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公开(公告)号：CN109678102A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811625593.5
申请日：2018-12-28
Applicant: 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81C1/00158
Abstract: 本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述空腔上形成敏感膜片；以及在所述敏感膜片中形成多个敏感电阻；其中，所述敏感膜片包括岛状部以及围绕所述岛状部的连接部，所述岛状部的厚度大于所述连接部的厚度，并且所述多个敏感电阻位于所述连接部。该方法采用不均匀厚度的敏感膜片，使得压力集中于连接部以提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN109641740A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053183.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0163 , B81B2203/053 , G01L9/0042 , G01L19/0609
Abstract: 本发明涉及一种微机械构件，该微机械构件具有带着撑开的膜片(12)的保持装置(10)，该膜片能够借助第一膜片侧(12a)和第二膜片侧(12b)之间的压力差逆着按照所述膜片(12)的膜片弹簧常数产生的膜片反力(Fm)扭曲，并且具有与膜片(12)连接的至少一个致动器电极(18)，该致动器电极能够借助膜片(12)的扭曲逆着按照至少一个弹簧(20)的至少一个弹簧常数产生的弹簧力移位，其中，总系统弹簧常数能够限定为所述膜片(12)的膜片弹簧常数和唯一一个弹簧的弹簧常数或所有弹簧(20)的总弹簧常数的和，通过所述弹簧使所述至少一个致动器电极(18)与所述保持装置(10)连接，并且其中，唯一一个弹簧的弹簧常数和所有弹簧(20)的总弹簧常数为总系统弹簧常数的至少5％。本发明同样涉及一种用于微机械构件的制造方法和一种用于运行压力传感器的方法。
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公开(公告)号：CN109637982A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811158550.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/29 , H01L23/488 , H01L21/56 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B2201/0264 , B81C1/00301 , H01L21/31144 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/04 , H01L23/055 , H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49861 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L23/293 , B81C1/00261 , H01L23/488
Abstract: 本发明提出了一种制造半导体元件的方法。该方法包括提供壳体。至少一个半导体芯片布置在壳体的空腔中。此外，半导体芯片的电触点通过接合线连接到壳体的电触点。该方法还包括将保护材料施加到半导体芯片的电触点以及接合线与半导体芯片的电触点的邻接区域，和/或施加到壳体的电触点以及接合线与壳体的电触点的邻接区域。此外，该方法还包括用凝胶填充空腔的至少一个子区域。
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公开(公告)号：CN109205545A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810696124.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/12 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , G01L9/12 , G01P15/0802 , G01P2015/088 , B81B3/0032 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264
Abstract: 一种微机械传感器包括电容式的第一传感器元件和第二传感器元件，分别具有第一电极和第二电极，其中第一电极的电极壁面和第二电极的电极壁面在第一方向上彼此对置并形成电容，其中第一电极可响应于待检测的变量在与第一方向不同的第二方向上移动，并且第二电极是固定的。第一传感器元件的第一电极的电极壁面在第二方向上具有比第一传感器元件的第二电极的对置的电极壁面小的延伸。第二传感器元件的第二电极的电极壁面在第二方向上具有比第二传感器元件的第一电极的对置的电极壁面小的延伸。
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公开(公告)号：CN108793056A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810538920.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B2201/0264 , B81C1/00015 , B81C1/00166
Abstract: 本发明提供一种柔性可贴附的压力传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域。传感器包括上下两层复合层以及设置在两层复合层中间的柔性敏感层。复合层包括柔性基材层和附着在柔性基材层上的柔性导电层，柔性导电层为银包覆的纳米纤维网薄膜。制备方法为：通过静电纺丝获得聚合物纳米纤维网并在其表面形成银包覆，得到银包覆的纳米纤维网薄膜；以一层或多层的纳米纤维网薄膜作为柔性导电层，在其上附着柔性导电层，形成复合层；在复合层的表面形成柔性敏感层，然后再在柔性敏感层的另一表面覆盖复合层，形成三明治结构的压力传感器。传感器柔软质轻、生物相容性好，可以被加工成多种形状，具有可穿戴、可贴附的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108529549A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810154900.X
