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    半導体装置
    12.
    发明专利
    半導体装置 有权

    公开(公告)号：JP2021106289A

    公开(公告)日：2021-07-26

    申请号：JP2021064097

    申请日：2021-04-05

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

    IPC: H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234

    Abstract: 【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記 憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。 【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反 転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子 と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。 上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用い る。位相反転素子への電源電圧の印加を停止する場合、データを容量素子に記憶させるこ とで、位相反転素子への電源電圧の供給を停止しても、容量素子においてデータを保持さ せる。 【選択図】図1

    半導体装置
    13.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021099895A

    公开(公告)日：2021-07-01

    申请号：JP2021034672

    申请日：2021-03-04

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  加藤 清

    IPC: H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  G11C11/405

    Abstract: 【課題】新たな構造の半導体装置及びその作製方法を提供する。 【解決手段】多値型の半導体装置は、直列に接続されたメモリセル200と、メモリセルを選択して第2信号線及びワード線WLを駆動する駆動回路213と、書き込み電位のいずれかを選択して第1信号線S1に出力する駆動回路212と、ビット線BLの電位と参照電位とを比較する読み出し回路211と、書き込み電位及び参照電位を生成して駆動回路及び読み出し回路に供給する電位生成回路214と、を有する。各メモリセルは、ビット線及びソース線SLに接続された第1のトランジスタと、第1信号線、第2の信号線S2に接続された第2のトランジスタと、ワード線、ビット線及びソース線に接続された第3のトランジスタを有する。第2のトランジスタは、酸化物半導体層を含み、第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方が接続される。 【選択図】図17

    表示装置
    15.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021092789A

    公开(公告)日：2021-06-17

    申请号：JP2021013311

    申请日：2021-01-29

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

    IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  G09G3/36

    Abstract: 【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、低消費電力化を図る。 【解決手段】画像信号が供給される画素が複数設けられた画素部1006と、信号線を選択的に制御する信号線側駆動回路1007B、及びゲート線を選択的に制御するゲート線側駆動回路1007Aを有する駆動回路1005と、画像信号を記憶する記憶回路1002と、記憶回路1002に記憶された画像信号を画素毎に比較して差分を演算する比較回路1003と、差分に応じて駆動回路1005の制御及び画像信号の読み出しを行う表示制御回路1004とを有し、表示制御回路1004は差分が検出された画素のみに画像信号を供給し、画素はゲートがゲート線に電気的に接続され、第1端子が信号線に電気的に接続され、第2端子が画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタは酸化物半導体でなる半導体層を有する。 【選択図】図1

    半導体装置
    17.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021076860A

    公开(公告)日：2021-05-20

    申请号：JP2021010156

    申请日：2021-01-26

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  木村 肇 ,  三宅 博之 ,  小山 潤

    IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】信頼性を向上しうる、新規な表示装置を提供する。 【解決手段】第1の配線と第2の配線との間に設けられた絶縁層を有し、絶縁層は、第1 の絶縁層、及び第1の絶縁層に重畳して設けられた第2の絶縁層を有し、絶縁層は、第2 の絶縁層の一部が除去された領域を有し、該領域は保護回路として機能する表示装置とす る。また、絶縁層とトランジスタが有する半導体層とが重畳する領域では、第1の絶縁層 及び第2の絶縁層を有する表示装置とする。また、第1の配線と第2の配線とを直接接続 する領域では、第1の絶縁層及び第2の絶縁層が除去された領域を有する表示装置とする 。 【選択図】図2

    表示装置
    19.
    发明专利
    表示装置 有权

    公开(公告)号：JP2021051317A

    公开(公告)日：2021-04-01

    申请号：JP2020200100

    申请日：2020-12-02

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

    IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】不要な電荷の蓄積を低減することを課題の一つとする。 【解決手段】デプレッション型トランジスタである第1のトランジスタ及びエンハンスメ ント型トランジスタである第2のトランジスタを有する論理回路を含む駆動回路と、駆動 回路に電気的に接続された信号線と、信号線を介して駆動回路から画像データとなる信号 が入力されることにより、表示状態が制御される画素を含む画素部と、基準となる電圧が 与えられる基準電圧線と、デプレッション型トランジスタであり、信号線と基準電圧線と の導通を制御する第3のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタ乃至第3のトラン ジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を含む表示装置である。 【選択図】図1

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