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公开(公告)号:JP2016128917A
公开(公告)日:2016-07-14
申请号:JP2016016856
申请日:2016-02-01
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/04 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/3233 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0673 , G09G2330/02 , G09G3/2029
Abstract: 【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタの ゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう 。 【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影 響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタ のゲート・ソース間電圧を高くする。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:为了解决驱动晶体管的阈值电压的变化变得显着的问题,因为当执行非常少量的电流被提供给低电平的低灰度显示时,驱动晶体管的栅极 - 源极电压低 发光元件。解决方案:提供一种半导体器件,其中即使在低灰度显示中,驱动晶体管的阈值电压的变化的影响也降低。 驱动晶体管的栅源电压在低灰阶显示中高于高灰度显示。选择图:图2
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公开(公告)号:JP2015200904A
公开(公告)日:2015-11-12
申请号:JP2015118795
申请日:2015-06-12
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0866 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2310/08 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G3/2022 , G09G3/3291 , H01L2924/0002
Abstract: 【課題】n型の駆動用TFTと発光素子の陽極とが接続されている場合、或いはp型の 駆動用TFTと発光素子の陰極とが接続されている場合において、駆動用TFTを飽和領 域で動作させ、なおかつビデオ信号に従って所望の階調を表示することができる、発光装 置の駆動方法と、該駆動方法を用いた発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】本発明では、ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する 電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電 圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順 方向バイアスの電圧を印加する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:为了提供一种发光器件的驱动方法,其中当n型驱动TFT连接到发光元件的阳极或p型驱动TFT连接到其阴极时, 驱动TFT在饱和区域中工作,并且可以根据视频信号以期望的灰度级别显示图像,并且提供采用驱动方法的发光装置。解决方案:根据本发明,当具有图像数据的电位为 根据视频信号提供给驱动TFT的栅极,反向偏置电压被施加到彼此串联连接的驱动TFT和发光元件。 同时,当像素显示取决于视频信号的图像时,正向偏置电压被施加到驱动TFT和发光元件。
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公开(公告)号:JP2015163963A
公开(公告)日:2015-09-10
申请号:JP2015045461
申请日:2015-03-09
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/3233 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0673 , G09G2330/02 , G09G3/2029
Abstract: 【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影響が低減された表示装置を提供する。 【解決手段】駆動用トランジスタ25の一方の電極に接続される第1の調整用スイッチSW20a、第2の調整用スイッチSW20bを有する。低階調表示では、第1の調整用スイッチSW20a、第2の調整用スイッチSW20bの切り換えにより、発光期間を短くし、高階調表示よりも駆動用トランジスタ25のゲート・ソース間電圧を高くする。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种在执行用于向发光元件供应非常少量的电流的低灰度显示时对驱动晶体管的阈值电压的变化影响较小的显示装置。解决方案:显示装置包括 连接到驱动晶体管25的一个电极的第一调节开关SW20a和第二调节开关SW20b。在低灰度显示中,第一调节开关SW20a和第二调节开关SW20b之间的切换使得发光周期更短, 使得驱动晶体管25的栅极 - 源极电压高于高灰度显示。
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公开(公告)号:JP2015129969A
公开(公告)日:2015-07-16
申请号:JP2015055724
申请日:2015-03-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
CPC classification number: G09G3/32 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0866 , G09G2310/0256 , G09G2310/0262 , G09G2310/08 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G3/2022 , G09G3/3291 , H01L2924/0002
Abstract: 【課題】n型の駆動用TFTと発光素子の陽極とが接続されている場合、或いはp型の 駆動用TFTと発光素子の陰極とが接続されている場合において、駆動用TFTを飽和領 域で動作させ、なおかつビデオ信号に従って所望の階調を表示することができる、発光装 置の駆動方法と、該駆動方法を用いた発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】本発明では、ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する 電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電 圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順 方向バイアスの電圧を印加する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种驱动发光器件的方法,其中当n型驱动TFT连接到发光元件的阳极或p型驱动TFT连接到其阴极时, 驱动TFT在饱和区域中工作,并且可以根据视频信号显示所需的灰度级,并且使用该驱动方法提供发光器件。解决方案:根据本发明,反向偏置电压为 当将具有图像信息的电位根据视频信号提供给驱动TFT的栅极时,施加到发光元件和驱动TFT串联连接,并且向发光元件施加正向偏压的电压,并且 当根据视频信号用像素执行显示时的驱动TFT。
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公开(公告)号:JP2021073521A
公开(公告)日:2021-05-13
申请号:JP2021007873
申请日:2021-01-21
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
Abstract: 【課題】n型の駆動用TFTと発光素子の陽極とが接続されている場合、或いはp型の 駆動用TFTと発光素子の陰極とが接続されている場合において、駆動用TFTを飽和領 域で動作させ、なおかつビデオ信号に従って所望の階調を表示することができる、発光装 置の駆動方法と、該駆動方法を用いた発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】本発明では、ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する 電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電 圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順 方向バイアスの電圧を印加する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6827094B2
公开(公告)日:2021-02-10
申请号:JP2019193962
申请日:2019-10-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 宮川 恵介
IPC: G09G3/20 , H01L51/50 , G09G3/3233
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公开(公告)号:JP5764696B2
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:JP2014099303
申请日:2014-05-13
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/3233 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0673 , G09G2330/02 , G09G3/2029
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公开(公告)号:JP5696184B2
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:JP2013157367
申请日:2013-07-30
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32 , H05B33/04 , H05B33/28 , G09F9/30
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G3/3233 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1255 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2320/0673 , G09G2330/02 , G09G3/2029
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