公开(公告)号：CN100527615C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200510067261.6

申请日：2005-04-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野贤也 ,  梁濑直子 ,  板谷和彦 ,  安本恭章 ,  尾原亮一 ,  川久保隆 ,  罇贵子

IPC: H03H9/13 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02

Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。

公开(公告)号：CN100492692C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510008265.7

申请日：2005-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  尾原亮一 ,  小野富男 ,  长野利彦 ,  西垣亨彦 ,  安本恭章 ,  阿部和秀 ,  佐野贤也

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01G7/06 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/094

Abstract: 本发明公开一种薄膜压电致动器，包括一个驱动部分，至少其一端被一个锚部件支撑，所述驱动部分包括：压电薄膜；在所述压电薄膜的第一区域下面设置的第一下电极；在所述压电薄膜的不同于第一区域的第二区域下面设置的第二下电极；在所述压电薄膜上与所述第一下电极相对设置的第一上电极；在所述压电薄膜上与所述第二下电极相对设置的第二上电极；通过在所述压电薄膜上形成的第一通孔电连接所述第一下电极和所述第二上电极的第一连接部件；以及通过在所述压电薄膜上形成的第二通孔电连接所述第二下电极和所述第一上电极的第二连接部件。

公开(公告)号：CN101091311A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200680001608.X

申请日：2006-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 尾原亮一 ,  梁濑直子 ,  佐野贤也 ,  安本恭章 ,  板谷和彦

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/174 ,  H03H9/02125 ,  H03H9/132 ,  H03H9/588 ,  H03H9/605

Abstract: 一种薄膜压电谐振器，包括：在基板(10)的主面上设置的下电极(11)，用以覆盖空腔(14)；在下电极(11)上设置的压电膜(12)，位于空腔(14)上方；以及上电极(13)。上电极(13)具有：与空腔(14)的一部分重叠的主体部分(13a)，连接到主体部分(13a)的一侧的突起部分(13b)，在主体部分(13a)的相对侧设置的连接部分(13c)以及连接到连接部分(13c)的扩展部分(13d)。突起部分(13b)的长度与连接部分(13c)的长度基本上相同，从而使得相对于空腔(14)位置的移动，空腔区域外部的上电极(13)和下电极(11)的重叠面积不变。结果，在空腔(14)外部相互面对的上(13)下(11)电极中的寄生电容的总和不随空腔(14)位置的移动而变化。

公开(公告)号：CN1874147A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610065357.3

申请日：2006-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梁濑直子 ,  佐野贤也 ,  安本恭章 ,  尾原亮一 ,  板谷和彦

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02125 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/564 ,  H03H9/568 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025

Abstract: 一种薄膜压电共振器包括衬底以及第一和第二激发部分。所述衬底包括第一和第二腔。所述第一激发部分设置在所述第一腔上，并包括依次层压的第一电极、第一压电材料以及第二电极。在所述第一电极、所述第一压电材料以及所述第二电极间的交叠区域限定所述第一激发部分的周边的轮廓。第一距离定义为从所述第一激发部分的端部到所述第一腔的开口端部的距离。所述第二激发部分设置在所述第二腔上，并包括依次层压的第三电极、第二压电材料以及第四电极。第二距离定义为从所述第二激发部分的端部到所述第二腔的开口端部的距离，并与所述第一距离不同。

公开(公告)号：CN1655373A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510008265.7

申请日：2005-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  尾原亮一 ,  小野富男 ,  长野利彦 ,  西垣亨彦 ,  安本恭章 ,  阿部和秀 ,  佐野贤也

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01G7/06 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/094

Abstract: 本发明公开一种薄膜压电致动器，包括一个驱动部分，至少其一端被一个锚部件支撑，所述驱动部分包括：压电薄膜；在所述压电薄膜的第一区域下面设置的第一下电极；在所述压电薄膜的不同于第一区域的第二区域下面设置的第二下电极；在所述压电薄膜上与所述第一下电极相对设置的第一上电极；在所述压电薄膜上与所述第二下电极相对设置的第二上电极；通过在所述压电薄膜上形成的第一通孔电连接所述第一下电极和所述第二上电极的第一连接部件；以及通过在所述压电薄膜上形成的第二通孔电连接所述第二下电极和所述第一上电极的第二连接部件。

