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公开(公告)号：CN108630569A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810159654.7
申请日：2018-02-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: B05C9/14 , B05C5/02 , B05C11/1039 , B08B3/10 , H01L21/67023
Abstract: 本发明的目的在于，在加热器与附着有处理液的基板的下表面接触加热时防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。基板处理装置(1)的旋转基座(21)具备把持基板W的周缘的多个卡盘销(20)。加热器主体(60)配置在旋转基座(21)与由卡盘销(20)把持的基板(W)之间。在加热器主体(60)的上表面设置有多个气体嘴(61)。气体嘴(61)与非活性气体供给机构(68)和抽吸机构(69)连通，通过从气体嘴(61)喷出非活性气体来防止向加热器主体(60)下落的处理液进入气体嘴(61)，通过由气体嘴(61)抽吸能够使基板(W)均匀地吸附于加热器主体(60)的上表面。由此，防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。
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公开(公告)号：CN108305829A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711458281.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
CPC classification number: B08B7/0014 , B08B3/08 , B08B3/106 , B08B2203/007 , H01L21/02057 , H01L21/67034 , H01L21/67167 , H01L21/68714
Abstract: 本发明提供基板处理方法，包括：基板保持工序，使基板保持单元将基板保持为水平；密闭工序，在将保持有基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下密闭内部空间；液膜形成工序，对基板的上表面供给用于处理基板的上表面的处理液，在基板上形成处理液的液膜；加压工序，通过对内部空间供给气体，对内部空间加压直至内部空间的压力为高于大气压的第一压力；加热工序，加热基板，使得在内部空间的压力达到第一压力的状态下在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层；液膜排除工序，通过一边维持在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层的状态，一边对内部空间减压直至内部空间的压力为小于第一压力的第二压力，使处理液蒸发，从基板上排除液膜。
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公开(公告)号：CN119852168A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510068592.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，在基板处理中，向被保持为水平状态的基板(9)的上表面(91)供给第一处理液，形成覆盖整个上表面(91)的第一处理液的液膜(81)。另外，对基板(9)进行加热，在上表面(91)上的第一处理液的液膜(81)与上表面(91)之间形成第一处理液的蒸气层(82)。然后，通过向基板(9)的上表面(91)供给第二处理液，从上表面(91)去除第一处理液的液膜(81)。由此，能够将随着蒸气层(82)的形成而进入第一处理液的液膜(81)的异物(89)从基板(9)的上表面(91)合适地去除。
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公开(公告)号：CN119208198A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411301686.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 基板处理装置(1)具备基板保持部(2)、处理液供给部、加热部(5)以及液体去除部。基板保持部(2)将基板(9)保持为水平状态。处理液供给部将表面张力比IPA高的处理液供给至基板(9)的上表面(91)，由此形成覆盖基板(9)的上表面(91)的整面的处理液的液膜。加热部(5)从下表面(92)的侧加热基板(9)并使液膜的一部分气化，由此在基板(9)的上表面(91)与液膜之间形成气相层。液体去除部去除气相层上的液膜。由此，能抑制液膜非预期性的破损。
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公开(公告)号：CN112514032B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980049434.1
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置(1)具备基板保持部(2)、处理液供给部、加热部(5)以及液体去除部。基板保持部(2)将基板(9)保持为水平状态。处理液供给部将表面张力比IPA高的处理液供给至基板(9)的上表面(91)，由此形成覆盖基板(9)的上表面(91)的整面的处理液的液膜。加热部(5)从下表面(92)的侧加热基板(9)并使液膜的一部分气化，由此在基板(9)的上表面(91)与液膜之间形成气相层。液体去除部去除气相层上的液膜。由此，能抑制液膜非预期性的破损。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108305829B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201711458281.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供基板处理方法，包括：基板保持工序，使基板保持单元将基板保持为水平；密闭工序，在将保持有基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下密闭内部空间；液膜形成工序，对基板的上表面供给用于处理基板的上表面的处理液，在基板上形成处理液的液膜；加压工序，通过对内部空间供给气体，对内部空间加压直至内部空间的压力为高于大气压的第一压力；加热工序，加热基板，使得在内部空间的压力达到第一压力的状态下在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层；液膜排除工序，通过一边维持在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层的状态，一边对内部空间减压直至内部空间的压力为小于第一压力的第二压力，使处理液蒸发，从基板上排除液膜。
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公开(公告)号：CN113728416A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202080028876.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 将含有水的漂洗液供给至衬底的上表面。将衬底的上表面上的漂洗液置换成第1液体。将衬底的上表面上的第1液体置换成第2液体。将衬底的上表面上的第2液体除去，由此使衬底干燥。第2液体在水中的溶解度小于第1液体在水中的溶解度。第2液体的表面张力低于第1液体的表面张力。第2液体的比重大于第1液体的比重。第2液体的沸点为室温以上，从第2液体的沸点减去室温而得的值为室温以下。
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公开(公告)号：CN113053728A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011545248.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
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公开(公告)号：CN109545706A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811083916.2
申请日：2018-09-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的课题在于提供一种能够提高改变衬底表面的化学性质的改性处理液的反应性的技术。本发明的解决手段为对衬底W的表面进行处理的衬底处理方法，其包括下述工序：(a)一边使衬底W旋转一边向该衬底W的表面供给IPA并进行处理的第一溶剂供给工序S4；和(b)在第一溶剂供给工序S4之后供给硅烷化液体从而形成液膜的改性处理液供给工序S5；和(c)在第一溶剂供给工序S4及改性处理液供给工序S5中加热衬底W的工序。所述工序(c)为在改性处理液供给工序S5中对衬底W施加的每单位时间的热量H2大于在第一溶剂供给工序S4中对衬底W施加的每单位时间的热量H1的工序。
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公开(公告)号：CN109427624A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810858104.4
申请日：2018-07-31
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置，该基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体供给工序，向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体；气化冷却工序，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。
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