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公开(公告)号：CN118738136A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410305656.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/44 , H01L21/34 , G09F9/33 , G09F9/35
Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体装置的电气特性。半导体装置包括：绝缘表面之上的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的氧化物半导体层；前述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；和前述栅极绝缘层之上的栅极布线，前述金属氧化物层具有与前述栅极布线及前述氧化物半导体层重叠的第一区域、与前述氧化物半导体层重叠且与前述栅极布线不重叠的第二区域、以及与前述栅极布线重叠且与前述氧化物半导体层不重叠的第三区域。
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公开(公告)号：CN117334701A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311328162.3
申请日：2020-02-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明涉及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，第一TFT中，覆盖氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于氧化物半导体，覆盖第一漏电极及第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于第一漏电极，源极布线(122)介由第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于第一源电极。
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公开(公告)号：CN111584499B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010081137.X
申请日：2020-02-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。
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公开(公告)号：CN118943201A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410576294.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供氧化物半导体膜的形状的偏差小且具有稳定的电特性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和层间绝缘层，其覆盖源电极及漏电极并与氧化物半导体层接触，氧化物半导体层包含与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、和与层间绝缘层接触的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为1nm以下。
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公开(公告)号：CN118738137A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410316931.6
申请日：2024-03-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供偏差少，电特性稳定的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源电极及漏电极；覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层；氧化物半导体层包括与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、以及与层间绝缘层相接的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为5nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116868350A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180094159.2
申请日：2021-12-22
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 显示装置的半导体器件包括：绝缘表面上的第一导电层；第一导电层上的第一绝缘层；第一绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的第二导电层；和氧化物半导体层上的第三导电层，氧化物半导体层包括：第一区域；与第二导电层相接的第二区域；与第三导电层相接的第三区域；与第二导电层相接的、第一区域与第二区域之间的第一杂质区域；和与第三导电层相接的、第一区域与第三区域之间的第二杂质区域，第一杂质区域和第二杂质区域各自的电导率大于第二区域和第三区域各自的电导率。
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公开(公告)号：CN111554692B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010082372.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10D86/60 , H10D86/01 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。
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公开(公告)号：CN119325278A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410810371.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体器件和显示装置。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体器件的可靠性。半导体器件包括：第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的栅极布线；和所述栅极布线之上的第二绝缘层，所述氧化物半导体层具有朝向第一方向排列的第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域与所述栅极绝缘层及所述栅极布线重叠，所述第三区域与所述第二绝缘层相接，从所述第二区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离比从所述第三区域的上表面到所述第二绝缘层的上表面为止的距离长。
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公开(公告)号：CN118943145A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410503778.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于实现具有高迁移率的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；从前述氧化物半导体层之上与前述氧化物半导体层相接的源电极及漏电极；和前述源电极及前述漏电极之上的绝缘层。在将供给至前述栅电极的电压设为Vg、将前述半导体装置的阈值电压设为Vth、将由前述栅电极和前述氧化物半导体层夹持的前述栅极绝缘层的静电电容设为Cox的情况下，前述半导体装置的线性迁移率在(Vg‑Vth)×Cox＝5×10‑7C/cm2时大于20cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN118553770A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201026.6
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置。课题在于抑制应力试验前后的半导体装置的电气特性变化。半导体装置包含第1栅电极、所述第1栅电极之上的第1绝缘层、所述第1绝缘层之上的氧化物半导体层、所述氧化物半导体层之上的第2绝缘层和所述第2绝缘层之上的第2栅电极。所述第1绝缘层包含含有硅及氮的第1层、含有硅及氧的第2层以及含有铝及氧的第3层。所述第1层的厚度为10nm以上190nm以下。所述第2层的厚度为10nm以上100nm以下。所述第1层及所述第2层的合计厚度为200nm以下。所述第3层的厚度为1nm以上10nm以下。
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