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公开(公告)号：CN1703745A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380101217.1
申请日：2003-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/006 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括在衬底上提供的多个信息层以及在彼此相邻的信息层之间提供的光学分离层，并且通过激光束的照射记录或再现信息。在多个信息层中，当最靠近激光束入射侧提供的信息层作为第一信息层，并且设置的与第一信息层接触的光学分离层作为第一光学分离层时，第一信息层包括记录层、调节第一信息层的透光率的透光率调节层以及在透光率调节层与第一光学分离层之间提供的低折射率层。
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公开(公告)号：CN1250210A
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：CN99121072.7
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/0045 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006
Abstract: 标志长度调制记录中,把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列与冷却功率处激光辐射或后端校正脉冲序列间进行偏置功率激光辐射。依标志长度改变辐射起始时间、宽度、后端校正脉冲序列的结构。CAV模式下,依盘片半径改变辐射时间和起始时间。记录脉冲包括起始沿、结束沿脉冲和其间的脉冲时,在记录脉冲序列和冷却功率间进行偏置功率激光辐射。根据结束沿脉冲的延迟量或时钟进行依据标志长度和间隔的辐射起始时间定时的改变。
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公开(公告)号：CN101322190A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045254.9
申请日：2006-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B11/002 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2013/0092 , G11C2213/77 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录介质，其是能够利用光的照射或电能的施加记录信息的信息记录介质15，在第一及第二电介质层102及106、及第一及反入射侧界面层103及105中，至少一层是含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)，且含有1原子％以上的Si的Si－In－Zr/Hf－O系材料层。该介质的记录信息时的记录灵敏度高，反复擦写性能优越，且显示高的信号强度。
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公开(公告)号：CN101223591A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680026165.X
申请日：2006-07-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/266 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法，在构成单面具有多个信息层(1、2)的信息记录介质的至少两个信息层中，一个信息层(1)中所含的记录层(7)及与之邻接设置的电介质层(6、8)的组成与另一个信息层中所含的这些层(12、11、13)的组成相同，由此，可不进行靶更换地在相同的溅射成膜室分别形成两个信息层(1、2)的记录层(7、12)及电介质层(6、11)(8、13)，从而可减少生产时的损耗时间而制造单面多层结构的介质。
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公开(公告)号：CN1551165A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410045805.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种光信息记录介质，具有至少两个信息层。设置在前侧(从激光入射侧观察)的第一信息层(100)至少包括：反射层(3)；相对于反射层(3)设置在激光入射侧的记录层(6)，用于产生通过施加激光束光学地进行检测的、非晶相和晶相之间的可逆变化；以及设置在反射层(3)和记录层(6)之间的介电层(50)。所述介电层50至少包括锆、硅和铬，在反射层侧的介电层(50)的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在记录层侧的接触面附近的介电层中的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1545699A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800795.9
申请日：2003-04-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0055 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/241 , G11B7/257 , G11B7/268
Abstract: 在一个单面多层结构的相位变化光盘中初始化第一和第二信息层时，第一和第二信息层的薄膜结构，会在初始化处发生错误。一种光信息记录介质，其中，在至少一个信息层的结晶区域与无定型区域之间的界面处，即在面向一个信息层初始化起始位置的另一个信息层位置的区域内，在预结晶记录层的激光束波长下的反射率小于在上述波长下另一个信息层之其他区域的反射率。
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公开(公告)号：CN1146869C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN96191828.4
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/0045 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006
Abstract: 迄今为止，当记录光学信息时，产生的问题是标志后端快速冷却因此标志的后端变大且复现跳动不令人满意，而且用于进行多次循环引起的热破坏产生了信号恶化。因此，在标志长度调制记录中，在把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列中的记录脉冲序列与冷却功率处的激光辐射或标志的后端校正脉冲序列之间进行偏置功率的激光辐射。此外，依据记录标志的长度改变冷却功率辐射起始时间、冷却功率辐射宽度和标志的后端校正脉冲序列的结构。此外，在CAV模式下，依据盘片的半径改变冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。此外，在记录脉冲包括起始沿脉冲、结束沿脉冲和位于起始沿和结束沿脉冲之间的脉冲时，在进行冷却功率激光辐射的记录脉冲序列和冷却功率之间进行偏置功率的激光辐射。此外，在记录脉冲序列中，在依据标志的长度和标志之间的间隔改变激光辐射起始时间的情况下，根据结束沿脉冲的延迟量或时钟进行冷却功率处激光辐射起始时间的定时。
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公开(公告)号：CN1137473C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN99121072.7
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/0045 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006
Abstract: 标志长度调制记录中，把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列与冷却功率处激光辐射或后端校正脉冲序列间进行偏置功率激光辐射。依标志长度改变辐射起始时间、宽度、后端校正脉冲序列的结构。CAV模式下，依盘片半径改变辐射时间和起始时间。记录脉冲包括起始沿、结束沿脉冲和其间的脉冲时，在记录脉冲序列和冷却功率间进行偏置功率激光辐射。根据结束沿脉冲的延迟量或时钟进行依据标志长度和间隔的辐射起始时间定时的改变。
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公开(公告)号：CN1445768A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03107671.8
申请日：2003-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录媒体，其特征在于，至少设置一层信息层，所述信息层从激光入射侧按顺序包含第1保护膜、第1界面膜、通过激光的照射其光学特性会可逆变化的记录膜、第2界面膜、第2保护膜及反射膜，第1界面膜包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的氧化物，第2界面膜包含碳或从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的碳化物。
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公开(公告)号：CN101322190B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200680045254.9
申请日：2006-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B11/002 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2013/0092 , G11C2213/77 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录介质，其是能够利用光的照射或电能的施加记录信息的信息记录介质15，在第一及第二电介质层102及106、及第一及反入射侧界面层103及105中，至少一层是含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)，且含有1原子％以上的Si的Si-In-Zr/Hf-O系材料层。该介质的记录信息时的记录灵敏度高，反复擦写性能优越，且显示高的信号强度。
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