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公开(公告)号：CN119896059A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065238.X
申请日：2023-09-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可高集成的存储装置。该存储装置包括：第一晶体管；以及第一晶体管上的第二晶体管，第一晶体管包括：衬底上的第一氧化物半导体；第一氧化物半导体上的彼此分离的第一导电体及第二导电体；配置在第一导电体及第二导电体上且包括与第一导电体与第二导电体之间的区域重叠的开口的第一绝缘体；配置在第一绝缘体的开口内且配置在第一氧化物半导体上的第二绝缘体；以及在上述开口内配置在第二绝缘体上的第三导电体，第二晶体管包括：配置在第一绝缘体及第三导电体上且包括开口的第三绝缘体；配置在第三绝缘体上且包括与第三绝缘体的开口重叠的开口的第四导电体；配置在第三绝缘体及第四导电体的开口内的第二氧化物半导体；在上述开口内配置在第二氧化物半导体上的第四绝缘体；以及在上述开口内配置在第四绝缘体上的第五导电体，第二氧化物半导体的一部分穿过第三绝缘体并与第三导电体电连接。
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公开(公告)号：CN111656512B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980010121.5
申请日：2019-01-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种新颖存储装置以及新颖半导体装置。一种在控制电路的上方层叠设置有包括多个存储单元的单元阵列的存储装置，单元阵列按每多个块工作。另外，在控制电路和单元阵列之间包括多个电极。电极设置于每块并与块重叠地设置，各块的电极的电位可以不同。电极被用作包括在存储单元中的晶体管的背栅极，在各块电极的电位不同时，可以改变包括在存储单元中的晶体管的电特性。另外，电极可以降低在控制电路中产生的噪声。
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公开(公告)号：CN119300428A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410867831.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电特性良好的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种能够实现微型化或高集成化的晶体管、半导体装置、存储装置或该半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种使用氧化物半导体层的晶体管、半导体装置、存储装置或该氧化物半导体层的制造方法，该氧化物半导体层包括第一区域、第一区域上的第二区域、第二区域上的第三区域，第一区域位于离氧化物半导体层的被形成面在大致垂直方向上有0nm以上且3nm以下处，并且在使用透射电子显微镜对氧化物半导体层进行截面观察的情况下，第一区域、第二区域及第三区域中都观察到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN118715619A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380021941.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H10B10/00 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一及第二晶体管、电容器。第一及第二晶体管设在同一层中，第一及第二晶体管各自包括第二至第四导电体、金属氧化物及第一绝缘体，第三导电体设在第二导电体上，第三导电体具有与第二导电体重叠的开口，金属氧化物具有分别与开口的侧面及第二导电体的顶面接触的区域，第一绝缘体设在金属氧化物的凹部中，第四导电体设在第一绝缘体的凹部中并且具有隔着第一绝缘体与金属氧化物重叠的区域，电容器包括第五导电体、第五导电体上的第二绝缘体及第二绝缘体上的第六导电体，第五导电体与第一晶体管中的第二导电体及第二晶体管中的第四导电体电连接。
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公开(公告)号：CN118679862A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202380020436.4
申请日：2023-01-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , G11C11/405 , H01L29/786 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置具有包括第一至第三晶体管及电容器的存储单元。在第一至第三晶体管中金属氧化物的侧面被源电极及漏电极覆盖。第二及第三晶体管共用金属氧化物。在第一至第三晶体管上方设置电容器。以包括与第一晶体管的源电极及漏电极中的一个的顶面及侧面接触的区域的方式设置包括被用作写入位线的区域的导电体。以包括与第三晶体管的源电极及漏电极中的一个的顶面及侧面接触的区域的方式设置包括被用作读出位线的区域的导电体。第一晶体管的源电极及漏电极中的另一个及第二晶体管的栅极与电容器的一个电极电连接。
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公开(公告)号：CN118339661A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079448.X
申请日：2022-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一氧化物的第一晶体管；包括第二氧化物的第二晶体管；以及第三氧化物。第一氧化物包括第一晶体管的沟道形成区域。第二氧化物包括第二晶体管的沟道形成区域。第三氧化物包含与第一氧化物及第二氧化物相同的材料。第三氧化物与第一氧化物和第二氧化物分离。在俯视时，第三氧化物位于第一氧化物与第二氧化物之间。第三氧化物配置在与第一氧化物及第二氧化物相同的层中。
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公开(公告)号：CN116134600A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180063322.9
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822
Abstract: 提供一种用来执行包含反铁电性元件的电路的模拟的程序。该程序为设定有反铁电性元件的等效电路模型的程序。等效电路模型的第一端子与第二端子之间具备铁电性元件、线性电阻器、第一晶体管及第二晶体管。第一端子与铁电性元件的一对电极中的一方及线性电阻器的第一端子连接，铁电性元件的一对电极中的另一方与第一晶体管的源电极和漏电极中的一个连接，第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极、第二晶体管的源电极和漏电极中的一个以及线性电阻器的第二端子连接，第二端子与第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个以及第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个连接。
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公开(公告)号：CN116114019A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202180062785.3
申请日：2021-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/22
Abstract: 提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一FTJ元件及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子、第二FTJ元件的输入端子及第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管的第一端子与第三晶体管的第二端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件和第二FTJ元件中分别引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输入端子与第二FTJ元件的输出端子之间供应极化不变的程度的电压，对第二晶体管的栅极供应电位，从第二晶体管的第一端子获取对应于数据的电流或电压。
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公开(公告)号：CN115989336A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052295.5
申请日：2021-08-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C16/40
Abstract: 提供一种金属氧化物的沉积方法。本发明包括如下步骤：将第一前驱体引入到第一腔室中的第一工序；将第二前驱体引入到第一腔室中的第二工序；将第三前驱体引入到第一腔室中的第三工序；在第一工序后、第二工序后以及第三工序后都将等离子体状态的氧化剂引入到第一腔室中的第四工序；以及进行微波处理的第五工序。以进行第一至第四工序的每一个一次以上为一个循环，在多次反复一个循环之后在第二腔室中进行第五工序。第一至第三前驱体是种类互不相同的前驱体，微波处理使用氧气体及氩气体进行，金属氧化物具有结晶区域，结晶区域的c轴大致平行于金属氧化物的被形成面的法线向量或金属氧化物的表面的法线向量。
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公开(公告)号：CN114787986A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080080493.8
申请日：2020-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。该半导体装置是延伸在Z方向上的存储器串，通过将氧化物半导体用于半导体层来实现高速工作。存储器串包括MONOS型存储单元，控制栅极一侧设置有隧穿层，半导体一侧设置有阻挡层。在删除工作中从控制栅极一侧向电荷累积层注入空穴。
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