半导体装置的制造方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107209078B

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201680006742.2

    申请日:2016-02-03

    Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法,其中,具有下述工序:准备含有硅的所述第1及第2基板,对所述第1及第2基板进行接合,进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理,在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中,使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中,以1℃/sec以下的升温速度进行加热,使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气,以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间,从而从所述气密室排出所述氢气。

    磁传感器及其制造方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102809732B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201210174051.7

    申请日:2012-05-30

    Abstract: 提供一种磁传感器装置的制造方法,该磁传感器装置在向多个MRE(22)施加外部磁场的情况下,根据各MRE的电阻值的变化来检测物理量,该方法包括:准备基板(10、14、16),在所述基板的上方形成具有磁化方向变化的自由磁性层(22c)和固定了磁化方向的钉扎磁性层(22a)的各MRE,并分别形成对应于各MRE的加热器(30),在与基板平行的第1方向具有磁场方向的外部磁场中,配置所述基板,加热一部分加热器部,将该一部分钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第1方向,在与第1方向不同的第2方向具有磁场方向的外部磁场中,配置所述基板,加热另一部分的加热器部,将该另一部分的钉扎磁性层的磁化方向充磁为所述第2方向。

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