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公开(公告)号：CN106531801A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610137248.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：SiC层，其具有第1面及第2面；第1电极，其与第1面相接；第1导电型的第1SiC区域，其设置在SiC层内；第2导电型的第2SiC区域，其至少一部分包围第1电极与第1面相接的区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间；第2导电型的第3SiC区域，其包围第2SiC区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间，第2导电型杂质浓度低于第3SiC区域；及第2导电型的第4SiC区域，其设置在第2SiC区域与第3SiC区域之间的SiC层内，且第2导电型杂质浓度高于第2SiC区域。
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公开(公告)号：CN102694011A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210080160.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0465 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/43 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一导电类型的半导体层(10)；第二导电类型的第一区(3)，其被选择性设置在所述半导体层(10)的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与第一区(3)相连接；第一电极(17)，其被设置为与半导体层(10)和第一区(3)相接触；第二电极，其被设置为与第二区相接触；以及第三电极(19)，其与半导体层中的与第一主表面相对的第二主表面电气连接。
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公开(公告)号：CN100546181C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200510006848.6
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03J3/08 , H03H9/542 , H03H9/605 , H03H2210/012 , H03H2210/015 , H03J1/0008
Abstract: 可调滤波器具有均在公共基底上形成的多个可变电容器和多个电感元件，通过使用至少一部分多个可变电容器和一部分多个电感元件形成的滤波电路，通过使用至少一部分多个可变电容器和一部分多个电感元件形成的监视电路，检测电路用于检测监视电路的指定电路常数，存储器用于存储涉及监视电路的参考电路常数的信息，以及电容控制电路基于检测电路检测的结果以及存储器存储的信息控制监视电路中可变电容器的电容和滤波电路中可变电容器的电容。
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公开(公告)号：CN1449110A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108387.0
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/173 , H03H9/0095 , H03H9/545 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/566 , H03H9/581 , H03H9/585 , H03H9/60 , H03H2009/02196
Abstract: 提供一种电压控制振荡器，其使用薄膜压电共振子，该薄膜压电共振子使用极化方向统一到膜厚方向的厚10μm以下的单晶强介电体作为压电体。通过使加到该电极的电压，可具有0.01％/V以上的大的振荡频率变化率，相位静噪非常小。这样，可提供具有宽的频率可变范围、频率稳定性高、相位静噪优良、经时变化少、超小型并且可产生多个频率的电压控制振荡器。
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公开(公告)号：CN106531801B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610137248.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：SiC层，其具有第1面及第2面；第1电极，其与第1面相接；第1导电型的第1SiC区域，其设置在SiC层内；第2导电型的第2SiC区域，其至少一部分包围第1电极与第1面相接的区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间；第2导电型的第3SiC区域，其包围第2SiC区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间，第2导电型杂质浓度低于第3SiC区域；及第2导电型的第4SiC区域，其设置在第2SiC区域与第3SiC区域之间的SiC层内，且第2导电型杂质浓度高于第2SiC区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102694011B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210080160.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0465 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/43 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一导电类型的半导体层(10)；第二导电类型的第一区(3)，其被选择性设置在所述半导体层(10)的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与第一区(3)相连接；第一电极(17)，其被设置为与半导体层(10)和第一区(3)相接触；第二电极，其被设置为与第二区相接触；以及第三电极(19)，其与半导体层中的与第一主表面相对的第二主表面电气连接。
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公开(公告)号：CN100490318C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510006851.8
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/02015 , H01H2057/006 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/542 , H03H9/582 , H03H9/605 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
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公开(公告)号：CN1691498A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067261.6
申请日：2005-04-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。
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公开(公告)号：CN1649265A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006848.6
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03J3/08 , H03H9/542 , H03H9/605 , H03H2210/012 , H03H2210/015 , H03J1/0008
Abstract: 可调滤波器具有均在公共基底上形成的多个可变电容器和多个电感元件，通过使用至少一部分多个可变电容器和一部分多个电感元件形成的滤波电路，通过使用至少一部分多个可变电容器和一部分多个电感元件形成的监视电路，检测电路用于检测监视电路的指定电路常数，存储器用于存储涉及监视电路的参考电路常数的信息，以及电容控制电路基于检测电路检测的结果以及存储器存储的信息控制监视电路中可变电容器的电容和滤波电路中可变电容器的电容。
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公开(公告)号：CN100547920C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710079154.4
申请日：2007-02-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/174 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 一种薄膜压电共振器包括：具有空腔的衬底；第一介电层，设置在所述衬底上以覆盖所述空腔；第二介电层，设置在所述衬底上且设置在所述空腔的周围区域中，且其厚度大于所述第一介电层的厚度；第一电极，设置在所述第一介电层上和所述空腔上方；压电层，设置在所述第一电极上且设置为延伸至所述第二介电层上的区域；以及第二电极，设置在所述压电层上和所述第一电极上方。
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