公开(公告)号：CN1156020C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN99104304.9

申请日：1999-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本泰宏 ,  根上卓之 ,  和田隆博 ,  林茂生

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/042 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0328 ,  Y02E10/541 ,  Y10T428/12528

Abstract: 提供了至少包含含有Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板(71)，在基板(71)上顺序层合的背面电极(72)、p型半导体层(13)、n型化合物半导体层(12)、n型半导体层(14)、窗层(76)和透明导电膜(77)，p侧电极(78)，以及n侧电极(79)。n型化合物半导体层(12)含有Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素和II族元素，是载流子密度高的n型。

公开(公告)号：CN1230031A

公开(公告)日：1999-09-29

申请号：CN99104304.9

申请日：1999-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本泰宏 ,  根上卓之 ,  和田隆博 ,  林茂生

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/042 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0328 ,  Y02E10/541 ,  Y10T428/12528

Abstract: 提供了至少包含含有Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板71,在基板71上顺序层合的背面电极72、p型半导体层13、n型化合物半导体层12、n型半导体层14、窗层76和透明导电膜77,p侧电极78,以及n侧电极79。n型化合物半导体层12含有Ⅰb族元素、Ⅲb族元素、Ⅵb族元素和Ⅱ族元素,是载流子密度高的n型。