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公开(公告)号：CN104437302A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410460679.2
申请日：2014-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C07F1/08 , B01D53/0454 , B01D53/323 , B01D2253/204 , B01D2257/504 , B01D2259/40083 , B01J20/226 , B01J20/3425 , B01J20/3441 , B01J23/72 , B01J31/1691 , B01J31/2239 , B01J2231/70 , B01J2231/763 , B01J2531/16 , C07C45/38 , C07C47/02 , C07C51/412 , C07C63/24 , C07C63/307 , F17C11/00 , Y02C10/08 , Y02E60/321 , Y02P20/152 , C07C47/00
Abstract: 本发明的课题是提供一种更有效地冷却多孔性金属有机骨架材料的方法。解决手段是，提供一种冷却多孔性金属有机骨架材料的方法，具备以下工序：对含有吸附质的所述多孔性金属有机骨架材料施加电场或电磁场，使所述吸附质从所述多孔性金属有机骨架材料脱离。其中，所述多孔性金属有机骨架材料含有至少1种金属离子、和与所述至少1种金属离子配位结合的至少1种有机化合物，并且所述有机化合物是极性化合物。
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公开(公告)号：CN102858456B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180007084.6
申请日：2011-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C04B35/453 , C04B35/58 , C04B35/62675 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/46 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C25B1/003 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置换了的组成，在所述通式中，优选x为0.5，此外优选y为1以上、6以下，更优选y为2或6。另外，本发明的光半导体，优选具有纤维锌矿型结晶构造。本发明的光半导体，可以实现更小的带隙，进行可视光的利用，并且载流子迁移率高，因此量子效率高，是优异的光半导体。
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公开(公告)号：CN102099508B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201080002101.2
申请日：2010-06-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , H01M14/005 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02P20/135
Abstract: 一种光电化学器件(1)，是利用光的照射来分解水而使氢发生的光电化学器件，其具有：导电基板；第一电极(光半导体电极(3))，其配置在导电基板的第一主面上，且含有光半导体；第二电极(反电极(4))，其配置在导电基板的所述第一主面上的、且未配置所述第一电极的区域；电解液，其与所述第一电极的表面和所述第二电极的表面接触，且含有水；隔壁(5)，其将所述第二电极的表面的上部区域从所述第一电极的表面的上部区域分离，且按照沿着在所述第二电极的表面发生的气体的移动方向延长的方式设置，并由使离子透过且抑制气体的透过的材料形成；容器(2)，其收容所述导电基板、所述第一电极、所述第二电极、所述电解液和所述隔壁。
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公开(公告)号：CN102421942B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201080020692.6
申请日：2010-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B3/042 , C25B1/003 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 本发明提供一种光电化学单元。所述光电化学单元(1)具备：光半导体电极(第一电极)(3)，其包括导电基板(3a)及配置在导电基板(3a)上的作为光半导体层的n型半导体层(3b)；对电极(第二电极)(4)，其与光半导体电极(3)的导电基板(3a)侧的面对置配置且与导电基板(3a)电连接；电解液(11)，其与n型半导体层(3b)的表面及对电极(4)的表面接触且含有水；容器(2)，其收容光半导体电极(3)、对电极(4)及电解液(11)；供给口(5)，其用于向容器内部供给水；离子通过部(12)，其使离子能够在n型半导体层(3b)的表面侧的区域A中的电解液与相对于光半导体电极(3)而与区域A相反侧的区域B中的电解液之间移动。
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公开(公告)号：CN103534387A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280013135.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/04 , C25B11/0405 , C25B11/0478 , H01G9/2027 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E10/542 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02P20/135 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的光电极(100)，具备：导电体层(12)、和在上述导电体层(12)上设置的光催化剂层(13)。导电体层(12)含有金属氮化物。光催化剂层(13)由选自氮化物半导体以及氮氧化物半导体中的至少一种构成。在光催化剂层(13)由n型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差小于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。在光催化剂层(13)由p型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差大于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102334230B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201080009672.9
