公开(公告)号：CN101276736B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200810086790.4

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  川俣郁子 ,  荒井康行

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明的目的在于高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件、及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。

公开(公告)号：CN1894803B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200480037686.6

申请日：2004-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  丸山纯矢 ,  高山彻 ,  福本由美子 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786 ,  G06K19/067

CPC classification number: G06K19/07749 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684

Abstract: IC卡比磁卡要贵得多，电子标签作为条形码的替代物也要贵得多。因此，本发明的目的是提供与传统硅晶片的芯片不同、能低成本大量生产的极薄集成电路以及该集成电路的制造方法。本发明的一个特征是通过能够选择性地形成图形的形成方法，在除大块基板之外的玻璃基板、石英基板、不锈钢基板、由例如丙烯的具有柔性的合成树脂所制成的基板等上面形成薄型集成电路。此外，本发明的一个特征是形成其中装配有根据本发明的薄膜集成电路和天线的ID芯片。

公开(公告)号：CN101814526A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010124800.6

申请日：2010-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7824

Abstract: 本发明名称为半导体装置以及其制造方法。本发明的目的在于提供一种包括碳化硅半导体的半导体装置，并且，本发明的目的还在于提高包括碳化硅半导体的半导体装置的生产性。使用能隙大的半导体区域构成半导体层或半导体衬底的至少一部分。该能隙大的半导体区域优选由碳化硅形成，并设置为至少重叠于隔着绝缘层设置的栅电极。通过使半导体装置的结构为该半导体区域包含在沟道形成区域中，来提高半导体装置的耐绝缘击穿力。

公开(公告)号：CN1855573B

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200610084049.5

申请日：2006-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今林良太 ,  古川忍 ,  矶部敦生 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm-3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。

公开(公告)号：CN101657907A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880011759.2

申请日：2008-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种光伏器件使用与单晶半导体基板或多晶半导体基板分离的单晶或多晶半导体层作为光电转换层，并且具有SOI结构，在该结构中，半导体层与具有绝缘表面的基板或绝缘基板接合。单晶半导体层是单晶半导体基板的分离的表面层部分并被转移，该单晶半导体层被用作光电转换层，且包含在光入射表面或者相背表面加入了氢或卤素的杂质半导体层。将该半导体层固定于具有绝缘表面的基板或绝缘基板。

公开(公告)号：CN100592520C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200580036324.X

申请日：2005-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安部宽子 ,  岩城裕司 ,  汤川干央 ,  山崎舜平 ,  荒井康行 ,  渡边康子 ,  守屋芳隆

IPC: H01L27/10 ,  H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C17/14 ,  G11C17/143 ,  G11C17/16 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0059

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有存储元件，所述存储元件具有在一对导电层之间插置有机化合物层的简单结构。凭借这一特点，提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有的存储电路是非易失的、可额外写入的，并且易于制造。根据本发明的半导体器件具有设置于绝缘层上的多个场效应晶体管和设置于所述多个场效应晶体管上的多个存储元件。所述多个场效应晶体管中的每者采用单晶半导体层作为沟道部分，所述多个存储元件中的每者是通过按顺序叠置第一导电层、有机化合物层和第二导电层形成的元件。

公开(公告)号：CN100539138C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200410054555.0

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 关口庆一 ,  肥塚纯一 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交迭的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管；通过从一个倾斜的方向将杂质添加到有源层，将杂质添加到有源层中与栅电极相交迭且其间具有栅极绝缘膜的第一区的部分、和有源层中除了第一区外的第二区；且第二区位于相对于第一区的一个方向中。

公开(公告)号：CN100527463C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200510076018.0

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  荒井康行

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/02 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L51/504 ,  G02F1/133604 ,  H01L27/3237 ,  H01L33/382 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5278 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种当发光系统具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。根据本发明的一个特征，发光系统包括第一电极、第二电极、形成于第一电极和第二电极之间的包含发光物质的层、形成于基底上的呈栅格形式且含有荧光物质的绝缘层、和形成于绝缘层上的布线。绝缘层和布线被第一电极覆盖，由此第一电极和布线相互接触。

公开(公告)号：CN101149818A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710136777.0

申请日：2007-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: G06K19/07749

Abstract: 当用圆珠笔写字时的笔压力为10MPa以上。安装在纸基材上的IC标签需要耐受所述笔压力。本发明的宗旨如下：使形成有进行信息收发、计算及存储等处理的功能电路的集成电路薄型化，并且在贴合所述集成电路和形成有天线或布线的结构体的同时，安装由陶瓷等构成的第二结构体。通过使用由陶瓷等构成的第二结构体，可以耐受来自外部的推压或弯曲应力。另外，可以将包括在集成电路中的无源元件的一部分移动到第二结构体中，因此谋求缩小半导体装置的面积。

公开(公告)号：CN101115990A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004209.9

申请日：2006-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田由美子 ,  渡边康子 ,  荒井康行

IPC: G01N27/00 ,  G01N27/416 ,  G01N33/53

CPC classification number: G01N22/00

Abstract: 通过具有用于将电磁波转换成电信号的天线、用于检测化学反应的检测部分、和用于控制天线和检测部分的控制部分，提供了便利性增强的半导体器件。检测部分包括至少检测元件，控制部分包括至少晶体管。检测元件包括用于固化核酸、蛋白质、酶、抗原、抗体和微生物中至少任一的反应层。或者，半导体器件包括天线、检测部分、控制部分和存储部分。存储部分包括至少存储元件，存储元件包括第一导电层、第二导电层、和位于第一导电层和第二导电层之间的层。