公开(公告)号：CN107026101A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610115049.0

申请日：2016-03-01

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高桥哲 ,  丰田一行

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明的目的在于，即使在将处理室维持在高温来处理衬底的情况下也能够抑制对周围构造的热影响。作为方式之一而提供一种衬底处理装置，其具有：第一处理室，其具有加热第一衬底的第一加热部、处理第一衬底的第一处理空间、配置在第一处理空间的下方的第一输送空间以及构成第一处理空间和第一输送空间的壁；第二处理室，其具有隔着作为壁的一部分的共用壁而与第一处理室相邻并加热第二衬底的第二加热部、处理第二衬底的第二处理空间以及配置在第二处理空间的下方的第二输送空间；其他壁，其在构成第一处理室和第二处理室的壁中构成与所述共用壁不同的壁；冷却流路，其设在共用壁和其他壁上，以使共用壁的冷却效率比其他壁高的方式构成。

公开(公告)号：CN106449408A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610639151.0

申请日：2016-08-05

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 中山雅则 ,  菊池俊之 ,  须田敦彦 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/20 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L22/12 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，本发明的课题在于抑制半导体器件的特性产生偏差。该半导体器件的制造方法具有：对具有凸构造且形成有第一含硅层的衬底进行研磨的工序；取得研磨后的第一含硅层的面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据，决定使衬底的中心侧的膜厚和衬底的外周侧的膜厚之差减小的处理条件的工序；供给处理气体来形成第二含硅层，并且基于处理条件，以使衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度和衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，来修正由第一含硅层和第二含硅层构成的层叠膜的膜厚的工序。

公开(公告)号：CN101435074B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200810179581.4

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。

公开(公告)号：CN101435074A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810179581.4

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，包括处理室和电极室，所述电极室与所述处理室相分离，所述电极室容纳有一对电极，和多个待叠层的基板容纳在所述处理室中；和供气件，将处理气提供进所述电极室，所述供气件包括多个供气口，其中所述对电极沿所述多个基板的叠层方向延伸，所述电极设置在所述多个基板的一侧，高频电源被提供给所述电极。

公开(公告)号：CN100480421C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510118667.2

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体由上述多个供气口分别提供给上述反应室，上述多个气体导入部中至少一个沿上述基板多层配置方向设置，上述多个气体导入部中沿上述基板多层配置方向设置的气体导入部，包括有沿上述基板多层配置方向设置多个气体输入口。

公开(公告)号：CN108695193A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810152200.7

申请日：2018-02-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  高野智 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67739 ,  F17D1/04 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/22

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、记录介质和基板处理装置，是提高设备特性的均匀性的技术。本申请提供一种基板处理方法，其具有：将具有形成有图案的硬掩模的基板搬入处理室的工序，向所述处理室供给含金属气体来达到第一压力的第一浸透工序，以及在所述第一浸透工序之后，向所述处理室供给非活性气体来达到比所述第一压力低的第二压力的浓度分布调整工序。

公开(公告)号：CN108573861A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711083945.4

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本克彦 ,  柄泽元 ,  丰田一行

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742

Abstract: 提供一种能够适当且高效率地进行基于自组装光刻的构图的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。包括：将形成有引导图案的衬底收容于处理室的工序；第一处理工序，向处理室供给针对衬底进行亲水化处理或疏水化处理的任意一方的第一处理气体的等离子体；第二处理工序，在第一处理工序之后，向处理室供给针对衬底进行亲水化处理或疏水化处理的任意另一方的第二处理气体的等离子体；以及在第二处理工序之后，向衬底的面上的未形成引导图案的部分涂布含有二种以上的有机材料的光致抗蚀剂材料的工序。

公开(公告)号：CN105869979B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510461468.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 松井俊 ,  盛满和广 ,  丰田一行

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

Abstract: 衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，抑制衬底的温度分布变得不均匀且处理均匀性下降。具有：处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。

公开(公告)号：CN104821267B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201410091655.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  高崎唯史 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4557 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

Abstract: 为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；喷头部，具有与第一、第二、第三气体供给系统连接的缓冲室；处理室，设于喷头下方内有载置衬底的衬底载置部；等离子体生成区域切换部，对在缓冲室和处理室生成等离子体切换；等离子体生成部，具有等离子体生成区域切换部和电源；控制部，至少控制原料气体供给部、反应气体供给控制部和等离子体生成部。

公开(公告)号：CN104517793B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410466295.1

申请日：2014-09-12

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  广地志有 ,  山本哲夫 ,  盛满和广 ,  高崎唯史

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45557 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序：向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给上述反应气体之前的上述等离子体生成区域内的压力为第一压力，并在供给有上述反应气体和上述高频电力的状态下，调整至比上述第一压力低的第二压力来生成上述反应气体的等离子体的工序。