等离子体显示面板及等离子体显示装置

    公开(公告)号:CN1717768A

    公开(公告)日:2006-01-04

    申请号:CN200380104342.8

    申请日:2003-11-28

    Abstract: 本发明的等离子体显示面板在第1基板上大致平行地配置了多个由第1电极和第2电极构成的1对显示电极,与上述第1基板相对置的第2基板上,在与上述显示电极的较长方向垂直的方向上配设了第3电极,相邻第3电极之间形成有间隔壁,其特征在于,相邻显示电极之间的附近,在与上述间隔壁或第1基板一侧的上述间隔壁的相对置的壁面上配设了第4电极,该第4电极电气地暴露在由上述间隔壁形成的放电空间。

    等离子显示板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1501429A

    公开(公告)日:2004-06-02

    申请号:CN200310116402.X

    申请日:2003-11-18

    CPC classification number: H01J11/12 H01J9/02 H01J11/40

    Abstract: 一种由第一衬底和第二衬底组成的等离子显示板,所述第一衬底和第二衬底通过放电空间彼此面对并密封在一起。在第一衬底上的保护层主要由氧化镁组成,包括在禁带区域中创建第一能级的物质或结构,该区域位于导带附近,还包括在禁带的另一区域中创建第二能级的物质或结构,该另一区域位于价带附近。在驱动期间,电子占据第二能级,在第一能级中几乎不存在电子,或者电子由于负电荷态能够很容易占据第一能级,没有降低MgO的绝缘电阻。这维持了壁电荷保持并降低了放电不规律和着火电压Vf。

    等离子体显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101563748A

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:CN200780046327.0

    申请日:2007-10-19

    CPC classification number: H01J11/40 H01J9/02 H01J11/12

    Abstract: 本发明的目的在于提供通过改善保护层的放电特性,从而即使是在高精细单元结构中也能够发挥优异的图像显示性能的PDP及其制造方法。具体地说,用氧化镁膜层(81)和氧化镁结晶颗粒群(16)构成的氧化镁结晶颗粒层(82)构成保护层(8)。氧化镁结晶颗粒群(16)根据利用氧化镁前体烧结的制作方法制作,而且使其具有这样的特性,即比例a/b为1.2以上,其中a表示CL测定中650nm以上、未满900nm的波长区域的光谱积分值,b表示300nm以上、未满550nm的波长区域的光谱积分值。

    等离子显示板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101231928A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200810001266.2

    申请日:2003-11-18

    CPC classification number: H01J11/12 H01J9/02 H01J11/40

    Abstract: 等离子显示板及其制造方法,一种由第一衬底和第二衬底组成的等离子显示板,所述第一衬底和第二衬底通过放电空间彼此面对并密封在一起。在第一衬底上的保护层主要由氧化镁组成,包括在禁带区域中创建第一能级的物质或结构,该区域位于导带附近,还包括在禁带的另一区域中创建第二能级的物质或结构,该另一区域位于价带附近。在驱动期间,电子占据第二能级,在第一能级中几乎不存在电子,或者电子由于负电荷态能够很容易占据第一能级,没有降低MgO的绝缘电阻。这维持了壁电荷保持并降低了放电不规律和着火电压Vf。

    气体放电显示面板
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1965385A

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200580018826.X

    申请日:2005-04-07

    Abstract: 本发明的第一目的是提供一种气体放电显示面板,其成本较低且能维持壁电荷的保持力,同时能将放电滞后控制在对图像显示最合适的区域内,进而,通过降低放电开始电压,可以发挥良好的显示性能。此外,本发明的第二目的是提供一种PDP和气体放电显示面板的制造方法,其中,PDP使2次电子发射系数γ比以往进一步提高,降低了放电开始电压以扩大驱动容限,从而提高显示质量和可靠性;气体放电显示面板的制造方法缩短密封排气工序时的排气时间以降低制造成本,并且降低驱动电路的成本。为此,在本发明中,由在电介质层(14)的表面上形成的第1保护膜(151)和在第1保护膜(151)的表面的至少一部分上层叠的第2保护膜(152)来构成保护层(15),第1保护膜(151)构成为与第2保护膜(152)相比含有较多杂质。

    荧光体及荧光体的处理方法

    公开(公告)号:CN1703482A

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN200380101044.3

    申请日:2003-10-07

    Abstract: 本发明的目的在于,通过抑制由真空紫外光激发发光的荧光体的发光特性随时间发生的变化,实现可以长时间维持优良发光特性的PDP及无汞荧光灯。为此在本发明的氧化物荧光体中改性粒子的表面附近区域,使该表面附近区域的元素组成和粒子的内部区域的元素组成相比成为更加被氧化的状态。或者,改性粒子的表面附近区域,该表面附近区域中的元素组成中比粒子的内部区域的元素组成较多地含有卤素或氧族元素。另外,在本发明的荧光体处理方法中,通过使含有反应气体的气体激发,形成高反应性的气体气氛,通过使荧光体暴露在该气体气氛中,选择性地使荧光体粒子的表面附近区域改性。

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