一端与基板相连的碳纳米管，所形成的碳纳米管难以剥离的基板和含有该基板的碳纳米管复合体。上述基板是用于形成碳纳米管的基板，该基板在基板主体14的至少一侧的表面具有含有铝原子和氟原子的缓冲层13。上述碳纳米管复合体具有该基板和一端连接上述缓冲层13的表面的多根碳纳米管11。
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公开(公告)号：CN1599082A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410079736.9
申请日：2004-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0323 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种半导体膜具有如下成分：其中Ia族元素和Vb族元素添加到具有包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的化合物半导体中。这允许提供可以有效地控制其载流子密度的半导体膜。本发明的太阳能电池(1)包括：衬底(11)和设置在衬底(11)上作为光吸收层(13)的本发明的半导体膜。通过这种结构，可以提供可有效地控制其载流子密度的光吸收层，由此可提供具有高能转换效率的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1156026C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97126412.0
申请日：1997-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，包括以下部分：衬底；背电极，形成在所述衬底上；p型黄铜矿结构半导体膜，形成在所述背电极上；n型半导体膜，形成以与所述p型黄铜矿结构半导体膜形成pn结构；透明电极，形成在所述n型半导体膜上；其特征是：在所述p型黄铜矿结构半导体膜和所述n型半导体膜之间形成电阻率比所述p型黄铜矿结构半导体膜高的材料，该材料在p-型黄铜矿结构半导体膜表面上的多个晶界上形成岛状。
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公开(公告)号：CN1319897A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01111902.0
申请日：2001-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供其特性和可靠性良好的太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池使用包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体。该太阳能电池配有导电性的基体11、在基体11的一主表面11a上形成的第1绝缘层12a、在基体11的另一主表面11b上形成的第2绝缘层12b、以及在第1绝缘层11a的上方配置的光吸收层14,光吸收层14由包含Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的半导体组成。
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公开(公告)号：CN1531114A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410030025.2
申请日：2004-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是提供一种太阳能电池及其制备方法，所述电池包括含有Zn、Mg和O的层，并且它提高了效率。所述太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的p－型半导体层、和置于第二电极层和p－型半导体层之间的层A，其中层A包括Zn、Mg、O和至少一种选自Ca、Sr、Ba、Al、In和Ga的元素M，并且由于从第二电极层侧入射的光而产生光电动势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103503100A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021151.4
申请日：2012-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G11/36 , B82Y30/00 , H01G11/22 , H01G11/28 , H01G11/66 , H01M4/625 , H01M4/663 , H01M4/667 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10S977/746 , Y10S977/948 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供一种含有碳纳米管等的由碳构成的导电性纤维作为电极活性物质、具有高容量的双电层电容器等的能量器件用电极。在具有集电体和以一端与上述集电体的表面电连接的方式而立起设置在该集电体的表面的多根导电性纤维（例如、碳纳米管）的能量器件用电极中，上述导电性纤维由碳制成，并附加有含羧基官能团、或含氧代基官能团和含羟基官能团。优选在上述导电性纤维上载持有含醌基化合物。
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公开(公告)号：CN102292288B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180000827.7
申请日：2011-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01G11/36
CPC classification number: H01M4/133 , H01G11/36 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T29/417 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115 , Y10T428/23993
Abstract: 本发明能够提供以高合成速度形成一端与基板相连的碳纳米管，所形成的碳纳米管难以剥离的基板和含有该基板的碳纳米管复合体。上述基板是用于形成碳纳米管的基板，该基板在基板主体14的至少一侧的表面具有含有铝原子和氟原子的缓冲层13。上述碳纳米管复合体具有该基板和一端连接上述缓冲层13的表面的多根碳纳米管11。
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公开(公告)号：CN100428496C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200410030025.2
申请日：2004-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是提供一种太阳能电池及其制备方法，所述电池包括含有Zn、Mg和O的层，并且它提高了效率。所述太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的p-型半导体层、和置于第二电极层和p-型半导体层之间的层A，其中层A包括Zn、Mg、O和至少一种选自Ca、Sr、Ba、Al、In和Ga的元素M，并且由于从第二电极层侧入射的光而产生光电动势。
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公开(公告)号：CN1197172C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01142763.9
申请日：2001-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/1836 , Y02E10/541
Abstract: 提供具有可实现高效率的能带构造、对作为光吸收层的半导体层的损伤少的太阳能电池。包含p型的第1半导体层13、以及在第1半导体层13的上方形成的n型的第2半导体层15，在第1半导体层13和第2半导体层15之间包括由与第1和第2半导体层不同的半导体或绝缘体组成的层A，第1半导体层13的禁带宽度Eg1和第2半导体层15的禁带宽度Eg2满足Eg1＜Eg2的关系，第1半导体层13的电子亲合力x1(eV)和第2半导体层15的电子亲合力x2(eV)满足0≤(x1-x2)＜0.5的关系，层A的平均层厚度为1毫微米以上、20毫微米以下。
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公开(公告)号：CN1499649A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310103649.8
申请日：2003-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L33/00 , H01L21/31 , H01L21/203 , C23C14/08
CPC classification number: H01L33/26 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/032 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种具有新型氧化物层的电子器件及其制造方法。本发明的电子器件是具有氧化物层的电子器件，氧化物层由含有IIa族元素、IIb族元素和IIIb族元素的氧化物构成。例如，可用于太阳能电池，该太阳能电池具有第1电极层即背面电极(11)、透光性的第2电极层即透明导电膜(15)、配置在背面电极(11)和透明电极(15)之间的具有作为光吸收层功能的半导体层(13)、以及进一步具有配置在半导体层(13)和透明导电膜(15)之间的氧化物层(14)。
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