公开(公告)号：CN119156711A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380024902.6

申请日：2023-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H05B33/02 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种新颖半导体装置。本发明是组合横向沟道型晶体管和纵向沟道型晶体管的半导体装置。使用横向沟道型晶体管构成p沟道型晶体管且使用纵沟道型晶体管构成n沟道型晶体管，由此实现CMOS型半导体装置。在与横向沟道型晶体管的栅电极重叠的区域的绝缘层中设置开口，在该开口中形成纵向沟道型晶体管。在纵向沟道型晶体管的半导体层中使用氧化物半导体。

公开(公告)号：CN119013789A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380027455.X

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/14 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种包括微小的晶体管的半导体装置。提供一种包括晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层、包括隔着第一绝缘层与第一导电层重叠的区域的第二导电层、第三导电层以及第三绝缘层。第二导电层及第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口，第一半导体层与第二导电层的顶面及侧面、第一绝缘层的侧面以及第一导电层的顶面接触。第三绝缘层设置在第一绝缘层、第一半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第二绝缘层设置在第三导电层及第三绝缘层上。

公开(公告)号：CN118866977A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411277545.7

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  中泽安孝 ,  保本清治 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/28

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。

公开(公告)号：CN115954389A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310067813.1

申请日：2017-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L27/12

Abstract: 提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包含铟、镓、锡及锌中的至少一个。第二氧化物半导体膜是复合氧化物半导体。复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域。第一区域包含InaMbZncOd(a、b、c和d分别表示任意数)，第二区域包含InxZnyOz(x、y和z分别表示任意数)。

公开(公告)号：CN107123688B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201710352139.6

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786

Abstract: 提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN112514079A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980050350.X

申请日：2019-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  中泽安孝 ,  保本清治 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。

公开(公告)号：CN112436021A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011380786.6

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  神长正美 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。该方法包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将氧化物半导体膜加工为岛状；不进行比第一温度高的温度的工序通过溅射法形成将成为源电极及漏电极的构件；对构件进行加工来形成源电极及漏电极；在形成保护绝缘膜后形成第一阻挡膜；隔着第一阻挡膜对保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使过剩氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜；以及在利用湿蚀刻去除第一阻挡膜的一部分及保护绝缘膜的一部分后，形成第二阻挡膜。

公开(公告)号：CN106471610B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201580033176.X

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/318 ,  H01L21/471 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

Abstract: 在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。

公开(公告)号：CN112038410A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010813126.6

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  岛行德 ,  保坂泰靖

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极，氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜包括其In的原子个数比大于M（M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）的原子个数比的第一区域，第二氧化物半导体膜包括其In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域，第二区域包括薄于第一区域的部分。

公开(公告)号：CN111602253A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201880081313.0

申请日：2018-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  生内俊光 ,  神长正美 ,  黑崎大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一绝缘层及第一导电层。半导体层具有岛状的顶面形状。第一绝缘层以与半导体层的顶面及侧面接触的方式设置。第一导电层位于第一绝缘层上并具有与半导体层重叠的部分。另外，半导体层包含金属氧化物，第一绝缘层包含氧化物。半导体层具有与第一导电层重叠的第一区域以及不与第一导电层重叠的第二区域。第一绝缘层具有与第一导电层重叠的第三区域以及不与第一导电层重叠的第四区域。另外，第二区域及第四区域包含磷或硼。