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公开(公告)号：CN1350335A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01142763.9
申请日：2001-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/1836 , Y02E10/541
Abstract: 提供具有可实现高效率的能带构造、对作为光吸收层的半导体层的损伤少的太阳能电池。包含p型的第1半导体层13、以及在第1半导体层13的上方形成的n型的第2半导体层15,在第1半导体层13和第2半导体层15之间包括由与第1和第2半导体层不同的半导体或绝缘体组成的层A,第1半导体层13的禁带宽度Eg1和第2半导体层15的禁带宽度Eg2满足Eg1
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公开(公告)号：CN102177563B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980126577.4
申请日：2009-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供双电层电容器及其制造方法。该双电层电容器(200)，在容器内包括依次层叠正极(206)、隔板(205)和负极(207)，在正极(206)和负极(207)之间填充有电解液，其中，正极(206)和负极(207)中任一个或两个的极板包括：集电体(201、203)；和以一端与上述集电体的表面电连接的方式立设的多根导电性微细纤维(202、204)，上述极板的上述表面一侧被隔板(205)覆盖，将上述极板和隔板(205)压接成一体。在以碳纳米管等的导电性微细纤维作为活物质的双电层电容器中，通过将活物质压缩为高密度，能够提高能量密度。
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公开(公告)号：CN102177563A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980126577.4
申请日：2009-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供双电层电容器及其制造方法。该双电层电容器(200)，在容器内包括依次层叠正极(206)、隔板(205)和负极(207)，在正极(206)和负极(207)之间填充有电解液，其中，正极(206)和负极(207)中任一个或两个的极板包括：集电体(201、203)；和以一端与上述集电体的表面电连接的方式立设的多根导电性微细纤维(202、204)，上述极板的上述表面一侧被隔板(205)覆盖，将上述极板和隔板(205)压接成一体。在以碳纳米管等的导电性微细纤维作为活物质的双电层电容器中，通过将活物质压缩为高密度，能够提高能量密度。
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公开(公告)号：CN100472815C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200310103649.8
申请日：2003-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L33/00 , H01L21/31 , H01L21/203 , C23C14/08
CPC classification number: H01L33/26 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/032 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种具有新型氧化物层的电子器件及其制造方法。本发明的电子器件是具有氧化物层的电子器件，氧化物层由含有IIA族元素、IIB族元素和IIIA族元素的氧化物构成。例如，可用于太阳能电池，该太阳能电池具有第1电极层即背面电极(11)、透光性的第2电极层即透明导电膜(15)、配置在背面电极(11)和透明电极(15)之间的具有作为光吸收层功能的半导体层(13)、以及进一步具有配置在半导体层(13)和透明导电膜(15)之间的氧化物层(14)。
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公开(公告)号：CN1809932A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480017508.7
申请日：2004-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0336 , H01L31/072
CPC classification number: H01L31/02966 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/1832 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及由复合物形成的复合半导体膜，所述复合物含有：A.至少一种选自锌、锡、镉、铟和镓的元素；B.至少一种选自氧和硫的元素；和C.IIa族的元素。太阳能电池被构造为包括：基体(11)；在基体(11)上形成的导电层(12)；在导电层(12)上形成的吸光层(13)，所述吸光层用含有Ib族元素、IIIa族元素和VIa族元素的复合半导体形成；形成于所述吸光层(13)之上的上述复合半导体膜(14)；和形成于所述复合半导体膜(14)之上的透明导电层(16)。所述构造提供了具有低电阻率的复合半导体膜。另外，通过利用具有低电阻率的所述复合半导体膜作为太阳能电池的缓冲层，提高了太阳能电池的能量转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1771610A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009521.8
申请日：2004-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/072 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 提供了包含具有黄铜矿结构的化合物半导体的光吸收层并且具有优良特性例如转换效率的太阳能电池。该太阳能电池包括第一电极层，第二电极层，放置于第一电极层和第二电极层的p－型半导体层，和放置于p－型半导体层和第二电极层之间的n－型半导体层。该p－型半导体层包括含有Ib族元素，IIIb族元素，VIb族元素并且具有黄铜矿结构的化合物半导体。该p－型半导体层的带隙从n－型半导体层侧向第一电极层侧单调增加。p－型半导体层在n－型半导体层侧主表面上的带隙至少是1.08eV，并且p－型半导体层在第一导体层侧主表面上的带隙是至少1.17eV。在该p－型半导体层中，在n－型半导体层侧的第一区域和在第一电极层侧的第二区域在p－型半导体层的厚度方向上的带隙增加率各自不同。
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公开(公告)号：CN1199288C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01111902.0
申请日：2001-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供其特性和可靠性良好的太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池使用包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的半导体。该太阳能电池配有导电性的基体11、在基体11的一主表面11a上形成的第1绝缘层12a、在基体11的另一主表面11b上形成的第2绝缘层12b、以及在第1绝缘层11a的上方配置的光吸收层14，光吸收层14由包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的半导体组成。
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公开(公告)号：CN1577899A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061868.9
申请日：2004-06-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/0248 , H01L31/06
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/07 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及一种具有高转换效率的CIS基太阳能电池，其通过省略窗口层降低了成本。该太阳能电池包括：具有半透明性和导电性的第一层；和靠近第一层设置的p型半导体层，通过第一层和p型半导体层形成结，其中p型半导体层包括具有含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的半导体，第一层具有1019/cm3或更大的载流子密度，第一层的带隙Eg1(eV)和p型半导体层的带隙Eg2(eV)满足由公式：Eg1＞Eg2表示的关系，并且第一层的电子亲合势X1(eV)和p型半导体层的电子亲合势X2(eV)满足由公式：0≤(X2－X1)＜0.5的表示关系。
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公开(公告)号：CN1156020C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN99104304.9
申请日：1999-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/0328 , Y02E10/541 , Y10T428/12528
Abstract: 提供了至少包含含有Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板(71)，在基板(71)上顺序层合的背面电极(72)、p型半导体层(13)、n型化合物半导体层(12)、n型半导体层(14)、窗层(76)和透明导电膜(77)，p侧电极(78)，以及n侧电极(79)。n型化合物半导体层(12)含有Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素和II族元素，是载流子密度高的n型。
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公开(公告)号：CN1230031A
公开(公告)日：1999-09-29
申请号：CN99104304.9
申请日：1999-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/042 , H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/0328 , Y02E10/541 , Y10T428/12528
Abstract: 提供了至少包含含有Ⅰb族元素、Ⅲb族元素和Ⅵb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板71,在基板71上顺序层合的背面电极72、p型半导体层13、n型化合物半导体层12、n型半导体层14、窗层76和透明导电膜77,p侧电极78,以及n侧电极79。n型化合物半导体层12含有Ⅰb族元素、Ⅲb族元素、Ⅵb族元素和Ⅱ族元素,是载流子密度高的n型。
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