申请日：2018-02-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G01L9/0054 , B81B3/0086 , B81B7/0038 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0127 , B81B2207/07 , B81C1/00182 , B81C1/00666 , B81C2203/019 , G01L9/0042 , G01L9/0055 , G01L19/04 , G01L19/0654 , B81B3/0027
Abstract: 本发明提供一种能够降低对于环境湿度的影响并能够发挥优异的压力检测精度的压力传感器、压力传感器的制造方法、压力传感器模块、电子设备以及移动体。压力传感器具有：基板，其具有通过受压而发生挠曲变形的隔膜；侧壁部，其被配置于所述基板的一面侧，并在俯视观察时包围所述隔膜；密封层，其以隔着被所述侧壁部包围的空间而与所述隔膜对置的方式被配置，并对所述空间进行密封，所述密封层具有：第一硅层；第二硅层，其相对于所述第一硅层而位于与所述基板相反的一侧；氧化硅层，其位于所述第一硅层与所述第二硅层之间，所述氧化硅层被所述第二硅层覆盖并相对于外部而被密封。
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公开(公告)号：CN108467005A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810126742.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置(100)。该半导体装置包括膜结构(110)的至少一个悬置区域(111)。该悬挂区域在横向上位于半导体衬底(120)的表面(121)的第一区域中。此外，该半导体装置包括膜结构的膜区域(112)。在膜区域和半导体衬底的至少一部分之间在垂向上设置有空腔(130)。此外，半导体衬底的表面(121)的第一区域由半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)的表面形成。此外，半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)与相邻掺杂区(123)邻接。此外，相邻掺杂区在空腔的区域中形成半导体衬底的表面(121)的至少一部分。另外，相邻掺杂区(123)具有第一导电类型，并且屏蔽掺杂区(122)具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN108117038A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711148122.5
申请日：2017-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/097 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , G01L9/0048 , G01L9/0072 , G01L9/008 , B81B7/0032 , B81B7/0035 , B81B7/02 , B81C1/00261 , B81C1/00277
Abstract: 本发明实施例提供了高密封良率的多层密封膜。在一些实施例中，衬底包括从衬底的上侧穿过衬底延伸至衬底的下侧的通气口。衬底的上侧具有第一压力，并且衬底的下侧具有与第一压力不同的第二压力。多层密封膜覆盖并且密封通气口以防止第一压力通过通气口与第二压力平衡。此外，多层密封膜包括金属层对和夹在金属层之间的阻挡层。还提供了包括多层密封膜的微电子机械系统(MEMS)封装件和用于制造多层密封膜的方法。
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公开(公告)号：CN105374778B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510478819.3
申请日：2015-08-07
Applicant: 精材科技股份有限公司
Inventor： 林建名
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/0058 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C1/00682 , B81C2203/0118 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、第一绝缘层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，且具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片间，且具有第一开口暴露出导电垫。第一绝缘层配置于中介片的下表面，且部分第一绝缘层配置于第一开口内覆盖高分子粘着支撑层。重布局线路配置于穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路且具有第二开口暴露出沟槽。本发明容易有效控制并确保半导体晶片与中介片的连接。
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公开(公告)号：CN107963607A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711036185.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯.雷.斯巴克斯 , 关健
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81B2201/0228 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C3/001
Abstract: 一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件及其封装方法，全覆盖吸气剂晶圆级电子元件的基本构成单元包含下述几个部分：器件晶圆(1)、腔体晶圆(2)；其二者通过键合工艺使两个晶圆键合成为一体，键合工艺通过键合层(5)来实现，在二者之间还设置有腔体(3)；腔体(3)内的腔体晶圆(2)内表面或是在器件晶圆(1)表面覆盖有一层有活性的覆盖层即吸气层结构(4)；吸气层结构(4)的成分为下述几种元素之一或其组合及其氧化物：Ti，Co，Zr，Fe；吸气层结构(4)的厚度范围在500nm-2um。吸气层结构(4)的制备应用物理气相沉积工艺：溅射或蒸发或二者的组合。本发明结构和工艺简单，成本低，技术效果优良；具有可预期的较为巨大的经济和社会价值。
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