公开(公告)号：CN101236897B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810009449.9

申请日：2008-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  伊佐敏行 ,  本田达也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

公开(公告)号：CN101540341B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200910007973.7

申请日：2009-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669

Abstract: 薄膜晶体管包括：覆盖栅电极层的第一绝缘层；与栅电极层的至少一部分重叠的源区及漏区；在第一绝缘层上，与栅电极层及一对杂质半导体层的至少一部分重叠，并在沟道长度方向上彼此相离地设置的一对第二绝缘层；接触于第二绝缘层上并彼此相离地设置的一对微晶半导体层；覆盖第一绝缘层、一对第二绝缘层及一对微晶半导体层并在一对微晶半导体层之间延伸的非晶半导体层，其中第一绝缘层为氮化硅层，并且一对第二绝缘层为氧氮化硅层。

公开(公告)号：CN101369539B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200810145666.0

申请日：2008-08-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  古野诚 ,  鸟海聪志 ,  神保安弘 ,  大力浩二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

Abstract: 在形成底栅型薄膜晶体管时，进行在栅绝缘膜上利用等离子体CVD法形成微晶半导体膜的工序，以及在微晶半导体膜上形成非晶半导体膜的工序。在形成微晶半导体膜的工序中，将反应室的压力设定为10-5Pa以下，将衬底的温度设定为120℃至220℃的范围内，通过导入氢及硅气体来生成等离子体，在进行成膜时，使氢等离子体作用到形成在栅绝缘膜表面的反应生成物来进行去除。另外，通过将HF频带的第一高频电力和VHF频带的第二高频电力彼此叠加并施加来生成等离子体。

公开(公告)号：CN102386072A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110228409.5

申请日：2011-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的一个方式是如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN101179012B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200710186035.9

申请日：2007-11-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285

Abstract: 在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下的玻璃基板上形成含有半导体膜的层并加热该层。接着，对经加热的层照射脉冲振荡的紫外激光束来形成结晶半导体膜，所述激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽。经上述加热后，玻璃基板上形成的含有半导体膜的层的总应力成为-500N/m以上且+50N/m以下。

公开(公告)号：CN101030526B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200710084421.7

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  森末将文 ,  木村肇 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133603 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种使用剥离方法的半导体装置和显示装置的制造技术，其中转移过程能在保留元件剥离前形状和性质的良好状态下进行。此外，本发明提供一种更可靠的半导体装置和显示装置的高产量制造技术且未使用于制造的设备和方法复杂化。根据本发明，在具有透光性的第一基板上形成包含光催化剂物质的有机化合物层，在包含光催化剂物质的有机化合物层上形成元件层，用穿过第一基板的光照射包含光催化剂物质的有机化合物层，并且从第一基板剥离元件层。

公开(公告)号：CN101369539A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810145666.0

申请日：2008-08-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  古野诚 ,  鸟海聪志 ,  神保安弘 ,  大力浩二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种显示装置的制造方法。在形成底栅型薄膜晶体管时，进行在栅绝缘膜上利用等离子体CVD法形成微晶半导体膜的工序，以及在微晶半导体膜上形成非晶半导体膜的工序。在形成微晶半导体膜的工序中，将反应室的压力设定为10－5Pa以下，将衬底的温度设定为120℃至220℃的范围内，通过导入氢及硅气体来生成等离子体，在进行成膜时，使氢等离子体作用到形成在栅绝缘膜表面的反应生成物来进行去除。另外，通过将HF频带的第一高频电力和VHF频带的第二高频电力彼此叠加并施加来生成等离子体。

公开(公告)号：CN101038857A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710085416.8

申请日：2007-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  神保安弘 ,  藤井严 ,  木村肇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133711 ,  G02F1/133734 ,  G02F1/133784 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1896 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在具有透光性质的衬底上形成光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层；在具有透光性质的衬底上形成元件形成层，使光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层夹在所述衬底和元件形成层之间；在使用光通过具有透光性质的衬底照射光催化层之后，将所述元件形成层与具有透光性质的衬底分离。

公开(公告)号：CN119277781A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410883463.0

申请日：2024-07-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村川努 ,  井坂史人 ,  国武宽司 ,  神保安弘

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开的发明名称是“半导体装置”。提供一种能够实现微型化的晶体管。该半导体装置包括氧化物半导体层、第一至第四导电层以及第一至第四绝缘层，在具有凹部的第一导电层上依次设置包括与该凹部重叠的第一开口部的第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层及第三导电层，第三绝缘层在第一开口部内至少与第二导电层的侧面接触，氧化物半导体层与第三导电层的顶面以及凹部的底面及侧面接触且在第一开口部内与第三绝缘层接触，第四绝缘层在第一开口部内位于氧化物半导体层的内侧，第四导电层在第一开口部内位于第四绝缘层的内侧，在从截面看时氧化物半导体层具有隔着第三绝缘层与第二导电层重叠且隔着第四绝缘层与第四导电层重叠的区域。

公开(公告)号：CN118104395A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280049797.7

申请日：2022-07-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  青山智哉 ,  中村太纪

IPC: H05B33/10 ,  H10K71/00 ,  H10K50/00 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C14/34 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06

Abstract: 提供一种能够连续进行有机化合物膜的加工至密封的工序的制造装置。该制造装置可以连续进行发光器件的图案化工序以及以有机层的表面及侧面不暴露于大气的方式进行密封的工序，可以形成微型、高亮度、高可靠性的发光器件。此外，该制造装置可以组装在按发光器件的工序顺序配置装置的串列式制造装置，可以以高处理量进行制造。