公开(公告)号：CN114341721A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080061749.0

申请日：2020-07-29

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 松岛寿治 ,  田中仁

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1335

Abstract: 一实施方式的显示装置具备：第一基板；与第一基板对置的第二基板；以及位于第一基板以及第二基板之间的液晶层，第一基板具有第一共用电极、像素电极、扫描线以及信号线，扫描线在第一方向上延伸地形成，信号线在第二方向上延伸地形成，第一电极具有沿第二方向延伸的轴部和从轴部向第一方向延伸的第一分支部以及第二分支部，具有由一对扫描线与一对信号线包围的第一开口部和在第二方向上与第一开口部隔开间隔地设置且由一对扫描线与一对信号线包围的第二开口部，第一分支部与像素电极以及第一开口部重叠，第二分支部与所述第一开口部以及所述第二开口部之间的扫描线重叠。

公开(公告)号：CN117525163A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311529929.9

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 池田匡孝 ,  林宏宜 ,  田中仁

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/16755 ,  G02F1/16757 ,  G02F1/1676 ,  H01L27/12

Abstract: 提供能利用多个电流路进行驱动的薄膜晶体管。半导体基板具备第一基材、栅极线(G)、源极线(S)、绝缘膜、第一像素电极(PE1)、以及在源极线(S)与第一像素电极(PE1)之间并联连接的第一晶体管(Tr1)和第二晶体管(Tr2)。第一晶体管(Tr1)的第一半导体层(SC1)和第二晶体管(Tr2)的第二半导体层(SC2)分别具有第一区域(R1)、第二区域(R2)以及沟道区域(RC)。第一半导体层(SC1)和第二半导体层(SC2)与第一表面接触，所述第一表面是上述绝缘膜的源极线(S)侧的面。第一半导体层(SC1)和第二半导体层(SC2)各自的沟道区域(RC)的整体与栅极线(G)重叠。

公开(公告)号：CN111801934B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201980016555.6

申请日：2019-02-05

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 田中仁 ,  多田正浩 ,  中村卓 ,  水桥比吕志 ,  后藤词贵 ,  加藤博文

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146 ,  H01L51/42 ,  H04N5/369

Abstract: 具有：衬底；有机材料层，其设在衬底的上侧且至少设在与检测区域重叠的位置；在与衬底垂直的方向上设在衬底与有机材料层之间的多个检测电极；在多个检测电极的每一个设置的第一开关元件；与第一开关元件连接且在第一方向上延伸的多条栅极线；与第一开关元件连接且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多个信号线；以及驱动电路，其经由多条栅极线将基于规定的代码针对多条栅极线的每一条被规定了电位的栅极驱动信号向多个第一开关元件分别供给。

公开(公告)号：CN114838859A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210036505.8

申请日：2022-01-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 田中仁

IPC: G01L5/10 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明提供压力传感器，无论按压力的检测位置如何都能够稳定地检测按压力。压力传感器(1)具备：多个第一电极(20)，其沿着基板(10)配置；弹性体(50)，其与多个第一电极(20)接触；第二电极(30)，其与弹性体(50)接触并在与第一电极(20)之间夹着弹性体(50)；以及第三电极(40)，其设置于比第二电极(30)更靠基板(10)侧的位置并与第二电极(30)电连接。弹性体(50)包含导电粒子，在作用了使第一电极(20)与第二电极(30)接近的按压力的情况下该导电粒子将第一电极(20)与第二电极(30)电连接。第三电极(40)以格子状连续，该格子状为对至少在一个方向上相邻的第一电极(20)彼此之间进行划分的格子状。

公开(公告)号：CN212461692U

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202020529398.9

申请日：2020-04-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 小野寺凉 ,  花田明纮 ,  田中仁

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 本实用新型涉及半导体装置。课题为在使用由多晶硅形成的TFT和由氧化物半导体形成的TFT的半导体装置中，能够减少层数并降低制造成本。解决手段为半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅(102)形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体(108)形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，半导体装置的特征在于，构成所述第一TFT的第一栅电极(104)由与所述氧化物半导体的源极及漏极相同的材料形成。