公开(公告)号：CN102123792B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080002312.6

申请日：2010-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 谷口昇 ,  德弘宪一 ,  铃木孝浩 ,  黑羽智宏 ,  野村幸生 ,  羽藤一仁

IPC: B01J35/02 ,  B01J23/08 ,  B01J23/10

CPC classification number: B01J35/004 ,  B01J23/002 ,  B01J23/08 ,  B01J23/10 ,  B01J23/62 ,  B01J2523/00 ,  C01B3/042 ,  C01B13/0207 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/34 ,  C01P2006/40 ,  C25B1/003 ,  Y02E60/364 ,  B01J2523/25 ,  B01J2523/32 ,  B01J2523/48 ,  B01J2523/375 ,  B01J2523/33

Abstract: 本发明的光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式：BaZr1-xMxO3-α(式中，M为从3价元素中选出的至少一种元素，x是比0大、低于0.8的数值，α是氧欠缺量且是比0大、低于1.5的数值。)表示的组成，晶系为立方晶、正方晶或斜方晶，所述晶系的晶格常数设为a、b、c(其中a≤b≤c)时，满足0.41727nm≤a、b、c≤0.42716nm，a/c≥0.98的条件。

公开(公告)号：CN102414118B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201080018615.7

申请日：2010-05-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 德弘宪一 ,  羽藤一仁 ,  野村幸生 ,  黑羽智宏 ,  谷口升 ,  铃木孝浩 ,  田村聪 ,  冈市敦雄 ,  宫村宪浩

IPC: C01B3/04 ,  H01M8/00 ,  H01M8/06 ,  H01M8/10

Abstract: 本发明提供一种氢生成系统及热水生成系统。氢生成系统(2A)具有：氢生成部(201)，其保持含有水的第一液体并通过照射太阳光将所述第一液体中包含的水的一部分分解成氢和氧且对所述第一液体的至少一部分进行加热；第一热交换器(207)，其通过在氢生成部(201)中被加热的所述第一液体和第二液体的热交换，对所述第一液体进行冷却且对所述第二液体进行加热；导入机构(例如循环线(204)及泵(205))，其将在第一热交换器(207)中被冷却的所述第一液体导入氢生成部(201)。

公开(公告)号：CN102858456A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180007084.6

申请日：2011-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  宫田伸弘 ,  羽藤一仁

IPC: B01J35/02 ,  B01J23/08 ,  B01J27/24 ,  C01G15/00 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B11/06 ,  H01M8/06

CPC classification number: H01M8/0656 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C25B1/003 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02E60/50

Abstract: 本发明的光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置换了的组成，在所述通式中，优选x为0.5，此外优选y为1以上、6以下，更优选y为2或6。另外，本发明的光半导体，优选具有纤维锌矿型结晶构造。本发明的光半导体，可以实现更小的带隙，进行可视光的利用，并且载流子迁移率高，因此量子效率高，是优异的光半导体。

公开(公告)号：CN102713010A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006506.8

申请日：2011-01-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木孝浩 ,  野村幸生 ,  羽藤一仁 ,  谷口升 ,  黑羽智宏 ,  德弘宪一

IPC: C25B9/00 ,  C01B3/04 ,  C25B1/10

CPC classification number: C25B1/003 ,  C01B3/042 ,  C01B2203/066 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/368

Abstract: 本发明的氢生成设备(100)具备：透明基板(1)；由配置在透明基板(1)上的透明导电层(2)及光催化剂层(3)形成的光催化剂电极(4)；与透明导电层(2)电连接的相反极(8)；设置在光催化剂电极(3)与相反极(8)之间的含有水的电解液层；将电解液层分隔成与光催化剂电极(4)相接的第一电解液层(5)和与相反极(8)相接的第二电解液层(7)的分隔件(6)；用于将在第一电解液层(5)的内部产生的气体取出的第一气体取出口(14)；用于将在第二电解液层(7)的内部产生的气体取出的第二气体取出口(15)。光催化剂电极(4)和相反极(8)以光催化剂层(3)的表面与相反极(8)的表面相面对的方式配置。分隔件(6)能够使电解液层中的电解质透过且抑制电解液层中的氢气及氧气透过。

公开(公告)号：CN102414118A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018615.7

申请日：2010-05-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 德弘宪一 ,  羽藤一仁 ,  野村幸生 ,  黑羽智宏 ,  谷口升 ,  铃木孝浩 ,  田村聪 ,  冈市敦雄 ,  宫村宪浩

