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公开(公告)号：CN101336453B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680052095.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质，包含：能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子：GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge-Bi-Te-M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。
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公开(公告)号：CN1627401A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410100670.7
申请日：2004-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种适当执行光信息记录介质的初始化的方法，其中避免了初始化处理的停止，所以提高了制造光信息记录介质的产量。在初始化具有脉冲串刻录区域(以下称为“BCA”)的信息层中，在BCA范围与记录和重现信息的区域的数据区域之间改变包括用于信息层的激光功率、线速度和激光束的焦点中的至少一个初始化条件。在初始化没有BCA的信息层中，在对应于BCA的区域与对应于数据区域的区域之间改变包括用于信息层的激光功率、线速度和激光束焦点以及馈送间距中的至少一个初始化条件。
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公开(公告)号：CN1128442C
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN99121073.5
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/0045 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006
Abstract: 标志长度调制记录中，把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列与冷却功率处激光辐射或后端校正脉冲序列间进行偏置功率激光辐射。依标志长度改变辐射起始时间、宽度、后端校正脉冲序列的结构。CAV模式下，依盘片半径改变辐射时间和起始时间。记录脉冲包括起始沿、结束沿脉冲和其间的脉冲时，在记录脉冲序列和冷却功率间进行偏置功率激光辐射。根据结束沿脉冲的延迟量或时钟进行依据标志长度和间隔的辐射起始时间定时的改变。
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公开(公告)号：CN100377238C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410100670.7
申请日：2004-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种适当执行光信息记录介质的初始化的方法，其中避免了初始化处理的停止，所以提高了制造光信息记录介质的产量。在初始化具有脉冲串刻录区域(以下称为“BCA”)的信息层中，在BCA范围与记录和重现信息的区域的数据区域之间改变包括用于信息层的激光功率、线速度和激光束的焦点中的至少一个初始化条件。在初始化没有BCA的信息层中，在对应于BCA的区域与对应于数据区域的区域之间改变包括用于信息层的激光功率、线速度和激光束焦点以及馈送间距中的至少一个初始化条件。
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公开(公告)号：CN100336125C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410045805.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种光信息记录介质，具有至少两个信息层。设置在前侧(从激光入射侧观察)的第一信息层(100)至少包括：反射层(3)；相对于反射层(3)设置在激光入射侧的记录层(6)，用于产生通过施加激光束光学地进行检测的、非晶相和晶相之间的可逆变化；以及设置在反射层(3)和记录层(6)之间的介电层(50)。所述介电层50至少包括锆、硅和铬，在反射层侧的介电层(50)的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在记录层侧的接触面附近的介电层中的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1250211A
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：CN99121073.5
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/0045 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006
Abstract: 标志长度调制记录中,把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列与冷却功率处激光辐射或后端校正脉冲序列间进行偏置功率激光辐射。依标志长度改变辐射起始时间、宽度、后端校正脉冲序列的结构。CAV模式下,依盘片半径改变辐射时间和起始时间。记录脉冲包括起始沿、结束沿脉冲和其间的脉冲时,在记录脉冲序列和冷却功率间进行偏置功率激光辐射。根据结束沿脉冲的延迟量或时钟进行依据标志长度和间隔的辐射起始时间定时的改变。
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公开(公告)号：CN1173941A
公开(公告)日：1998-02-18
申请号：CN96191828.4
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/0045 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006
Abstract: 迄今为止,当记录光学信息时,产生的问题是标志后端快速冷却因此标志的后端变大且复现跳动不令人满意,而且用于进行多次循环引起的热破坏产生了信号恶化。因此,在标志长度调制记录中,在把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列中的记录脉冲序列与冷却功率处的激光辐射或标志的后端校正脉冲序列之间进行偏置功率的激光辐射。此外,依据记录标志的长度改变冷却功率辐射起始时间、冷却功率辐射宽度和标志的后端校正脉冲序列的结构。此外,在CAV模式下,依据盘片的半径改变冷却功率辐射时间和冷却功率起始时间。此外,在记录脉冲包括起始沿脉冲、结束沿脉冲和位于起始沿和结束沿脉冲之间的脉冲时,在进行冷却功率激光辐射的记录脉冲序列和冷却功率之间进行偏置功率的激光辐射。此外,在记录脉冲序列中,在依据标志的长度和标志之间的间隔改变激光辐射起始时间的情况下,根据结束沿脉冲的延迟量或时钟进行冷却功率处激光辐射起始时间的定时。
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公开(公告)号：CN101496104B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780012407.4
申请日：2007-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的信息记录介质在基板(1)上设有N个信息层(N是2以上的整数)。通过对各信息层(11，12)照射激光光束(4)来进行信息的记录和再生。当上述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次为第1信息层～第N信息层时，N个信息层中包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层(135)、反射层(132)和透过率调节层(131)。透过率调节层(131)含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)。透过率调节层(131)中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。
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公开(公告)号：CN100378835C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200380105446.0
申请日：2003-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明提供一种具有氧化钛层的多层记录介质，是在氧化铌、氧化硅或以它们为主成分的第1电介质层上形成氧化钛或以氧化钛为主成分的第2电介质层。这是因为在多层记录介质中，当使用单叶式溅射装置形成氧化钛层时，引氧化钛层的膜厚偏差使得透过率产生较大偏差。另外，在使用单叶式溅射装置时，在装载闭锁室和形成透过率调节层的容器之间至少设置一个用于促进从基板的水和氧气的脱气的容器。
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公开(公告)号：CN1306508C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN03107671.8
申请日：2003-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录媒体，其特征在于，至少设置一层信息层，所述信息层从激光入射侧按顺序包含第1保护膜、第1界面膜、通过激光的照射其光学特性会可逆变化的记录膜、第2界面膜、第2保护膜及反射膜，第1界面膜包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的氧化物，第2界面膜包含碳或从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的碳化物。
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