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公开(公告)号：CN109904093B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811469611.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，形成第二处理液的液膜；固化工序，将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；升华工序，使所述固体膜升华来从基板上去除。
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公开(公告)号：CN109545655B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201811110408.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，包括：处理液膜形成工序，向基板的图案形成面供给含有升华性物质的处理液，在所述图案形成面形成处理液膜；温度保持工序，将形成于所述图案形成面的所述处理液膜的温度保持在所述升华性物质的熔点以上且小于所述升华性物质的沸点的温度范围内；薄膜化工序，在所述处理液膜的温度处于所述温度范围内的期间使所述处理液膜变薄；凝固工序，在所述温度保持工序之后，使通过所述薄膜化工序变薄的所述处理液膜在所述图案形成面上凝固而形成所述升华性物质的凝固体；以及升华工序，使所述凝固体升华而从所述图案形成面去除所述凝固体。
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公开(公告)号：CN112309903A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010708287.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提出一种基板处理方法及基板处理装置。在第二液体供给工序中，在基板的上表面形成第二液膜、及包围第二液膜的侧方的第一液膜。而且，在蒸汽层形成工序中，形成通过对基板进行加热而与基板的上表面接触的第二液体蒸发所成的第二蒸汽层，在所述第二蒸汽层上保持第二液膜。由于第二液膜中所含的第二液体的蒸汽压高，故可将浮起的第二液膜的下表面的高度位置保持得高。通过向浮起的第二液膜吹附气体，在第二液膜上形成孔，通过朝向基板的外周扩大所述孔，将第一液体及第二液体向基板外排除。
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公开(公告)号：CN109427623A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810858082.1
申请日：2018-07-31
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置，所述基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体配置工序，在配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜之上配置具有比所述升华剂高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体的液膜；气化冷却工序，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。
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公开(公告)号：CN111489955B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201911395272.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，在基板处理中，向被保持为水平状态的基板(9)的上表面(91)供给第一处理液，形成覆盖整个上表面(91)的第一处理液的液膜(81)。另外，对基板(9)进行加热，在上表面(91)上的第一处理液的液膜(81)与上表面(91)之间形成第一处理液的蒸气层(82)。然后，通过向基板(9)的上表面(91)供给第二处理液，从上表面(91)去除第一处理液的液膜(81)。由此，能够将随着蒸气层(82)的形成而进入第一处理液的液膜(81)的异物(89)从基板(9)的上表面(91)合适地去除。
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公开(公告)号：CN112640056B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980055836.2
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 目的在于提供一种技术，在作为液体处理的第一处理后，适当地决定开始后续的第二处理的时机。为了实现上述目的，在停止供给第一处理液后，通过照相机拍摄基板的上表面。在通过照相机取得的拍摄图像的判断区域内检测亮度(光强度)的径向上的极值点，由此检测干涉纹。在检测到检测对象的干涉纹的情形中，时机决定部决定开始第二处理的时机。
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公开(公告)号：CN116864419A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310994427.7
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，形成第二处理液的液膜；固化工序，将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；升华工序，使所述固体膜升华来从基板上去除。
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公开(公告)号：CN112640056A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980055836.2
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 目的在于提供一种技术，在作为液体处理的第一处理后，适当地决定开始后续的第二处理的时机。为了实现上述目的，在停止供给第一处理液后，通过照相机拍摄基板的上表面。在通过照相机取得的拍摄图像的判断区域内检测亮度(光强度)的径向上的极值点，由此检测干涉纹。在检测到检测对象的干涉纹的情形中，时机决定部决定开始第二处理的时机。
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公开(公告)号：CN110098137A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910066183.X
申请日：2019-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，基板处理方法包括：基板保持工序，利用基板保持用具将基板保持为水平；液膜形成工序，通过向基板的上表面供给处理液，在基板的上表面形成处理液的液膜；液密加热工序，通过向设置在基板与基座之间的加热器单元与基板之间的空间供给热媒来使热媒充满空间，并且通过加热器单元加热热媒；开口形成工序，在通过液密加热工序加热基板使得基板的温度成为处理液的沸点以上的状态下，在基板上的液膜的中央区域形成开口；以及开口扩大工序，一边通过使基座旋转而使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转，一边使开口扩展。液密加热工序在开口扩大工序的至少一部分的期间与开口扩大工序并行执行。
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公开(公告)号：CN109872960A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811447638.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向上述基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使上述第一处理液固化或硬化，在上述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将上述颗粒保持层从上述基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，在将上述颗粒保持层从上述基板上除去后，形成第二处理液的液膜；气相层形成工序，在上述基板的上表面与上述液膜之间形成保持上述液膜的气相层；以及液膜排除工序，通过使上述液膜在上述气相层上移动，将上述第二处理液从上述基板的上表面排除。
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