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公开(公告)号：CN101582563B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910139387.8
申请日：2009-05-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18355 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G2215/0404 , H01S5/18311 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。
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公开(公告)号：CN101582563A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910139387.8
申请日：2009-05-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18355 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G2215/0404 , H01S5/18311 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。
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公开(公告)号：CN102498624B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201080041006.3
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/18327 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18394 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/166
Abstract: 一种表面发射激光器，包括基底；设置在基底上的下部半导体多层膜反射体；包括活性层且设置在下部半导体多层膜反射体上的共振体结构；设置在共振体结构上的上部半导体多层膜反射体。该第二半导体多层膜反射体包括一限制结构，在该限制结构中电流通过区域被包含铝的选择性氧化层的氧化部分围绕。发射区域包括中心部分和周围部分，该周围部分覆盖有透明的电介质膜，其反射率比中心部分的反射率低。选择性氧化层具有在从30纳米到40纳米的范围内的厚度。振荡阈值电流被最小化所在的温度是60摄氏度或更低。
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公开(公告)号：CN102224646B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980146798.8
申请日：2009-11-24
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G03G15/04 , B82Y20/00 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一中表面发射激光器器件，其用以在垂直于衬底的方向上发射激光，包括围绕发射激光的发射表面上的发射区域的p侧电极；以及形成在发射区域的中心部分的外侧且在发射区域之内的外侧区域上以降低其反射率低于中心部分的透明介电膜。所述发射区域内的外侧区域在两个相互垂直的方向上具有形状各向异性。
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公开(公告)号：CN102439806A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022491.X
申请日：2010-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 公开了一种制造表面发射激光器的方法，包括层叠透明介电层在层叠体的上表面上；形成第一抗蚀剂图案在介电层的上表面上，第一抗蚀剂图案包括限定台地结构的外周的图案和保护与发射区域中包括的相对高反射率部分和相对低反射率部分中的一个相对应的区域的图案；通过利用第一抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻介电层；以及形成包括与整个发射区域相对应的区域的第二抗蚀剂图案。这些步骤在形成台地结构之前执行。
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公开(公告)号：CN101604819A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910145943.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备。在表面发射激光器元件中，在倾斜的衬底上，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于穿过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并且关于穿过电流通过区域中心并平行于Y轴的轴对称，并且围绕电流通过区域的氧化层的厚度在+Y轴方向比在+X和－X方向大。光输出部分在X轴方向的开口宽度小于光输出部分在Y轴方向的另一开口宽度。
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公开(公告)号：CN117795795A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280051972.6
申请日：2022-06-29
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种表面发射激光器包括：活性层；多个反射器，所述活性层位于所述多个反射器之间；包含多个半导体层的多重量子阱结构；第一电极对，连接到第一电源装置，以向所述活性层注入电流；以及第二电极对，连接到第二电源装置，以将电场施加到所述多重量子阱结构。表面发射激光器具有：电流注入期间；所述电流注入期间之后的电流减小期间；电场施加期间，用于将电场施加到所述多重量子阱结构；以及在所述电场施加期间之后的电场减小期间。所述电流注入期间的至少一部分包含在所述电场施加期间的至少一部分中。所述表面发射激光器在所述电场施加期间不振荡激光束，在所述电场减小期间振荡激光束。
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公开(公告)号：CN104518245B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410654056.9
申请日：2014-08-20
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H03L7/26 , G04F5/145 , H05B3/26 , H05B2203/002 , H05B2203/007 , H05B2203/013
Abstract: 一种加热器基板、碱金属电池单元和原子振荡器。一种用于加热包括碱金属的碱金属电池的加热器基板，包括：形成在围绕碱金属被封装了的碱金属封装部分的区域中的第一加热器布线；形成在围绕碱金属封装部分的区域中并且在第一加热器布线内部的第二加热器布线；以及形成在第一加热器布线外部的第三加热器布线。在第一加热器布线中流动的第一电流被分成在第二加热器布线中流动的第二电流和在第三加热器布线中流动的第三电流。第一电流的方向与第二电流的方向和第三电流的方向相反。
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公开(公告)号：CN102498624A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041006.3
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/18327 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18394 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/166
Abstract: 一种表面发射激光器，包括基底；设置在基底上的下部半导体多层膜反射体；包括活性层且设置在下部半导体多层膜反射体上的共振体结构；设置在共振体结构上的上部半导体多层膜反射体。该第二半导体多层膜反射体包括一限制结构，在该限制结构中电流通过区域被包含铝的选择性氧化层的氧化部分围绕。发射区域包括中心部分和周围部分，该周围部分覆盖有透明的电介质膜，其反射率比中心部分的反射率低。选择性氧化层具有在从30纳米到40纳米的范围内的厚度。振荡阈值电流被最小化所在的温度是60摄氏度或更低。
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公开(公告)号：CN102474073A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002926.9
申请日：2011-05-18
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G03G15/04 , B41J2/442 , B41J2/471 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 一种表面发射激光器器件，包括设置在发射区域内并被构造成导致在发生区域内在周边部分的反射率不同于在中心部分的反射率的透明介电层。在表面发射激光器器件中，在发射区域中，接触层的厚度在具有相对高反射率的区域和具有相对低反射率的区域之间不同。接触层设置在上部多层膜反射镜的高折射率层上，并且在具有相对低反射率的区域内，高折射率层和接触层的总光学厚度偏离从发射区域发射的激光的四分之一振荡波长的奇数倍。
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