IPC: C01B3/04 ,  H01M8/00 ,  H01M8/06 ,  H01M8/10

Abstract: 本发明提供一种氢生成系统及热水生成系统。氢生成系统(2A)具有：氢生成部(201)，其保持含有水的第一液体并通过照射太阳光将所述第一液体中包含的水的一部分分解成氢和氧且对所述第一液体的至少一部分进行加热；第一热交换器(207)，其通过在氢生成部(201)中被加热的所述第一液体和第二液体的热交换，对所述第一液体进行冷却且对所述第二液体进行加热；导入机构(例如循环线(204)及泵(205))，其将在第一热交换器(207)中被冷却的所述第一液体导入氢生成部(201)。

公开(公告)号：CN100394654C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410001565.8

申请日：2004-01-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 口野邦和 ,  野村幸生 ,  绳间润一 ,  守屋好文

IPC: H01T23/00

CPC classification number: A47L7/04 ,  A61H2033/141 ,  A61L9/22 ,  H01J1/34 ,  H01T23/00

Abstract: 本发明的目的在于使光电子放出板及使用该板的负粒子发生装置长期地维持负粒子的发生状态。在本发明中，光电子放出板(1)的基板设有具有阻挡性且在光照射时能放出光电子的放出膜。由于具有阻挡性，故能够防止基底材料在受到光照射时沿放出光电子的放出膜发生扩散而将放出膜表面覆盖起来，从而使负离子数量不会随着负粒子发生时间而大幅减少，从而可以实现一种能够能够长期保持其性能、耐久性优异能的光电子放出板，并提供一种使用这种板的负粒子发生装置。

公开(公告)号：CN100383644C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410104821.6

申请日：2000-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  小川一文 ,  野村幸生 ,  武部尚子

IPC: G02F1/1337 ,  C07F7/12

Abstract: 本发明提供可形成单分子层状薄膜的化学吸附物质(它是查尔酮骨架的苯环的4′位有COO基且COO基一侧的分子末端有-SiX3(X为卤素)基，并在其查尔酮骨架的苯环的4位与直链烃基成醚键而此烃基又与-SiX3(X为卤素)基团成醚键的化合物)，它在可见光区透明、稳定、并有在紫外区起光化学反应的感光基团。用此实现了取向热稳定性和限定力优异的液晶取向膜，用此液晶取向膜实现了低驱动电压下宽视角且图像鲜明的液晶显示装置。

公开(公告)号：CN1879230A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200580000746.1

申请日：2005-08-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 福田祐 ,  桥田卓 ,  藤井优子 ,  野村幸生 ,  伊藤修治 ,  佐佐木隆宏

IPC: H01L41/08 ,  G01L1/16 ,  H01L41/22 ,  H01L41/26

Abstract: 一种压电元件，其具有压电组合物压敏体、第1电极、第2电极和覆盖层。压电组合物压敏体包含压电陶瓷粉末和具有挠性的有机高分子。第1电极和第2电极与压电组合物压敏体连接，相互绝缘。覆盖层设置在压电陶瓷粉末的外侧，抑制水分向压电陶瓷粉末的吸收。

公开(公告)号：CN1202919C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN98811262.0

申请日：1998-11-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川一文 ,  大竹忠 ,  野村幸生

IPC: B05D7/24 ,  B05D1/18 ,  G02F1/1337 ,  G02B5/30

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B05D1/185 ,  B82Y40/00 ,  C11D3/162 ,  C11D11/0047 ,  G02F1/133719

Abstract: 本发明目的在于，提供一种均一性、分子取向性皆优良、也能用作液晶取向膜的单分子层状的化学吸附膜的高效率制造方法。可以采用至少具有以下工序的化学吸附膜的制造方法来达到该目的：使含有硅烷系表面活性剂和非水系有机溶剂的吸附质溶液在干燥气氛中与基材表面接触，在基材表面上形成由吸附质溶液构成的溶液层的工序；一边使上述溶液层中含有的有机溶剂蒸发，一边进行化学吸附反应的浓缩加速反应工序；有机溶剂蒸发结束后，直到经过一定时间，继续进行化学反应的熟化反应工序；上述熟化反应工序之后，用非水系有机溶剂洗涤基板表面上残存的未吸附的表面活性剂的洗涤工序。

公开(公告)号：CN103889571B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280043179.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 羽藤一仁 ,  德弘宪一 ,  铃木孝浩 ,  野村幸生 ,  太田健一郎 ,  石原显光

IPC: B01J27/24 ,  C01B3/04 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B9/06

CPC classification number: B01J27/24 ,  B01J19/127 ,  B01J35/004 ,  B01J37/347 ,  C01B3/042 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B9/06 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366

Abstract: 本发明提供一种半导体材料，其是如下的半导体材料，即，在含有选自第4族元素及第5族元素中的至少任意一种元素的氮氧化物中，将选自氧及氮中的至少任意一种的一部分用碳置换。作为第5族元素，优选为Nb。