公开(公告)号：CN105990402B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201510536237.6

申请日：2015-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 尾原亮一 ,  野田隆夫

IPC: H01L29/06

Abstract: 根据一实施方式，半导体装置具备：半导体基板，具有第1面和第2面；元件区域，设于半导体基板；末端区域，设于元件区域的周围的半导体基板，具有设于半导体基板的第1面的第1导电型的第1半导体区域、设在第1半导体区域与第2面之间的第2导电型的第2半导体区域、设在第1半导体区域上的第1绝缘膜、和设在第1半导体区域上且处于第1绝缘膜之间的第2绝缘膜；第1电极，设在元件区域的第1面上，与第1半导体区域电连接；以及第2电极，设在半导体基板的第2面上。

公开(公告)号：CN104425565A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410060066.X

申请日：2014-02-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河野洋志 ,  尾原亮一

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/18 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一电极及第二电极。第一半导体区域具有第一导电型。第一电极与第一半导体区域肖特基接合。第二半导体区域具有第二导电型，设置在第一半导体区域与第一电极之间。第三半导体区域具有第二导电型，设置在第一半导体区域与第一电极之间。第三半导体区域与第一电极欧姆接合。第三半导体区域具有第一部分和深度比第一部分浅的第二部分。第三半导体区域的第一半导体区域侧通过第一部分和第二部分构成凹凸形状。第二电极设置在第一半导体区域的与第一电极相反的一侧。

公开(公告)号：CN104282732A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310722050.6

申请日：2013-12-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 堀阳一 ,  野田隆夫 ,  森塚宏平 ,  尾原亮一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/6606

Abstract: 半导体装置包括第一至第五半导体区域、第一电极及第二电极。第一半导体区域具有第一导电型，与第一半导体区域肖特基接合。第二半导体区域具有第二导电型，设置于第一半导体区域与第一电极之间。第三半导体区域具有第二导电型，设置于第一半导体区域与第一电极之间。第三半导体区域与第一电极欧姆接合。第四半导体区域具有第一导电型，设置于第一半导体区域与第三半导体区域之间。第四半导体区域具有比第一半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度。第五半导体区域具有第二导电型，设置于第三半导体区域与第一电极之间。第五半导体区域具有比第三半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度。第二电极设置于第一半导体区域的与第一电极相反的一侧。

公开(公告)号：CN104061848A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310394835.5

申请日：2013-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  尾原亮一 ,  增子真吾 ,  佐野贤也 ,  垣内赖人 ,  野田隆夫 ,  饭田敦子

IPC: G01B7/16

CPC classification number: G01L1/2293 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0738 ,  H01L28/24 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7803 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部，该应变仪部具有：长条的金属电阻体，设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧；第1绝缘膜，设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间，延伸至上述半导体基板的上述上表面；以及第2绝缘膜，跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。

公开(公告)号：CN100530955C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610065357.3

申请日：2006-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梁濑直子 ,  佐野贤也 ,  安本恭章 ,  尾原亮一 ,  板谷和彦

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02125 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/564 ,  H03H9/568 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025

Abstract: 本发明涉及一种薄膜压电共振器以及滤波器。一种薄膜压电共振器包括衬底以及第一和第二激发部分。所述衬底包括第一和第二腔。所述第一激发部分设置在所述第一腔上，并包括依次层压的第一电极、第一压电材料以及第二电极。在所述第一电极、所述第一压电材料以及所述第二电极间的交叠区域限定所述第一激发部分的周边的轮廓。第一距离定义为从所述第一激发部分的端部到所述第一腔的开口端部的平均距离。所述第二激发部分设置在所述第二腔上，并包括依次层压的第三电极、第二压电材料以及第四电极。第二距离定义为从所述第二激发部分的端部到所述第二腔的开口端部的平均距离，并与所述第一距离不同。