公开(公告)号：CN108569908A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810314557.0

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 儿玉一宗 ,  内藤孝 ,  藤枝正 ,  泽井裕一 ,  青柳拓也 ,  宫城雅德

IPC: C04B37/02 ,  C03C27/04 ,  C03C12/00 ,  C03C8/24 ,  B32B7/04 ,  B32B15/00 ,  B32B17/00 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明提供接合材料和接合构造体。本发明解决的技术问题是不进行金属化处理，而在软钎料程度的处理温度下接合陶瓷、半导体、玻璃等基材。接合构造体具备：第一基材；第二基材；和将第一基材和第二基材接合的接合材料层，第一基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材，接合材料层包含金属和氧化物，氧化物包含玻璃组合物，该玻璃组合物含有Ag、V和Te，且按氧化物换算V2O5、TeO2和Ag2O的合计含量为85质量％以上、不到100质量％，在第一基材与金属之间的至少一部分存在氧化物，在金属中分散有氧化物，在第一基材与金属之间存在的氧化物的厚度为100nm以下。

公开(公告)号：CN105683111A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201380080467.5

申请日：2013-12-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 儿玉一宗 ,  宫城雅德 ,  青柳拓也 ,  内藤孝

IPC: C03C8/18 ,  C03C27/06

CPC classification number: C03C17/04 ,  B32B1/02 ,  B32B7/14 ,  B32B17/06 ,  B32B37/14 ,  B32B38/0008 ,  B32B2250/02 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/304 ,  B32B2307/412 ,  B32B2419/00 ,  B32B2439/40 ,  B32B2457/00 ,  B32B2605/00 ,  C03C3/122 ,  C03C3/21 ,  C03C8/02 ,  C03C8/08 ,  C03C8/18 ,  C03C8/24 ,  C03C17/003 ,  C03C17/007 ,  C03C17/008 ,  C03C27/06 ,  C03C2217/218 ,  C03C2217/23 ,  C03C2218/32

Abstract: 在具有内部空间的玻璃制的密封结构体中，上述密封结构体的内部空间与外部的边界的至少一部分通过密封材料来隔离，上述密封材料含有金属材料与无铅氧化物玻璃，上述无铅氧化物玻璃含有Ag、P的至少一种元素及Te、V。

公开(公告)号：CN104072187A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410044836.1

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 儿玉一宗 ,  内藤孝 ,  藤枝正 ,  泽井裕一 ,  青柳拓也 ,  宫城雅德

IPC: C04B37/02 ,  C03C27/00 ,  C03C8/14

CPC classification number: H01L24/29 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/86 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29269 ,  H01L2224/29288 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供接合材料和接合构造体。本发明解决的技术问题是不进行金属化处理，而在软钎料程度的处理温度下接合陶瓷、半导体、玻璃等基材。接合构造体中，多种基材通过接合层接合，而且至少一种基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材，接合材料层包含金属和氧化物，氧化物含有V和Te，氧化物存在于金属与基材之间。接合材料为：包含氧化物玻璃、金属颗粒和溶剂的膏状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te；或者埋入有氧化物玻璃的颗粒的箔状或板状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te；或者包含氧化物玻璃的层和金属的层的箔状或板状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te。