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公开(公告)号：CN102017050A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201080001481.8
申请日：2010-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J11/02
Abstract: 本发明的第一目的在于，提供一种等离子体显示面板，通过改良表面层来提高二次电子释放特性和电荷保持特性，从而可稳定实现良好的图像显示性能和低功率驱动。本发明的第二目的在于，提供一种除了上述各种效果之外，还能够缩短老化时间的等离子体显示面板。因此，在电介质层(7)的放电空间侧的表面上形成结晶膜，并作为膜厚约1μm的表面层(8)(保护膜)，其中该结晶膜是在CeO2中添加了浓度为11.8mol％以上49.4mol％以下的Sr而形成的。由此，即可提高表面层(8)中的二次电子释放特性和老化特性。
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公开(公告)号：CN100583364C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200410074821.6
申请日：2004-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/595 , C09K11/7734 , C09K11/778 , H01J1/63 , H01J2211/42
Abstract: 本发明提供了一种能避免荧光材料层亮度衰减的等离子体显示装置。所述等离子体显示装置包括等离子体显示板，其中布置有一种或多种颜色的多个放电单元，和与所述各种颜色的放电单元相对应的荧光材料层，并且其中通过用紫外线激发荧光材料层来发光。所述荧光材料层包括蓝色荧光材料，所述蓝色荧光材料由包含至少一种选自Mo和W的元素的碱土金属铝酸盐荧光材料组成。在所述蓝色荧光材料中添加六价离子(Mo，W)可以消除包含Ba原子的层(Ba-O层)附近的氧缺陷，抑制水在蓝色荧光材料表面的吸附，并且改善了各种荧光材料的亮度衰减和色度变化，以及放电特性。
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公开(公告)号：CN101160371A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012501.5
申请日：2006-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/595 , C09K11/778 , C09K11/7787 , C09K11/7797 , H01J2211/42
Abstract: 本发明提供一种亮度高，PDP驱动时的亮度劣化少，且具有与BAM:Eu相同色度y的荧光体。本发明的荧光体以通式xAO·y1EuO·y2EuO3/2·DO·zSiO2·wCaCl2(A是从Sr和Ba中选择的至少一种，D是从Mg和Zn中选择的至少一种，2.970≤x≤3.500，0.001≤y1+y2≤0.030，1.900≤z≤2.100，0.001≤w≤0.100)表示，且荧光体粒子的表面附近的2价Eu率(Eu元素整体中的2价Eu元素的比例)在50摩尔％以下。
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公开(公告)号：CN102893366A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180022976.3
申请日：2011-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种能够改善保护膜周边的结构，发挥优秀的二次电子释放特性，且能够期待高效率化和长寿命化的PDP。而且，还提供一种能够防止驱动时的放电延迟的发生，即使是高速驱动的高精细的PDP也能期待发挥高品质的图像显示性能的PDP。具体而言，在电介质层（7）的放电空间一侧的面上，作为用作膜厚约为1μm的表面层的保护膜（8），形成在CeO2中添加浓度为11.8mol%以上49.4mol%以下的Sr的结晶性膜。在其上，配置比保护膜（8）高的二次电子释放特性的高γ微粒子（17）。由此，提高保护膜（8）的二次电子释放特性、亮度，效率、可靠性。
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公开(公告)号：CN100549127C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200510075952.0
申请日：2005-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/7797 , C09K11/595 , C09K11/7734 , H01J11/12 , H01J11/42
Abstract: 一种根据本发明的锰活化的硅酸锌荧光体符合0＜β-α≤0.5和1.7≤β，此处α值是荧光体颗粒的表面区域中锌原子数和硅原子数的比率，该表面区域包括荧光体颗粒表面及其附近，并且β值是荧光体颗粒的整体中锌原子数和硅原子数的比率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1696244A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510068793.1
申请日：2005-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/7797 , C09K11/676 , C09K11/685 , C09K11/7734 , H01J11/12 , H01J11/42
Abstract: 本发明的磷光体的特征在于：具有磷光体主要部分，其中含有硅酸锌作为基质材料，而锰作为活化剂；以及具有至少一个选自钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)的元素，或者具有至少一个选自钼(Mo)和钨(W)的元素，所述元素加入上述磷光体主要部分中。具有上述组成的磷光体能够精确控制每个磷光体颗粒表面区域(即包括邻近区域的表面)的组成，并改善结晶度，其产生高发光效率以及减少了随时间的退化。
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公开(公告)号：CN1618927A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410085182.3
申请日：2004-09-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/63 , C09K11/7706
Abstract: 本发明的目的是提供一种Eu活化的磷光体，可保持高的波长转换效率并且抑制由真空紫外线辐射引起的随时间的衰减，以及提供一种通过抑制残留图像而具有优越显示性能的等离子体显示屏，残留图像是由于磷光体随时间的衰减而产生。为此，本发明提供一种铕活化的磷光体，其中组成磷光体每个颗粒的二价铕比率在颗粒表面及其附近低于整个颗粒的二价铕比率。使用上述磷光体颗粒，可制备铕活化的磷光体，与常规磷光体相比，制得的磷光体具有高发光强度保持率，并且在抑制随时间的衰减上具有良好性能。
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公开(公告)号：CN1353453A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01142771.X
申请日：2001-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L21/3211 , H01L21/32135 , H01L21/67069 , H01L27/3244 , H01L51/0024
Abstract: 在沟道蚀刻型底部栅极薄膜晶体管的制造中,可防止蚀刻步骤中沟道的蚀刻损害,提高晶体管的性能。通过使用电阻加热金属的接触触媒反应,由生成的氢原子团或氟原子团等非离子性激发子来进行沟道蚀刻,从而解决上述问题。另外,代替沟道蚀刻,通过由接触分解电阻加热金属中所含的氮原子的化学分子生成的含氮非离子性分解生成物来氮化沟道正上方的源极、漏极半导体薄膜来解决。
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公开(公告)号：CN103003391B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180035082.8
申请日：2011-11-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/703 , C09K11/623 , C09K11/642 , H01L33/285
Abstract: 本发明提供一种在紫外域表示较强发光的氧化锌系紫外发光材料。本发明是作为主成分而包含锌和氧、作为第1副成分而包含从由铝、镓及铟组成的群中选出的至少一种元素、以及作为第2副成分而包含磷、且表示n型导电性的紫外发光材料。
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公开(公告)号：CN101448916A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018132.5
申请日：2007-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/595 , C09K11/7774 , C09K11/778 , C09K11/7784 , C09K11/7797
Abstract: 本发明提供制造亮度高，且具有与BAM：Eu同等或比其小的色度y的硅酸盐蓝色荧光体。本发明是一种硅酸盐蓝色荧光体的制造方法，其特征在于，其是由通式aAO·bEuO·(Mg1－w，Znw)O·cSiO2·dCaCl2(A为选自Sr、Ba及Ca的至少一种，2.970≤a≤3.500、0.006≤b≤0.030、1.900≤c≤2.100、0≤d≤0.05、0≤w≤1)表示的硅酸盐蓝色荧光体的制造方法，在具有1×10－15.5atm～1×10－10atm的氧分压的1200℃～1400℃的气体气氛下，将原料混合物热处理。
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