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公开(公告)号:CN114846647A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202080089551.3
申请日:2020-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的电极的制造方法。将具有活性物质、包含石墨烯化合物的导电助剂、粘合剂以及分散介质的混合物涂敷在集流体上,对所述混合物进行干燥处理,对所述混合物在比所述干燥处理高的温度下进行热处理,通过使用还原剂的化学反应使所述混合物中的所述石墨烯化合物还原,对所述混合物在比所述热处理高的温度下进行热还原处理。
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公开(公告)号:CN102034969B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201010512983.9
申请日:2010-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/1395 , H01M10/058 , H01G9/04
CPC classification number: H01G9/016 , H01G9/055 , H01G9/058 , H01G11/26 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01G11/86 , H01M4/0438 , H01M4/0445 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54
Abstract: 本发明的目的之一是减少由于活性物质的体积膨胀造成的影响。本发明提供一种在集电体的一个表面上包括活性物质的蓄电装置用电极的制造方法:形成用作该集电体的导体,在该导体的一个表面上形成包括非晶体区域及微晶区域的混合层,通过对该混合层选择性地进行蚀刻,以去除该非晶体区域的一部分或全部而使该微晶区域露出,由此形成活性物质,而可以减少由于该活性物质的体积膨胀造成的影响。
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公开(公告)号:CN101937932B
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201010219834.3
申请日:2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于:在反交错型的薄膜晶体管中,层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层,并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长,所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外,通过设置缓冲层,降低截止电流。
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公开(公告)号:CN103238240A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201180058641.7
申请日:2011-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/366 , H01G11/06 , H01G11/50 , H01G11/68 , H01G11/72 , H01M4/382 , H01M4/386 , H01M4/661 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明提供一种蓄电装置,该蓄电装置具有改善了的性能如高放电容量,并不容易发生由活性材料层的剥落等导致的劣化。在用于蓄电装置的电极中,在集流体上的活性材料层中使用掺杂有磷的非晶硅作为能够与锂合金化的材料,并且在该活性材料层上作为包含铌的层形成氧化铌。从而可以提高蓄电装置的容量,还可以改善循环特性及充放电效率。
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公开(公告)号:CN119920859A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202411496686.8
申请日:2024-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/48 , H01M4/525 , H01M10/052
Abstract: 提供一种相转变得到抑制的正极活性物质以及包含该正极活性物质的二次电池。本发明开发了一种前所未有的合成方法:将MgF2‑LiF的熔盐用作反应促进剂对钴酸锂粒子进行处理,在使镁向钴酸锂块体的扩散及掺杂变容易的同时在粒子表层部形成稳定的覆盖层。通过ex situ XRD分析确认到,在将改良的LiCoO2充电至4.7V时,有害的相转变得到抑制并且出现新的相。改良的LiCoO2在高电压工作中呈现良好的电化学性能。该技术为抑制伴随相转变的基本劣化而实现超高能量密度的LiCoO2正极提供了指导方针。
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公开(公告)号:CN118120093A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202280070132.4
申请日:2022-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0585 , H01M4/13 , H01M4/62 , H01M50/466 , H01M50/469
Abstract: 提供一种安全性或耐久性高的柔性电池。该柔性电池包括负极以及正极,其中,负极包括第一含碳材料、第一集流体以及形成在第一集流体中的负极活性物质,第一含碳材料包围第一集流体及负极活性物质,正极包括第二含碳材料、第二集流体以及形成在第二集流体中的正极活性物质,并且,第二含碳材料包围第二集流体及正极活性物质。
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公开(公告)号:CN116457960A
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202180072722.6
申请日:2021-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525
Abstract: 提供一种大容量且充放电循环特性良好的锂离子二次电池。提供一种大容量二次电池。提供一种充放电特性良好的二次电池。提供一种即使在长时间保持以高电压充电的状态时容量下降也得到抑制的二次电池。在上述二次电池中,在60℃的环境下达到4.5V的电压为止以电流值为0.5C进行恒定电流充电,然后反复交替进行150次以上的电流值达到0.2C为止进行恒压充电的充电过程以及达到3V的电压为止以电流值为0.5C进行恒流放电的放电过程,正极活性物质粒子的表层部为在放电后具有O3结构的钴酸锂,电解质包含咪唑鎓阳离子。
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公开(公告)号:CN115516689A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202180033408.7
申请日:2021-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0569 , H01G11/06 , H01G11/60 , H01M10/052
Abstract: 本发明的一个方式提供一种二次电池,该二次电池在较广的温度范围内可用而不容易受到环境温度的影响。此外,提供一种安全性高的二次电池。为了降低电极与电解质的界面电阻,使用混合高温特性优异的链状酯与5vol.%以上,优选为20vol.%以上的氟代碳酸酯而成的电解质,由此可以实现在较广的温度范围,具体为‑40℃以上且150℃以下,优选为‑40℃以上且85℃以下的范围内可工作的二次电池。
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公开(公告)号:CN114747040A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202080082758.8
申请日:2020-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/13 , H01M4/66 , H01G11/28 , H01G11/68 , H01G11/70 , H01M10/04 , H01M10/052 , H01G11/06 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 提供一种二次电池,其中即使反复充放电,在正极活性物质与固体电解质的界面、正极活性物质与正极集流体的界面等也不容易发生副反应。在本发明的一个方式中,为了防止集流体的氧化等变质,缓冲层或保护层设置在集流体表面或在集流体层与活性物质层之间。作为缓冲层或保护层,可以使用作为钛化合物的氧化钛、氧的一部分被氮取代的氧化钛、氮化钛、氮的一部分被氧取代的氮化钛或氧氮化钛(TiOxNy、0
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公开(公告)号:CN113994507A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202080042891.0
申请日:2020-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M4/66 , H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种充放电特性很高的固态二次电池。该固态二次电池在衬底上包括第一层及正极活性物质层,第一层与所述正极活性物质层接触,第一层具有导电性,第一层具有包含第一阳离子及第一阴离子的第一结晶结构,正极活性物质层具有包含第二阳离子及第二阴离子的第二结晶结构,在第一结晶结构中的所述第一阳离子与所述第一阳离子间距离的最小值为La且第二结晶结构中的所述第二阳离子与所述第二阳离子间距离的最小值为Lb时,以下算式(1)的值为0.1以下。
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