申请日：2010-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M14/005 , C25B1/003 , H01G9/205 , Y02E10/542 , Y02E60/364 , Y02P20/135
Abstract: 本发明提供一种光电化学元件和使用该光电化学元件的能量系统，该光电化学元件(100)具备：半导体电极(120)，包括基板(121)、在基板(121)上配置的第一n型半导体层(122)、在第一n型半导体层(122)上彼此分离开配置的第n型半导体层(123)和导电体(124)；异性极(130)，与导电体(124)电连接；电解液(140)，与第n型半导体层(123)和异性极(130)的表面接触；以及容器(110)，收容半导体电极(120)、异性极(130)和电解液(140)，在半导体电极(120)中，以真空能级为基准，(I)第二n型半导体层(123)中的传导带和价电子带的带边能级分别大于第一n型半导体层(122)中的传导带和价电子带的带边能级，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级大于第二n型半导体层(123)的费米能级，(III)导电体(124)的费米能级大于第一n型半导体层(122)的费米能级。光电化学元件(100)通过对第二n型半导体层(123)照射光而产生氢。
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公开(公告)号：CN103153868A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003145.6
申请日：2012-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01G33/00 , B01J27/24 , B01J35/02 , B01J37/02 , B01J37/10 , C01B3/04 , H01M8/06 , C23C16/40 , H01M8/10
CPC classification number: C25B11/0447 , B01J35/004 , C01B13/0207 , C23C16/308 , C23C16/405 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/00 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。
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公开(公告)号：CN102933487A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028115.6
申请日：2011-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B11/0442 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B9/08 , C25B11/03 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 本发明的氢生成设备具备：第1电极(120)，其包括导电性基板(101)以及光触媒性半导体层(102)；第2电极(103)，其与第1电极(120)电连接，并且在将第1电极(120)的担持有光触媒性半导体层(102)的面侧的区域设为第1区域(122)、将与第1区域(122)相反一侧的区域设为第2区域(123)的情况下，该第2电极相对于第1电极(120)而被配置在第2区域(123)；电解液(106)，其包含水；和框体(105)，其保持这些第1电极、第2电极及电解液。在第1电极(120)以及第2电极(103)的相对应的位置处设置贯通孔(131，132)，该贯通孔构成对第1区域(122)和第2区域(123)进行连通的连通孔(130)。在连通孔(130)中，按照堵塞连通孔(130)的方式配置与连通孔(130)实质上为相同形状的离子交换膜(104)。
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公开(公告)号：CN102123792A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201080002312.6
申请日：2010-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01J35/004 , B01J23/002 , B01J23/08 , B01J23/10 , B01J23/62 , B01J2523/00 , C01B3/042 , C01B13/0207 , C01G25/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2004/34 , C01P2006/40 , C25B1/003 , Y02E60/364 , B01J2523/25 , B01J2523/32 , B01J2523/48 , B01J2523/375 , B01J2523/33
Abstract: 本发明的光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式：BaZr1-xMxO3-α(式中，M为从3价元素中选出的至少一种元素，x是比0大、低于0.8的数值，α是氧欠缺量且是比0大、低于1.5的数值。)表示的组成，晶系为立方晶、正方晶或斜方晶，所述晶系的晶格常数设为a、b、c(其中a≤b≤c)时，满足0.41727nm≤a、b、c≤0.42716nm，a/c≥0.98的条件。
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公开(公告)号：CN1518180A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001565.8
申请日：2004-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01T23/00
CPC classification number: A47L7/04 , A61H2033/141 , A61L9/22 , H01J1/34 , H01T23/00
Abstract: 本发明的目的在于使光电子放出板及使用该板的负粒子发生装置长期地维持负粒子的发生状态。在本发明中，光电子放出板(1)的基板设有具有阻挡性且在光照射时能放出光电子的放出膜。由于具有阻挡性，故能够防止基底材料在受到光照射时沿放出光电子的放出膜发生扩散而将放出膜表面覆盖起来，从而使负离子数量不会随着负粒子发生时间而大幅减少，从而可以实现一种能够长期保持其性能、耐久性优异的光电子放出板，并提供一种使用这种板的负粒子发生装置。
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