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公开(公告)号：CN110676324A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910937461.4
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN106537604A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038493.0
申请日：2015-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极。氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比大于M(M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)的原子个数比的第一区域。第二氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域。第二区域包括薄于第一区域的部分。
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公开(公告)号：CN105849913A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071297.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。
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公开(公告)号：CN104488016A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380038678.2
申请日：2013-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/135 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/1337 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1248
Abstract: 显示装置包括设置有位于像素区域的外侧并与所述像素区域相邻并包括将信号供应给在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、夹在第一衬底与第二衬底之间的液晶层、在第一晶体管及第二晶体管上的包含无机绝缘材料的第一层间绝缘膜、第一层间绝缘膜上的包含有机绝缘材料的第二层间绝缘膜、以及第二层间绝缘膜上的包含无机绝缘材料的第三层间绝缘膜。第三层间绝缘膜被设置在所述像素区域的上部区域的一部分中，并具有驱动电路区域内侧上的边缘部分。
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公开(公告)号：CN103681655A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310390927.6
申请日：2013-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/13338 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G06F3/0412 , H01L27/0629 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的一个方式是提供一种不降低开口率且具有增大了电荷容量的电容元件的半导体装置。半导体装置包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容元件；以及电连接于晶体管的像素电极，其中在电容元件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的具有导电性的膜用作一个电极，像素电极用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜与像素电极之间的氮化绝缘膜及第二氧化绝缘膜用作介电体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119156711A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380024902.6
申请日：2023-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H05B33/02 , H10K50/00
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。本发明是组合横向沟道型晶体管和纵向沟道型晶体管的半导体装置。使用横向沟道型晶体管构成p沟道型晶体管且使用纵沟道型晶体管构成n沟道型晶体管，由此实现CMOS型半导体装置。在与横向沟道型晶体管的栅电极重叠的区域的绝缘层中设置开口，在该开口中形成纵向沟道型晶体管。在纵向沟道型晶体管的半导体层中使用氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN119013789A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380027455.X
申请日：2023-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1335 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H05B33/14 , H10K50/00
Abstract: 提供一种包括微小的晶体管的半导体装置。提供一种包括晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口，第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。
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公开(公告)号：CN118748210A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410756119.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/34
Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。
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公开(公告)号：CN117917186A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280060522.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , G02B5/20 , G09F9/30 , H05B33/12 , H05B33/22 , H05B33/24 , H05B33/28 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：层叠有多个发光层的第一发光器件和层叠有多个发光层的第二发光器件所包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，辅助布线包括第一布线层及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第一布线层在俯视时具有格子形状。
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公开(公告)号：CN115241045A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210902715.0
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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