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公开(公告)号：CN104007636B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410069362.6
申请日：2014-02-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G01N21/4738 , B41J11/009 , G01N21/474 , G01N21/55 , G01N2021/556 , G03G15/5029 , G03G2215/00616 , G03G2215/00751
Abstract: 一种传感器，包括一个光学传感器，该光学传感器包括：光源；接收光源发射的光和由物体规则反射和漫反射的光的多个光接收器；数据库，包含由多个光接收器输出的关于多个已知和不同类型的物体的输出数据，这些输出数据是在从光源发射的光的入射方向构成朝向物体的第一方向和从光源发射的光的入射方向构成垂直于第一方向的第二方向的条件下的输出数据；以及控制从光源发射的光照射未知类型的物体并通过把多个光接收器的输出数据与数据库匹配来指明物体类型的处理器。
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公开(公告)号：CN103257543B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310130147.8
申请日：2013-02-17
Applicant: 株式会社理光
IPC: G03G15/00
CPC classification number: G01N21/4738 , G01N21/55 , G03G13/00 , G03G15/5029 , G03G15/6591 , G03G2215/00616
Abstract: 本发明涉及一种光学传感器。光学传感器包括：照射系统，照射线性偏振光；第一光检测系统，包括第一光检测器，设置在从所述对象被镜面反射的光的光学路径上；第二光检测系统，包括光学元件和第二光检测器，所述光学元件设置在对象的入射面内从对象被漫反射的光的光学路径上，并且分离出与第一偏振方向正交的第二偏振方向的线性偏振分量，而第二光检测器接收由光学元件分离出的光，其中第一光检测器的光接收角和第二光检测器的光接收角互相不同。
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公开(公告)号：CN103257544A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310139485.8
申请日：2013-02-20
Applicant: 株式会社理光
IPC: G03G15/00
CPC classification number: G03G15/5029 , G03G15/0189 , G03G2215/2074
Abstract: 公开一种光学传感器，包括：照射系统；第一光电检测系统，包括布置在从被摄体镜面反射的光的光学路径上的第一光电检测器；第二光电检测系统，包括布置在于被摄体的入射面内从被摄体漫反射的光的光学路径上且分离与第一偏振方向正交的第二偏振方向的线性偏振分量的光学元件和接收由光学元件分离的光的第二光电检测器；以及限制构件，布置在关于第一光电检测器和第二光电检测器中的至少一个的入射光的光学路径上并且限制至少一个光电检测器的光接收范围。
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公开(公告)号：CN101582562A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910139045.6
申请日：2009-05-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备。在表面发射激光器元件中，在衬底上，该衬底的主表面的法线方向是倾斜的，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称，电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在－Y方向大于在+X和－X方向。
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公开(公告)号：CN105578968B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201480052569.0
申请日：2014-09-26
Applicant: 株式会社理光 , 株式会社国际电气通信基础技术研究所
IPC: A61B10/00 , A61B5/1455
Abstract: 一种光学传感器，包括：照射系统，包括至少一个光照射器以将光照射到测试的对象上；以及检测系统，检测从照射系统所照射的并且在测试的对象中所传播的光。此外，光照射器将非平行的多个光束照射到测试的对象的相同位置上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102668280B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201080057439.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1815 , H01S5/02208 , H01S5/02228 , H01S5/0224 , H01S5/02264 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18394 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01L2924/00014
Abstract: 一种光学器件，包括：面发射激光器阵列，具有多个发光部分；封装构件，其上设置面发射激光器阵列；以及透明构件，保持在封装构件上，并且设置在面发射激光器阵列发射的光束的光路上。透明构件包括面发射激光器阵列发射的光束入射在其上的入射面。入射面相对于面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，发光部分之一发射的光经由透明构件的反射以第二倾斜角入射在发光部分的另一最远的一个发光部分上，第一倾斜角小于第二倾斜角。
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公开(公告)号：CN104662410A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380050018.6
申请日：2013-05-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: G01N21/47
CPC classification number: G03G15/5062 , G03G15/5025 , G03G15/5029 , G03G2215/00738 , G03G2215/00751
Abstract: 一种光学传感器包括：光源；以及光学检测器，检测由记录介质反射的光的强度，所述光从光源发射且照射到所述记录介质上。另外，当从光源入射到记录介质的光相对于记录介质的法线的入射角被给定为θ1时，满足公式75°≤θ1≤85°。
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公开(公告)号：CN102668280A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080057439.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1815 , H01S5/02208 , H01S5/02228 , H01S5/0224 , H01S5/02264 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18394 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01L2924/00014
Abstract: 一种光学器件，包括：面发射激光器阵列，具有多个发光部分；封装构件，其上设置面发射激光器阵列；以及透明构件，保持在封装构件上，并且设置在面发射激光器阵列发射的光束的光路上。透明构件包括面发射激光器阵列发射的光束入射在其上的入射面。入射面相对于面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，发光部分之一发射的光经由透明构件的反射以第二倾斜角入射在发光部分的另一最远的一个发光部分上，第一倾斜角小于第二倾斜角。
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公开(公告)号：CN101604819B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910145943.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备。在表面发射激光器元件中，在倾斜的衬底上，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于穿过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并且关于穿过电流通过区域中心并平行于Y轴的轴对称，并且围绕电流通过区域的氧化层的厚度在+Y轴方向比在+X和-X方向大。光输出部分在X轴方向的开口宽度小于光输出部分在Y轴方向的另一开口宽度。
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公开(公告)号：CN101582562B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910139045.6
申请日：2009-05-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备在表面发射激光器元件中，在衬底上，该衬底的主表面的法线方向是倾斜的，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称，电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在-Y方向大于在+X和-X方向。
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