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公开(公告)号：CN102742014A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062030.5
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。
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公开(公告)号：CN101882668B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010224591.2
申请日：2003-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/524 , H01L51/5253
Abstract: 提供一种显示装置，减少了作为使显示装置的特性劣化的原因的从封闭区进入的水分和氧，可靠性高，为此，本发明具有封闭膜，由此显示装置的包含有机材料的层间绝缘膜不与显示装置(面板)外部的大气直接接触。因此，能防止显示装置外部的水和氧通过包含有吸湿性的有机材料的绝缘膜等进入显示装置内。从而，还能防止水和氧等引起的显示装置内部的污染、电气特性的劣化、黑斑或收缩等各种劣化，能提高显示装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN1578546B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200410069424.X
申请日：2004-06-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L23/564 , H01L27/124 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L33/44 , H01L51/5237 , H01L2227/323 , H01L2251/5323 , H05B33/04 , H05B33/14 , Y10T428/24777
Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件及其制作方法，该显示器件的结构能够阻断从密封区域侵入的导致显示器件特性产生退化的水分或氧。本发明的显示器件及其制作方法的特征是：显示器件包括的显示部分是将在一对衬底之间使用有机发光材料的EL元件排列而形成的；其中，所述显示部分形成在绝缘层上，该绝缘层形成在其中一方的衬底上；所述一对衬底借助包围所述显示部分外围且形成于所述绝缘层上的密封材料被键合(bonding)；所述绝缘层中的至少一层由有机树脂材料形成；所述显示部分的外围包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述绝缘层具有被保护膜覆盖的开口部分，并且所述密封材料和所述开口部分及保护膜连接而形成；所述第二区域的所述绝缘层的外边缘部分被保护膜或密封材料覆盖。
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公开(公告)号：CN101840864A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010146652.8
申请日：2010-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/3205 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L27/1218 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供一种解决在使用具有绝缘表面的衬底的情况下有可能发生的问题的半导体装置。该半导体装置包括：具有绝缘表面的基底衬底；绝缘表面上的导电层；导电层上的绝缘层；绝缘层上的包括沟道形成区、第一杂质区、第二杂质区、以及沟道形成区与第二杂质区之间的第三杂质区的半导体层；覆盖半导体层的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的栅电极；电连接到第一杂质区的第一电极；以及电连接到第二杂质区的第二电极，其中，导电层被保持为规定电位。
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公开(公告)号：CN1729719B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200380106718.9
申请日：2003-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/0052 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/524 , H01L51/5253
Abstract: 提供一种显示装置及其制作方法，减少了作为使显示装置的特性劣化的原因的从封闭区进入的水分和氧，可靠性高，为此，本发明具有封闭膜，由此显示装置的包含有机材料的层间绝缘膜不与显示装置(面板)外部的大气直接接触。因此，能防止显示装置外部的水和氧通过包含有吸湿性的有机材料的绝缘膜等进入显示装置内。从而，还能防止水和氧等引起的显示装置内部的污染、电气特性的劣化、黑斑或收缩等各种劣化，能提高显示装置的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393919A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810149495.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供一种半导体装置，其中示出在具有绝缘表面的衬底上其间夹着层间绝缘层层叠多个场效应晶体管。多个场效应晶体管分别具有半导体层，该半导体层是通过从半导体衬底剥离半导体层之后在衬底上接合该半导体层的步骤制造的。多个场效应晶体管分别由提供半导体层的应变的绝缘膜覆盖。再者，将半导体层的与其晶面平行的晶轴设定为半导体层的沟道长度方向，由此可以制造具有SOI结构的高性能化且及低耗电化的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101232047A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008905.8
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种提高了工作特性及可靠性的具有新颖结构的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括设置在衬底之上且包括设置在一对杂质区域之间的沟道形成区域的岛状半导体层、与半导体层的侧面接触而设置的第一绝缘层、设置在沟道形成区域且以横穿半导体层的方式设置的栅电极、以及设置在沟道形成区域及栅电极之间的第二绝缘层。半导体层被局部薄膜化，在被薄膜化的区域设置有沟道形成区域，并且第二绝缘层至少覆盖第一绝缘层，该第一绝缘层设置在重叠于栅电极的区域的半导体层的侧面。
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公开(公告)号：CN1725513A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510089632.0
申请日：2005-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L21/26586 , H01L27/127 , H01L27/1274 , H01L29/66757 , H01L29/78624
Abstract: 在本发明中，低浓度杂质区形成在半导体层中的沟道形成区与源区或漏区之间，且被薄膜晶体管中的栅电极层覆盖。利用栅电极层作掩模，倾斜于半导体层的表面掺杂半导体层以形成低浓度杂质区。形成半导体层，以具有包括赋予一种导电类型的杂质元素的杂质区，该导电类型不同于薄膜晶体管的导电类型，由此能够精确地控制薄膜晶体管的特性。
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公开(公告)号：CN117203690A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030191.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00
Abstract: 提供一种具有新颖结构的显示装置。该显示装置包括多个显示面板、具有曲面的固定构件以及收纳有固定构件的框体。显示面板包括具有像素电路的显示部、以包围显示部的方式设置的非显示部、驱动像素电路的栅极驱动器电路和源极驱动器电路。栅极驱动器电路设置在与显示部重叠的位置上。源极驱动器电路设置在与非显示部重叠的位置上。多个显示面板沿着固定构件的曲面固定。
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公开(公告)号：CN116897354A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280017789.4
申请日：2022-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：执行人工神经网络中的第一层次的积和运算及第二层次的积和运算的单元阵列；对单元阵列输入第一数据的第一电路；以及从单元阵列输出第二数据的第二电路。单元阵列包括多个单元。单元阵列包括第一区域以及第二区域。在第一期间，第一区域被第一电路输入第t(t为2以上的自然数)第一数据而将对应于第一层次的积和运算的第t第二数据输出到第二电路。第二区域被第一电路输入第(t‑1)第一数据而将对应于第二层次的积和运算的第(t‑1)第二数据输出到第二电路。
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